номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип IGBTНапряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Ток - коллектор (Ic) (макс.)Текущий - коллектор импульсный (Icm)Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, IcМощность - макс.Энергия переключенияТип вводаВорота затвораTd (вкл. / Выкл.) При 25 ° CУсловия тестированияВремя обратного восстановления (trr)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
ON Semiconductor IGBT 380V 20A 150W TO263AB устарелый
-
375V20A
-
2.8V @ 5V, 20A150W
-
Logic28.7nC-/15µs300V, 10A, 25 Ohm, 5V
-
-40°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTO-263AB
ON Semiconductor IGBT 1200V 24A 200W TO3P устарелыйNPT1200V24A45A3.2V @ 15V, 15A200W3.27mJ (on), 600µJ (off)Standard120nC90ns/310ns600V, 15A, 20 Ohm, 15V330ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3PN
ON Semiconductor IGBT 600V 14A 60W TO220AB устарелый
-
600V14A56A2.1V @ 15V, 7A60W160µJ (on), 120µJ (off)Standard23nC26ns/130ns480V, 7A, 50 Ohm, 15V37ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3TO-220AB
ON Semiconductor IGBT 600V 80A 195W TO3P устарелый
-
600V80A220A2.6V @ 15V, 40A195W570µJ (on), 590µJ (off)Standard175nC23ns/90ns300V, 40A, 5 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3PN
ON Semiconductor IGBT 600V 27A 104W TO247 устарелый
-
600V27A110A2.1V @ 15V, 12A104W150µJ (on), 250µJ (off)Standard51nC26ns/150ns480V, 12A, 25 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-247-3TO-247-3
ON Semiconductor IGBT 1200V 43A 298W TO247 устарелыйNPT1200V43A80A2.4V @ 15V, 11A298W400µJ (on), 1.3mJ (off)Standard100nC23ns/180ns960V, 11A, 10 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-247-3TO-247
ON Semiconductor IGBT 1200V 40A 310W TO3P устарелыйNPT1200V40A75A3.2V @ 15V, 25A310W4.8mJ (on), 1mJ (off)Standard200nC60ns/170ns600V, 25A, 10 Ohm, 15V350ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 600V 80A 250W TO264 устарелый
-
600V80A150A2.8V @ 15V, 50A250W1.68mJ (on), 1.03mJ (off)Standard145nC26ns/66ns300V, 50A, 5.9 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 900V 60A 180W TO264 устарелыйTrench900V60A120A2.7V @ 15V, 60A180W
-
Standard260nC
-
-
1.5µs-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 900V 60A 180W TO264 устарелыйTrench900V60A120A2.7V @ 15V, 60A180W
-
Standard260nC
-
-
1.5µs-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 600V 80A 195W TO3P устарелый
-
600V80A220A2.6V @ 15V, 40A195W570µJ (on), 590µJ (off)Standard175nC23ns/90ns300V, 40A, 5 Ohm, 15V95ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3PN
ON Semiconductor IGBT 600V 100A 240W TO3P устарелый
-
600V100A150A1.8V @ 15V, 50A240W1.1mJ (on), 3.2mJ (off)Standard167nC54ns/146ns300V, 50A, 5.9 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 1200V 40A 310W TO3P устарелыйNPT1200V40A75A3.2V @ 15V, 25A310W4.8mJ (on), 1mJ (off)Standard200nC60ns/170ns600V, 25A, 10 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 1000V 60A 176W TO264 устарелыйTrench1000V60A120A2.9V @ 15V, 60A176W
-
Standard230nC
-
-
1.5µs-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 1500V 40A 200W TO264 устарелый
-
1500V40A120A4.7V @ 15V, 40A200W
-
Standard140nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 1500V 40A 200W TO264 устарелый
-
1500V40A120A4.7V @ 15V, 40A200W
-
Standard140nC
-
-
300ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 600V 160A 250W TO3PF устарелый
-
600V160A300A2.6V @ 15V, 80A250W2.5mJ (on), 1.76mJ (off)Standard345nC40ns/90ns300V, 80A, 3.9 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-264-3, TO-264AATO-264
ON Semiconductor IGBT 600V 45A 164W TO247 устарелый
-
600V45A300A1.8V @ 15V, 20A164W500µJ (on), 500µJ (off)Standard91nC28ns/151ns480V, 20A, 10 Ohm, 15V55ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-247-3TO-247-3
ON Semiconductor IGBT 300V 120A 290W TO3P устарелый
-
300V120A300A1.4V @ 15V, 25A290W
-
Standard120nC
-
-
21ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 1200V 30A 186W TO3P устарелыйNPT and Trench1200V30A45A2.4V @ 15V, 15A186W3mJ (on), 600µJ (off)Standard120nC15ns/160ns600V, 15A, 10 Ohm, 15V330ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 300V 180A 480W TO3P устарелый
-
300V180A450A1.4V @ 15V, 40A480W
-
Standard185nC
-
-
21ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3PN
ON Semiconductor IGBT 300V 90A 219W TO3P устарелый
-
300V90A220A1.4V @ 15V, 20A219W
-
Standard87nC
-
-
21ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 300V 90A 219W TO3P устарелый
-
300V90A220A1.4V @ 15V, 20A219W
-
Standard87nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3P
ON Semiconductor IGBT 600V 14A 41W TO220F устарелый
-
600V14A21A2.8V @ 15V, 7A41W230µJ (on), 100µJ (off)Standard24nC60ns/60ns300V, 7A, 30 Ohm, 15V65ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 600V 70A 290W TO263AB устарелый
-
600V70A280A2.7V @ 15V, 20A290W105µJ (on), 150µJ (off)Standard142nC15ns/73ns390V, 20A, 3 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTO-263AB
ON Semiconductor IGBT 300V 52W TO220F устарелый
-
300V
-
160A1.5V @ 15V, 20A52W
-
Standard71nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 480V 51A 300W D2PAK устарелый
-
480V51A
-
1.6V @ 4V, 10A300W
-
Logic32nC-/10.8µs300V, 1 kOhm, 5V
-
-40°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTO-263AB
ON Semiconductor IGBT 440V 15A 150W D2PAK устарелый
-
440V15A50A2.9V @ 4V, 25A150W
-
Logic
-
-/4µs300V, 6.5A, 1 kOhm
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 440V 20A 150W D2PAK устарелый
-
440V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A150W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 430V 18A 115W D2PAK устарелый
-
430V18A50A2.5V @ 4V, 15A115W
-
Logic
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 430V 18A 115W D2PAK устарелый
-
430V18A50A2.5V @ 4V, 15A115W
-
Logic
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 390V 20A 150W D2PAK устарелый
-
390V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A150W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 390V 20A 150W D2PAK устарелый
-
390V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A150W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 390V 20A 150W D2PAK устарелый
-
390V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A150W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 устарелый
-
390V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A150W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-
SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 440V 20A 125W DPAK устарелый
-
440V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A125W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63DPAK
ON Semiconductor IGBT 390V 20A 125W DPAK устарелый
-
390V20A50A1.9V @ 4.5V, 20A125W
-
Logic
-
-/5µs300V, 9A, 1 kOhm, 5V
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63DPAK
ON Semiconductor IGBT 300V 46W TO220F устарелый
-
300V
-
80A1.5V @ 15V, 10A46W
-
Standard39nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 300V 56.8W TO220F устарелый
-
300V
-
220A1.55V @ 15V, 30A56.8W
-
Standard93nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 600V 14A 45W TO220F устарелый
-
600V14A21A2V @ 15V, 7A45W270µJ (on), 3.8mJ (off)Standard24nC120ns/410ns300V, 7A, 470 Ohm, 15V65ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 300V 120A 60W TO220F устарелый
-
300V120A180A1.4V @ 15V, 25A60W
-
Standard112nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 300V 46W TO220F устарелый
-
300V
-
80A1.5V @ 15V, 10A46W
-
Standard39nC
-
-
21ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 300V 44.6W TO220F устарелыйTrench300V
-
80A1.5V @ 15V, 10A44.6W
-
Standard65nC22ns/130ns200V, 20A, 20 Ohm, 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK устарелый
-
430V15.5A
-
1.8V @ 4V, 6A166.7W
-
Logic15.1nC-/3.64µs300V, 1 kOhm, 5V
-
-40°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTO-263AB
ON Semiconductor IGBT 400V 7A 29W DPAK устарелый
-
400V7A29A1.6V @ 2.4V, 2.5A29W
-
Logic11nC47ns/650ns300V, 2.5A, 51 Ohm, 4V
-
-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63D-Pak
ON Semiconductor IGBT 300V 49.2W TO220F устарелыйTrench300V
-
160A1.5V @ 15V, 20A49.2W
-
Standard125nC
-
-
21ns-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 300V 49.2W TO220F устарелыйTrench300V
-
160A1.5V @ 15V, 20A49.2W
-
Standard125nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 450V 50.4W TO220F устарелыйTrench450V
-
120A1.6V @ 15V, 20A50.4W
-
Standard73nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-220-3 Full PackTO-220F
ON Semiconductor IGBT 365V 20A 165W D2PAK устарелый
-
365V20A50A2.6V @ 4V, 20A165W
-
Logic
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABD2PAK
ON Semiconductor IGBT 300V 201W TO3P устарелыйTrench300V
-
160A1.5V @ 15V, 20A201W
-
Standard125nC
-
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-3P-3, SC-65-3TO-3PN
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10