NXP Semiconductors агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - A2I20H060NR1 A2I25H060GNR1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
A2I20H060NR1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	1.84GHz	28.9dB	28V	-	-	24mA	12W	65V	TO-270-15 Variant, Flat Leads	TO-270WB-15
A2I25H060GNR1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	2.59GHz	26.1dB	28V	-	-	26mA	10.5W	65V	TO-270-17 Variant, Gull Wing	TO-270WBG-17
A2T21S161W12SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	-	-	-	-	-	38W	28V	NI-780-2S2L	NI-780-2S2L
A2T23H200W23SR6	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.4GHz	15.5dB	28V	10µA	-	500mA	51W	65V	ACP-1230S-4L2S	ACP-1230S-4L2S
A2I25H060NR1	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS AMP	в производстве	LDMOS (Dual)	2.59GHz	26.1dB	28V	-	-	26mA	10.5W	65V	TO-270-17 Variant, Flat Leads	TO-270WB-17
MRF6VP3091NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	устарелый	LDMOS (Dual)	860MHz	22dB	50V	-	-	350mA	18W	115V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MMRF1018NR1	NXP USA Inc.	FET RF 120V 860MHZ	в производстве	LDMOS	860MHz	22dB	50V	-	-	350mA	18W	120V	TO-270-4	TO-270 WB-4
AFT20P140-4WNR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	17.8dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	OM780-4	OM780-4
AFT20P140-4WGNR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ OM780-4GW	устарелый	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	17.8dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	OM-780G-4L	OM-780G-4L
AFT26HW050SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4	устарелый	LDMOS (Dual)	2.69GHz	14.2dB	28V	-	-	100mA	9W	65V	NI-780-4S4	NI-780-4S4
MRFE6S9125NBR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-272-4	в производстве	LDMOS	880MHz	20.2dB	28V	-	-	950mA	27W	66V	TO-272BB	TO-272 WB-4
MRFE6S9125NR1	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ TO-270-4	в производстве	LDMOS	880MHz	20.2dB	28V	-	-	950mA	27W	66V	TO-270AB	TO-270 WB-4
MRF6VP3091NBR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	в производстве	LDMOS (Dual)	860MHz	22dB	50V	-	-	350mA	18W	115V	TO-272-4	TO-272-4
A2T18S261W12NR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	1.805GHz ~ 1.88GHz	18.2dB	28V	10µA	-	1.5A	280W	65V	OM-880X-2L2L	OM-880X-2L2L
A2T18S262W12NR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	1.805GHz ~ 1.88GHz	19.3dB	28V	10µA	-	1.6A	231W	65V	OM-880X-2L2L	OM-880X-2L2L
A2T21S260W12NR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	2.11GHz ~ 2.2GHz	17.9dB	28V	10µA	-	1.6A	218W	65V	OM-880X-2L2L	OM-880X-2L2L
MMRF2007GNR1	NXP USA Inc.	RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1304LR5	NXP USA Inc.	FET RF 133V 512MHZ NI-360	в производстве	LDMOS	512MHz	25.9dB	50V	-	-	10mA	25W	133V	NI-360	NI-360
MRF8S7170NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 748MHZ OM780-2	в производстве	LDMOS	748MHz	19.5dB	28V	-	-	1.2A	50W	70V	OM-780-2	OM-780-2
A2T20H160W04NR3	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 2.025GHz	17dB	28V	10µA	-	400mA	200W	65V	OM780-4	OM780-4
MRFE6VP100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780	в производстве	LDMOS	512MHz	26dB	50V	-	-	100mA	100W	133V	NI-780S-4	NI-780S-4
A2T21H100-25SR3	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS TRANSISTOR CELL	в производстве	N-Channel	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1305HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4	в производстве	LDMOS (Dual)	512MHz	26dB	50V	-	-	100mA	100W	133V	NI-780S-4	NI-780S-4
AFT26H050W26SR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4	устарелый	LDMOS	2.69GHz	14.2dB	28V	-	-	100mA	9W	65V	NI-780S-4L4L-8	NI-780S-4L4L-8
MMRF1318NR1	NXP USA Inc.	FET RF 110V 450MHZ	в производстве	LDMOS	450MHz	22dB	50V	-	-	900mA	300W	110V	TO-270-4	TO-270 WB-4
MRF8S9200NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 940MHZ OM780-2	в производстве	LDMOS	940MHz	19.9dB	28V	-	-	1.4A	58W	70V	OM-780-2	OM-780-2
AFT26P100-4WGSR3	NXP USA Inc.	RF MOSFET 2.6GHZ 100W NI780S-6	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
A2T18S165-12SR3	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS	1.805GHz ~ 1.995GHz	18dB	28V	10µA	-	800mA	148W	65V	NI-780S-2L2L	NI-780S-2L2L
AFT09S200W02GNR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD	в производстве	LDMOS	960MHz	19.2dB	28V	-	-	1.4A	56W	70V	OM-780-2	OM-780-2
AFT09S200W02NR3	NXP USA Inc.	FET RF 70V 960MHZ PLD	в производстве	LDMOS	960MHz	19.2dB	28V	-	-	1.4A	56W	70V	OM-780-2	OM-780-2
AFT09S200W02SR3	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 4W PLD	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MMRF1310HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 133V 230MHZ	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50V	-	-	100mA	300W	133V	NI-780S-4	NI-780S-4
MRFE6VP6300GSR5	NXP USA Inc.	FET RF 50V 600MHZ NI780-4	в производстве	LDMOS	600MHz	25dB	-	-	-	-	300W	50V	NI-780GS-4L	NI-780GS-4L
MRF8P9210NR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 70V 960MHZ OM780-4	в производстве	N-Channel	960MHz	16.8dB	28V	-	-	750mA	63W	70V	NI-780-4	NI-780-4
MRFE6VP6300HR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4	устарелый	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50V	-	-	100mA	300W	130V	NI-780-4	NI-780-4
MRF8S18120HSR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.81GHZ NI-780S	устарелый	LDMOS	1.81GHz	18.2dB	28V	-	-	800mA	72W	65V	NI-780S	NI-780S
MRF6VP3091NR1	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO270-4	в производстве	LDMOS (Dual)	860MHz	22dB	50V	-	-	350mA	18W	115V	TO-270AB	TO-270 WB-4
A2T21S160-12SR3	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS	2.17GHz	18.4dB	28V	-	-	600mA	38W	65V	NI-780S-2L2L	NI-780-2S2L
A2T18H160-24SR3	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	1.81GHz	17.9dB	28V	-	-	400mA	28W	65V	NI-780S-4L2L	NI-780S-4L2L
MRF8P20140WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	16dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	NI-780-4	NI-780-4
MRF8P20140WHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4	в производстве	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	16dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	NI-780S-4	NI-780S-4
MRF8P20140WGHSR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S	в производстве	LDMOS (Dual)	1.88GHz ~ 1.91GHz	16dB	28V	-	-	500mA	24W	65V	NI-780S-4	NI-780S-4
A2T23H160-24SR3	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	2.3GHz	17.7dB	28V	-	-	350mA	28W	65V	NI-780S-4L2L	NI-780S-4L2L
AFT26H160-4S4R3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4	в производстве	LDMOS	2.5GHz	14.9dB	28V	-	-	500mA	32W	65V	NI-880X-4L4S-8	NI-880X-4L4S-8
AFT23H160-25SR3	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	2.3GHz	16.7dB	28V	-	-	450mA	32W	65V	NI-880X-4L4S-8	NI-880X-4L4S-8
A2T09VD250NR1	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	920MHz	22.5dB	48V	-	-	1A	65W	105V	TO-270-6 Variant, Flat Leads	TO-270WB-6A
A3T18H360W23SR6	NXP USA Inc.	1.8GHZ 360W ACP1230S-4L2	в производстве	LDMOS	1.8GHz ~ 1.88GHz	16.6dB	28V	10µA	-	700mA	63W	65V	ACP-1230S-4L2S	ACP-1230S-4L2S
AFT18S230SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6	в производстве	LDMOS	1.88GHz	19dB	28V	-	-	1.8A	50W	65V	NI-780S	NI-780S
AFT21S232SR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-2	в производстве	LDMOS	2.11GHz	16.7dB	28V	-	-	1.5A	50W	65V	NI-780S	NI-780S
MRFE6VP6300HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4	в производстве	LDMOS (Dual)	230MHz	26.5dB	50V	-	-	100mA	300W	130V	NI-780S-4	NI-780S-4

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ