Nexperia агент по продажам - Диоды - Зенера - Одноместный - BZT52-C16J NZX4V7B,133 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BZT52-C16J	Nexperia USA Inc.	DIODE 16.2V 350MW SOD123	в производстве	16.2V	±5.6%	350mW	20 Ohms	50nA @ 11.2V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
NZX4V7B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.7V 500MW ALF2	в производстве	4.7V	±2%	500mW	100 Ohms	3µA @ 2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX36A,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 36V 500MW ALF2	в производстве	36V	±2%	500mW	140 Ohms	50nA @ 25.2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX33B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 33V 500MW ALF2	в производстве	33V	±2%	500mW	120 Ohms	50nA @ 23.1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX6V8D,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.8V 500MW ALF2	в производстве	6.8V	±2%	500mW	15 Ohms	2µA @ 4V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX36B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 36V 500MW ALF2	в производстве	36V	±2%	500mW	140 Ohms	50nA @ 25.2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZT52-C10J	Nexperia USA Inc.	DIODE 10V 350MW SOD123	в производстве	10V	±6%	350mW	10 Ohms	200nA @ 7V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C12J	Nexperia USA Inc.	DIODE 12.05V 350MW SOD123	в производстве	12.05V	±5.4%	350mW	10 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C15J	Nexperia USA Inc.	DIODE 14.7V 350MW SOD123	в производстве	14.7V	±6.1%	350mW	15 Ohms	50nA @ 10.5V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C18J	Nexperia USA Inc.	DIODE 17.95V 350MW SOD123	в производстве	17.95V	±6.4%	350mW	20 Ohms	50nA @ 12.6V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C33J	Nexperia USA Inc.	DIODE 33V 350MW SOD123	в производстве	33V	±6.1%	350mW	40 Ohms	50nA @ 23.1V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C39J	Nexperia USA Inc.	DIODE 39V 350MW SOD123	в производстве	39V	±5.1%	350mW	75 Ohms	50nA @ 27.3V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C3V3J	Nexperia USA Inc.	DIODE 3.3V 350MW SOD123	в производстве	3.3V	±6.1%	350mW	95 Ohms	5µA @ 1V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C3V9J	Nexperia USA Inc.	DIODE 3.9V 350MW SOD123	в производстве	3.9V	±5.1%	350mW	95 Ohms	3µA @ 1V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C4V7J	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.7V 350MW SOD123	в производстве	4.7V	±6.4%	350mW	78 Ohms	3µA @ 2V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C5V6J	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 350MW SOD123	в производстве	5.6V	±7.1%	350mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C6V2J	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.2V 350MW SOD123	в производстве	6.2V	±6.5%	350mW	10 Ohms	3µA @ 4V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C7V5J	Nexperia USA Inc.	DIODE 7.45V 350MW SOD123	в производстве	7.45V	±6%	350mW	10 Ohms	1µA @ 5V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
BZT52-C8V2J	Nexperia USA Inc.	DIODE 8.2V 350MW SOD123	в производстве	8.2V	±6.1%	350mW	10 Ohms	700nA @ 5V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123
NZX5V6A,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 500MW ALF2	в производстве	5.6V	±2%	500mW	40 Ohms	1µA @ 2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX5V1D,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.1V 500MW ALF2	в производстве	5.1V	±2%	500mW	100 Ohms	2µA @ 2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX2V4A,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.4V 500MW ALF2	в производстве	2.4V	±4%	500mW	100 Ohms	50µA @ 1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX2V7B,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.7V 500MW ALF2	в производстве	2.7V	±4%	500mW	100 Ohms	20µA @ 1V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
NZX5V1C,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.1V 500MW ALF2	в производстве	5.1V	±2%	500mW	100 Ohms	2µA @ 2V	1.5V @ 200mA	-55°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
PDZ4.3B,135	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.3V 400MW SOD323	в производстве	4.3V	±2%	400mW	90 Ohms	3µA @ 1V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ4.3B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.3V 400MW SOD323	в производстве	4.3V	±2%	400mW	90 Ohms	3µA @ 1V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ33B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 33V 400MW SOD323	в производстве	33V	±2%	400mW	40 Ohms	50nA @ 25V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
PDZ6.2B,115	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.2V 400MW SOD323	в производстве	6.2V	±2%	400mW	50 Ohms	500nA @ 3V	1.1V @ 100mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323
BZX79-B2V7,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.7V 400MW ALF2	в производстве	2.7V	±2%	400mW	100 Ohms	20µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B2V7,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.7V 400MW ALF2	в производстве	2.7V	±2%	400mW	100 Ohms	20µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B2V7,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 2.7V 400MW ALF2	в производстве	2.7V	±2%	400mW	100 Ohms	20µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B75,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 75V 400MW ALF2	в производстве	75V	±2%	400mW	255 Ohms	50nA @ 52.5V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B51,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 51V 400MW ALF2	в производстве	51V	±2%	400mW	180 Ohms	50nA @ 35.7V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B6V8,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.8V 400MW ALF2	в производстве	6.8V	±2%	400mW	15 Ohms	2µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B6V8,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.8V 400MW ALF2	в производстве	6.8V	±2%	400mW	15 Ohms	2µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B6V8,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 6.8V 400MW ALF2	в производстве	6.8V	±2%	400mW	15 Ohms	2µA @ 4V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B5V6,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±2%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B5V6,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±2%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B5V6,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 5.6V 400MW ALF2	в производстве	5.6V	±2%	400mW	40 Ohms	1µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B9V1,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 400MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	400mW	15 Ohms	500nA @ 6V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B9V1,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 400MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	400mW	15 Ohms	500nA @ 6V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B9V1,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 9.1V 400MW ALF2	в производстве	9.1V	±2%	400mW	15 Ohms	500nA @ 6V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B20,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 20V 400MW ALF2	в производстве	20V	±2%	400mW	55 Ohms	50nA @ 14V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B20,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 20V 400MW ALF2	в производстве	20V	±2%	400mW	55 Ohms	50nA @ 14V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B20,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 20V 400MW ALF2	в производстве	20V	±2%	400mW	55 Ohms	50nA @ 14V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B4V7,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.7V 400MW ALF2	в производстве	4.7V	±2%	400mW	80 Ohms	3µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B4V7,113	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.7V 400MW ALF2	в производстве	4.7V	±2%	400mW	80 Ohms	3µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B4V7,143	Nexperia USA Inc.	DIODE 4.7V 400MW ALF2	в производстве	4.7V	±2%	400mW	80 Ohms	3µA @ 2V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZX79-B13,133	Nexperia USA Inc.	DIODE 13V 400MW ALF2	в производстве	13V	±2%	400mW	30 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 200°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	ALF2
BZT52-B13J	Nexperia USA Inc.	DIODE 13V 590MW SOD123	в производстве	13V	±2.31%	590mW	10 Ohms	100nA @ 8V	900mV @ 10mA	-55°C ~ 150°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный