Nexperia агент по продажам - Диоды - Зенера - Одноместный - BZX79-C6V2,143 BZX79-C8V2,113 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BZX79-C6V2,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.2V 400MW ALF2	в производстве	6.2V	±5%	400mW	10 Ohms	3µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C8V2,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 8.2V 400MW ALF2	в производстве	8.2V	±5%	400mW	15 Ohms	700nA @ 5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C8V2,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 8.2V 400MW ALF2	в производстве	8.2V	±5%	400mW	15 Ohms	700nA @ 5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C8V2,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 8.2V 400MW ALF2	в производстве	8.2V	±5%	400mW	15 Ohms	700nA @ 5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C10,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 10V 400MW ALF2	в производстве	10V	±5%	400mW	20 Ohms	200nA @ 7V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C10,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 10V 400MW ALF2	в производстве	10V	±5%	400mW	20 Ohms	200nA @ 7V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C10,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 10V 400MW ALF2	в производстве	10V	±5%	400mW	20 Ohms	200nA @ 7V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C75,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 75V 400MW ALF2	в производстве	75V	±5%	400mW	255 Ohms	50nA @ 52.5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C15,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 400MW ALF2	в производстве	15V	±5%	400mW	30 Ohms	50nA @ 10.5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C15,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 400MW ALF2	в производстве	15V	±5%	400mW	30 Ohms	50nA @ 10.5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C15,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 400MW ALF2	в производстве	15V	±5%	400mW	30 Ohms	50nA @ 10.5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C5V6,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±5%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C5V6,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±5%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C5V6,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±5%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C11,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 11V 400MW ALF2	в производстве	11V	±5%	400mW	20 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C11,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 11V 400MW ALF2	в производстве	11V	±5%	400mW	20 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-C11,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 11V 400MW ALF2	в производстве	11V	±5%	400mW	20 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
PDZ10BGWX	Nexperia USA Inc.	PDZ10BGWSOD123SOD2	в производстве	10V	±2%	400mW	10 Ohms	100nA @ 7V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ4.7BGWX	Nexperia USA Inc.	PDZ4.7BGWSOD123SOD2	в производстве	4.7V	±2%	400mW	90 Ohms	2µA @ 1V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
BZX84-C6V2,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.2V 250MW SOT23	в производстве	6.2V	±5%	250mW	10 Ohms	3µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C6V2,235	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.2V 250MW SOT23	в производстве	6.2V	±5%	250mW	10 Ohms	3µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C9V1,235	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 250MW SOT23	в производстве	9.1V	±5%	250mW	15 Ohms	500nA @ 6V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C9V1,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 250MW SOT23	в производстве	9.1V	±5%	250mW	15 Ohms	500nA @ 6V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C5V1,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.1V 250MW SOT23	в производстве	5.1V	±5%	250mW	60 Ohms	2µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C5V1,235	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.1V 250MW SOT23	в производстве	5.1V	±5%	250mW	60 Ohms	2µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C56,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 56V 250MW SOT23	в производстве	56V	±5%	250mW	200 Ohms	50nA @ 39.2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C62,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 62V 250MW SOT23	в производстве	62V	±5%	250mW	215 Ohms	50nA @ 43.4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C6V8,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.8V 250MW SOT23	в производстве	6.8V	±5%	250mW	15 Ohms	2µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C51,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 51V 250MW SOT23	в производстве	51V	±5%	250mW	180 Ohms	50nA @ 35.7V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C33,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 33V 250MW SOT23	в производстве	33V	±5%	250mW	80 Ohms	50nA @ 23.1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C3V0,235	Nexperia USA Inc.	DIODE 3V 250MW SOT23	в производстве	3V	±5%	250mW	95 Ohms	10µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
BZX84-C3V0,215	Nexperia USA Inc.	DIODE 3V 250MW SOT23	в производстве	3V	±5%	250mW	95 Ohms	10µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
PDZ11B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 11V 400MW SOD323	в производстве	11V	±2%	400mW	10 Ohms	100nA @ 8V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ15B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 400MW SOD323	в производстве	15V	±2%	400mW	15 Ohms	50nA @ 11V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ3.9B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 3.9V 400MW SOD323	в производстве	3.9V	±2%	400mW	90 Ohms	3µA @ 1V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ36B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 36V 400MW SOD323	в производстве	36V	±2%	400mW	60 Ohms	50nA @ 27V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ18B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 18V 400MW SOD323	в производстве	18V	±2%	400mW	20 Ohms	50nA @ 13V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
NZX2V4B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.4V 500MW ALF2	в производстве	2.4V	±4%	500mW	100 Ohms	50µA @ 1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX3V9B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 3.9V 500MW ALF2	в производстве	3.9V	±3%	500mW	100 Ohms	3µA @ 1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX30B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 30V 500MW ALF2	в производстве	30V	±2%	500mW	100 Ohms	50nA @ 21V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX24C,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 24V 500MW ALF2	в производстве	24V	±2%	500mW	70 Ohms	50nA @ 16.8V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX7V5X,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 7.5V 500MW ALF2	в производстве	7.5V	±2%	500mW	15 Ohms	1µA @ 5V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX4V3B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.3V 500MW ALF2	в производстве	4.3V	±2%	500mW	100 Ohms	3µA @ 1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX15X,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 500MW ALF2	в производстве	15V	±2%	500mW	40 Ohms	50nA @ 10.5V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX15A,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 15V 500MW ALF2	в производстве	15V	±2%	500mW	40 Ohms	50nA @ 10.5V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX10B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 10V 500MW ALF2	в производстве	10V	±2%	500mW	25 Ohms	200nA @ 7V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX9V1A,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 500MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	500mW	20 Ohms	500nA @ 6V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX9V1C,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 500MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	500mW	20 Ohms	500nA @ 6V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX27X,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 27V 500MW ALF2	в производстве	27V	±2%	500mW	80 Ohms	50nA @ 18.9V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX9V1D,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 500MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	500mW	20 Ohms	500nA @ 6V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный