номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип IGBTконфигурацияНапряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Ток - коллектор (Ic) (макс.)Мощность - макс.Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Входная емкость (Cies) @ VceвходТермистор NTCРабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2 устарелый
-
Three Phase Inverter600V27A63W1.6V @ 15V, 27A250µA2.2nF @ 30VStandardNo-40°C ~ 150°C (TJ)Through Hole19-SIP (13 Leads), IMS-2IMS-2
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK устарелый
-
Half Bridge250V400A1350W1.6V @ 15V, 400A500µA36nF @ 30VStandardNo-40°C ~ 150°C (TJ)Chassis MountDual INT-A-PAK (3 + 8)Dual INT-A-PAK
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT UFAST 600V 100A SOT227 устарелый
-
Single600V200A500W1.9V @ 15V, 100A1mA16.5nF @ 30VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Chassis MountSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT STD 600V 100A SOT227 устарелый
-
Single600V200A630W1.3V @ 15V, 100A1mA16.25nF @ 30VStandardNo-55°C ~ 150°C (TJ)Chassis MountSOT-227-4, miniBLOCSOT-227B
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT WARP 600V 114A MTP устарелыйPTHalf Bridge600V114A658W3.2V @ 15V, 100A400µA7.1nF @ 30VStandardNo-40°C ~ 150°C (TJ)Chassis Mount12-MTP Module12-MTP
Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT UFAST 600V 100A MTP устарелый
-
Single600V100A445W2.55V @ 15V, 100A250µA14.7nF @ 30VStandardNo-40°C ~ 150°C (TJ)Chassis Mount10-MTP10-MTP
Vishay Semiconductor Diodes Division MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK устарелыйNPTThree Phase Inverter1200V50A284W3V @ 15V, 50A100µA3.475nF @ 30VStandardNo150°C (TJ)Chassis MountECONO2
-
  1. 1
  2. 2
  3. 3