1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
MMRF1009HSR5
 NXP USA Inc. FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S в производствеLDMOS1.03GHz19.7dB50V
-
-
200mA500W110VNI-780SNI-780S
AFV141KHR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
100mA1000W105VSOT-979ANI-1230-4H
AFV141KHSR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
100mA1000W105VNI-1230-4SNI-1230-4S
AFV141KGSR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
100mA1000W105VNI-1230-4S GWNI-1230-4S Gull Wing
MMRF1314GSR5
 NXP USA Inc. TRANSISTOR 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
100mA1000W105VNI-1230-4S GWNI-1230-4S Gull Wing
AFV121KHSR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)960MHz ~ 1.22GHz19.6dB50V
-
-
100mA1000W112VNI-1230-4SNI-1230-4S
MMRF1312GSR5
 NXP USA Inc. TRANSISTOR 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V в производствеLDMOS (Dual)1.03GHz19.6dB50V
-
-
100mA1000W112VNI-1230-4S GWNI-1230-4S Gull Wing
AFV121KGSR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)960MHz ~ 1.22GHz19.6dB50V
-
-
100mA1000W112VNI-1230-4S GWNI-1230-4S Gull Wing
AFV121KHR5
 NXP USA Inc. IC TRANSISTOR RF LDMOS в производствеLDMOS (Dual)960MHz ~ 1.22GHz19.6dB50V
-
-
100mA1000W112VSOT-979ANI-1230-4H
MMRF1007HSR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S в производствеLDMOS (Dual)1.03GHz20dB50V
-
-
150mA1000W110VNI-1230-4SNI-1230-4S
MRF6VP121KHR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H устарелыйLDMOS (Dual)1.03GHz20dB50V
-
-
150mA1000W110VNI-1230NI-1230
MRF6VP121KHSR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H в производствеLDMOS (Dual)1.03GHz20dB50V
-
-
150mA1000W110VNI-1230SNI-1230S
MMRF1007HR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 в производствеLDMOS (Dual)1.03GHz20dB50V
-
-
150mA1000W110VNI-1230-4HNI-1230-4H
MMRF1314HR5
 NXP USA Inc. TRANSISTOR 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
100mA1000W105VSOT-979ANI-1230-4H
MMRF1314HSR5
 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF FET 1.4GHZ 1000W 52V в производствеLDMOS (Dual)1.4GHz17.7dB50V
-
-
500mA1000W105VNI-1230-4SNI-1230-4S
MRF6VP41KHR5
 NXP USA Inc. FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 устарелыйLDMOS (Dual)450MHz20dB50V
-
-
150mA1000W110VNI-1230NI-1230
MMRF5014H-200MHZ
 NXP USA Inc. MMRF5014H-200MHZ в производствеHEMT1MHz ~ 2.7GHz18dB50V5mA
-
350mA
-
125VNI-360H-2SBNI-360H-2SB
MMRF5014H-500MHZ
 NXP USA Inc. MMRF5014H-500M в производствеHEMT1MHz ~ 2.7GHz18dB50V5mA
-
350mA
-
125VNI-360H-2SBNI-360H-2SB
MRF1K50N-TF1
 NXP USA Inc. MRF1K50N-TF1 в производствеLDMOS1.8MHz ~ 500MHz23dB50V10µA
-
100mA
-
133VOM-1230-4LOM-1230-4L
MRF1K50N-TF4
 NXP USA Inc. MRF1K50N-TF4 в производствеLDMOS1.8MHz ~ 500MHz23dB50V10µA
-
100mA
-
133VOM-1230-4LOM-1230-4L
MRF7S24250N-3STG
 NXP USA Inc. MRF7S24250N-3STG в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
AFV10700H-1090
 NXP USA Inc. RF POWER TRANSISTORS в производствеLDMOS (Dual)1.03GHz ~ 1.09GHz19.2dB50V10µA
-
-
770W105VNI-780-4NI-780-4
MRF1K50H-TF5
 NXP USA Inc. MRF1K50H-TF5 в производствеLDMOS (Dual)1.8MHz ~ 500MHz23.7dB50V20µA
-
200mA1500W135VSOT-979ANI-1230-4H
BF556C,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 30V 18MA SOT23 устарелыйN-Channel JFET
-
-
-
18mA
-
-
-
30VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
BF1202R,215
 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz30.5dB5V30mA0.9dB12mA200mW10VTO-253-4, TO-253AASOT-143R
BF1208,115
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666 устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz32dB5V30mA1.3dB19mA
-
6VSOT-563, SOT-666SOT-666
BF1206,115
 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz30dB5V30mA1.3dB18mA
-
6V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF909R,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143 устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
5V40mA2dB15mA
-
7VSOT-143RSOT-143R
BF909A,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH SOT-143B устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
-
40mA2dB
-
-
7VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF904WR,115
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343 устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz
-
5V30mA1dB10mA
-
7VSC-82A, SOT-343CMPAK-4
BF1218,115
 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz32dB5V30mA0.9dB19mA
-
6V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1217WR,115
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL SOT343R устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz30dB5V30mA1dB18mA
-
6VSC-82A, SOT-343CMPAK-4
BF1216,115
 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz30dB5V30mA1dB19mA
-
6V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1215,115
 NXP USA Inc. FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz30dB5V30mA1.5dB19mA
-
6V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1201R,215
 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz29dB5V30mA1dB15mA
-
10VSOT-143RSOT-143R
BF1201,215
 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz29dB5V30mA1dB15mA
-
10VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF1105,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143 устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz20dB5V30mA1.7dB
-
-
7VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF1102,115
 NXP USA Inc. FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
5V40mA2dB15mA
-
7V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1101WR,115
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
5V30mA1.7dB12mA
-
7VSC-82A, SOT-343CMPAK-4
BF1205,115
 NXP USA Inc. FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz26dB5V30mA1.2dB12mA
-
10V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1205,135
 NXP USA Inc. FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz35dB5V30mA1.2dB12mA
-
10V6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
BF1109R,215
 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 11V 30MA SOT143R устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz20dB9V30mA1.5dB
-
-
11VSOT-143RSOT-143R
BF1101R,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
5V30mA1.7dB12mA
-
7VSOT-143RSOT-143R
BF1101,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B устарелыйN-Channel Dual Gate800MHz
-
5V30mA1.7dB12mA
-
7VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF998WR,115
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz
-
8V30mA0.6dB10mA
-
12VSC-82A, SOT-343CMPAK-4
BF996S,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 20V 30MA SOT143B устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz25dB15V30mA1dB10mA
-
20VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF908,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz
-
8V40mA0.6dB15mA
-
12VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF904,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz
-
5V30mA1dB10mA
-
7VTO-253-4, TO-253AASOT-143B
BF904,235
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143 устарелыйN-Channel Dual Gate200MHz
-
5V30mA1dB10mA
-
7VSOT-143RSOT-143R
BF1201WR,115
 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R устарелыйN-Channel Dual Gate400MHz29dB5V30mA1dB15mA
-
10VSC-82A, SOT-343CMPAK-4
  1. 3
  2. 4
  3. 5
  4. 6
  5. 7
  6. 8
  7. 9
  8. 10
  9. 11
  10. 12
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены