NXP Semiconductors агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - MRF19085LR5 MRF19085LR3 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MRF19085LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	13dB	26V	-	-	850mA	18W	65V	NI-780	NI-780
MRF19085LR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	устарелый	LDMOS	1.93GHz ~ 1.99GHz	13dB	26V	-	-	850mA	18W	65V	NI-780	NI-780
MRF19045LSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S	устарелый	LDMOS	1.93GHz	14.5dB	26V	-	-	550mA	9.5W	65V	NI-400S	NI-400S-240
MRF19125R3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	1.93GHz	13.5dB	26V	-	-	1.3A	24W	65V	NI-880	NI-880
MRF19045LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	1.93GHz	14.5dB	26V	-	-	550mA	9.5W	65V	NI-400	NI-400-240
MRF19045LR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	1.93GHz	14.5dB	26V	-	-	550mA	9.5W	65V	NI-400	NI-400-240
MRF19030LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S	устарелый	LDMOS	1.96GHz	13dB	26V	-	-	300mA	30W	65V	NI-400S	NI-400S
MRF19090SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-880S	устарелый	LDMOS	1.93GHz	11.5dB	26V	-	-	750mA	90W	65V	NI-880S	NI-880S
MRF21010LR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-360	устарелый	LDMOS	2.17GHz	13.5dB	28V	-	-	100mA	10W	65V	NI-360	NI-360
MRF19125R5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.93GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	1.93GHz	13.5dB	26V	-	-	1.3A	24W	65V	NI-880	NI-880
MRF21085LSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S	устарелый	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	13.6dB	28V	-	-	1A	19W	65V	NI-780S	NI-780S
MRF21045LR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	2.17GHz	15dB	28V	-	-	500mA	10W	65V	NI-400	NI-400-240
MRF21045LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S	устарелый	LDMOS	2.16GHz ~ 2.17GHz	15dB	28V	-	-	500mA	10W	65V	NI-400S	NI-400S
MRF21045LSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-400S	устарелый	LDMOS	2.17GHz	15dB	28V	-	-	500mA	10W	65V	NI-400S	NI-400S
MRF21045LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	2.16GHz ~ 2.17GHz	15dB	28V	-	-	500mA	10W	65V	NI-400	NI-400
MRF21030LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	2.14GHz	13dB	28V	-	-	250mA	30W	65V	NI-400	NI-400
MRF21010LR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-360	устарелый	LDMOS	2.11GHz ~ 2.17GHz	13.5dB	28V	-	-	100mA	10W	65V	NI-360	NI-360
MRF21030LR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.14GHZ NI-400	устарелый	LDMOS	2.14GHz	13dB	28V	-	-	250mA	30W	65V	NI-400	NI-400
MRF21010LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S	устарелый	LDMOS	2.17GHz	13.5dB	28V	-	-	100mA	10W	65V	NI-360S	NI-360 Short Lead
MRF21010LSR1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S	устарелый	LDMOS	2.17GHz	13.5dB	28V	-	-	100mA	10W	65V	NI-360S	NI-360 Short Lead
MRF7S19170HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-880	устарелый	LDMOS	1.99GHz	17.2dB	28V	-	-	1.4A	50W	65V	NI-880	NI-880

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ