NXP Semiconductors агент по продажам - Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые - PDTC144EK,115 PDTC144ES,126 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Resistor - Base (R1)	Resistor - Emitter Base (R2)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Частота - переход	Мощность - макс.	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
PDTC144EK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	80 @ 5mA, 5V	150mV @ 500µA, 10mA	1µA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK
PDTC144ES,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	47 kOhms	80 @ 5mA, 5V	150mV @ 500µA, 10mA	1µA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTC144TK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	-	100 @ 1mA, 5V	150mV @ 500µA, 10mA	1µA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK
PDTC144WK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	22 kOhms	60 @ 5mA, 5V	150mV @ 500µA, 10mA	1µA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK
PDTC323TK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	15V	2.2 kOhms	-	100 @ 50mA, 5V	80mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK
PDTD113ES,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	1 kOhms	1 kOhms	33 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTD113ZS,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	1 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTD123ES,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	2.2 kOhms	40 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTD123TK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	-	100 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK
PDTD123TS,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	-	100 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTD123YS,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	2.2 kOhms	10 kOhms	70 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTC144WS,126	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 500MW TO92-3	устарелый	NPN - Pre-Biased	100mA	50V	47 kOhms	22 kOhms	60 @ 5mA, 5V	150mV @ 500µA, 10mA	1µA	-	500mW	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PDTD113EK,115	NXP USA Inc.	TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW SMT3	устарелый	NPN - Pre-Biased	500mA	50V	1 kOhms	1 kOhms	33 @ 50mA, 5V	300mV @ 2.5mA, 50mA	500nA	-	250mW	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3; MPAK

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые