NXP Semiconductors агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - MRF5S9100NBR1 MRF5S9100NR1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MRF5S9100NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ TO-272-4	устарелый	LDMOS	880MHz	19.5dB	26V	-	-	950mA	20W	68V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRF5S9100NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ TO-270-4	устарелый	LDMOS	880MHz	19.5dB	26V	-	-	950mA	20W	68V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF5S9101NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO-272-4	устарелый	LDMOS	960MHz	17.5dB	26V	-	-	700mA	100W	68V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRF5S9101NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 960MHZ TO-270-4	устарелый	LDMOS	960MHz	17.5dB	26V	-	-	700mA	100W	68V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRFG35003NR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ	устарелый	pHEMT FET	3.55GHz	11.5dB	12V	-	-	55mA	3W	15V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRFG35010NR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ	устарелый	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	12V	-	-	180mA	9W	15V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRFG35002N6R5	NXP USA Inc.	FET RF 8V 3.55GHZ	устарелый	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	6V	-	-	65mA	1.5W	8V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRFG35010ANR5	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF	устарелый	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	12V	-	-	130mA	1W	15V	NI-360HF	NI-360HF
MRF6V2010NBR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-272-2	устарелый	LDMOS	220MHz	23.9dB	50V	-	-	30mA	10W	110V	TO-272BC	TO-272-2
MRF6V2150NBR5	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO272-4	устарелый	LDMOS	220MHz	25dB	50V	-	-	450mA	150W	110V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRF6VP41KHR7	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230	Discontinued at -	LDMOS (Dual)	450MHz	20dB	50V	-	-	150mA	1000W	110V	NI-1230	NI-1230
BF1203,115	NXP USA Inc.	FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP	устарелый	N-Channel Dual Gate	400MHz	27dB	5V	30mA	1dB	15mA	-	10V	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BF512,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	устарелый	N-Channel JFET	100MHz	-	10V	30mA	1.5dB	5mA	-	20V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF545B,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 15MA SOT23	устарелый	N-Channel JFET	-	-	-	15mA	-	-	-	30V	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BF904AR,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	устарелый	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	4V	30mA	1dB	10mA	-	7V	SOT-143R	SOT-143R
BF904A,215	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	устарелый	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	4V	30mA	1dB	10mA	-	7V	TO-253-4, TO-253AA	SOT-143B
BF908R,215	NXP USA Inc.	MOSFET DUAL GATE 12V 40MA SOT143	устарелый	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	8V	40mA	0.6dB	15mA	-	12V	SOT-143R	SOT-143R
MRF8P20140WHSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4	Discontinued at -	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	16dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	NI-780S-4	NI-780S-4
MRF8P20165WHSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4	Discontinued at -	LDMOS (Dual)	1.98GHz ~ 2.01GHz	14.8dB	28V	-	-	550mA	37W	65V	NI-780S-4	NI-780S-4
MRF8P20165WHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4	Discontinued at -	LDMOS (Dual)	1.98GHz ~ 2.01GHz	14.8dB	28V	-	-	550mA	37W	65V	NI-780-4	NI-780-4
MRF8P20140WHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4	Discontinued at -	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	16dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	NI-780-4	NI-780-4
MRF282ZR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2GHZ NI-200Z	устарелый	LDMOS	2GHz	11.5dB	26V	-	-	75mA	10W	65V	NI-200Z	NI-200Z
MRF8S21100HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI780S	устарелый	LDMOS	2.17GHz	18.3dB	28V	-	-	700mA	24W	65V	NI-780S	NI-780S
MRF1550NT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 175MHZ TO272-6 WRAP	устарелый	LDMOS	175MHz	14.5dB	12.5V	12A	-	500mA	50W	40V	TO-272AA	TO-272-6
MRF1570FNT1	NXP USA Inc.	FET RF 40V 470MHZ TO272-8	устарелый	LDMOS	470MHz	11.5dB	12.5V	-	-	800mA	70W	40V	TO-272-8	TO-272-8 Flat Lead
MRF6S18060NR1	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4	устарелый	LDMOS	1.99GHz	15dB	26V	-	-	600mA	60W	68V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF6S21050LR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.16GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	2.16GHz	16dB	28V	-	-	450mA	11.5W	68V	NI-400	NI-400
MRF6S21140HR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.12GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	2.12GHz	15.5dB	28V	-	-	1.2A	30W	68V	NI-880	NI-880
MRF6V2010NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO272-2	устарелый	LDMOS	220MHz	23.9dB	50V	-	-	30mA	10W	110V	TO-272BC	TO-272-2
MRF6V2300NR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 220MHZ TO-270-4	устарелый	LDMOS	220MHz	25.5dB	50V	-	-	900mA	300W	110V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF6VP2600HR6	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230	устарелый	LDMOS (Dual)	225MHz	25dB	50V	-	-	2.6A	125W	110V	NI-1230	NI-1230
MRF7S21170HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	2.17GHz	16dB	28V	-	-	1.4A	50W	65V	NI-880	NI-880
MRFG35010ANT1	NXP USA Inc.	FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5	устарелый	pHEMT FET	3.55GHz	10dB	12V	-	-	130mA	9W	15V	PLD-1.5	PLD-1.5
MRF377HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 860MHZ	устарелый	LDMOS	860MHz	18.2dB	32V	-	-	2A	45W	65V	NI-860C3	NI-860C3
BLF4G10LS-120,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 960MHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	920MHz ~ 960MHz	19dB	28V	12A	-	650mA	48W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G10LS-160,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	894.2MHz	19.7dB	28V	15A	-	900mA	160W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G20-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	13.5dB	28V	12A	-	700mA	100W	65V	SOT-502A	LDMOST
BLF4G20LS-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	13.4dB	28V	12A	-	650mA	100W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G20LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	14.6dB	28V	15A	-	900mA	130W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G20S-110B,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	13.5dB	28V	12A	-	700mA	100W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G22LS-130,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	13.5dB	28V	15A	-	1.15A	33W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF4G22S-100,112	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B	устарелый	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	13.5dB	28V	12A	-	900mA	25W	65V	SOT-502B	SOT502B
BF245A,112	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 6.5MA TO92	устарелый	N-Channel JFET	100MHz	-	15V	6.5mA	1.5dB	-	-	30V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
BF245B,112	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 15MA TO92	устарелый	N-Channel JFET	100MHz	-	15V	15mA	1.5dB	-	-	30V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
BF245B,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 15MA TO92	устарелый	N-Channel JFET	100MHz	-	15V	15mA	1.5dB	-	-	30V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
BF245C,112	NXP USA Inc.	JFET N-CH 30V 25MA TO92	устарелый	N-Channel JFET	100MHz	-	15V	25mA	1.5dB	-	-	30V	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
BF904AWR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143R	устарелый	N-Channel Dual Gate	200MHz	-	5V	30mA	1dB	10mA	-	7V	SC-82A, SOT-343	CMPAK-4
BF909AWR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143R	устарелый	N-Channel Dual Gate	800MHz	-	5V	40mA	2dB	15mA	-	7V	SC-82A, SOT-343	CMPAK-4
MRF6S24140HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 68V 2.39GHZ NI-88OS	устарелый	LDMOS	2.39GHz	15.2dB	28V	-	-	1.3A	28W	68V	NI-880S	NI-880S
MRF7S18170HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.81GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	1.81GHz	17.5dB	28V	-	-	1.4A	50W	65V	NI-880	NI-880

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ