номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиКоличество каналовНапряжение - изоляцияКоэффициент передачи в реальном времени (мин.)Коэффициент передачи тока (макс.)Время включения / выключения (Тип)Время нарастания / падения (Тип)Тип вводаТип выходаНапряжение - выход (макс.)Текущий - выход / каналНапряжение - Вперед (Vf) (Тип)Current - DC Forward (If) (Max)Vce Saturation (Макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
QT Brightek (QTB) MINI-FLAT PACKAGE PHOTOTRANSISTO в производстве13750Vrms50% @ 1mA600% @ 1mA
-
6µs, 8µsDCTransistor80V50mA1.24V50mA200mV-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) HALF PITCH MINI-FLAT PACKAGE PHO в производстве13750Vrms50% @ 5mA600% @ 5mA
-
6µs, 8µsDCTransistor80V50mA1.24V50mA200mV-55°C ~ 125°CSMD Поверхностный монтаж4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) HALF PITCH MINI-FLAT PACKAGE PHO в производстве13750Vrms20% @ 1mA300% @ 1mA
-
6µs, 8µsAC, DCTransistor80V50mA1.24V50mA200mV-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) MINI-FLAT PACKAGE PHOTOTRANSISTO в производстве13750Vrms20% @ 1mA300% @ 1mA
-
6µs, 8µsAC, DCTransistor80V50mA1.24V50mA200mV-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE в производстве15000Vrms50% @ 5mA600% @ 5mA4.8µs, 4.2µs2.8µs, 4µsDCTransistor80V50mA1.42V50mA400mV-55°C ~ 125°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) LONG CREEPAGE MINI-FLAT PACKAGE в производстве15000Vrms1000% @ 10mA200% @ 10mA4.8µs, 4.2µs2.8µs, 4µsDCTransistor80V50mA1.42V50mA400mV-55°C ~ 125°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 4 Leads4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) MINI-FLAT PACKAGE PHOTODARLINGTO в производстве13750Vrms600% @ 1mA
-
-
300µs, 250µs (Max)DCDarlington35V80mA1.4V50mA1V-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads4-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) MINI-FLAT PACKAGE 1 MBITS HIGH S в производстве13750Vrms20% @ 16mA50% @ 16mA350ns, 300ns
-
DCTransistor20V8mA1.45V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads5-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) 4 PIN HIGH POWER PHOTOTRANSISTOR в производстве15000Vrms50% @ 5mA600% @ 5mA
-
6µs, 8µsDCTransistor350V100mA1.2V80mA400mV-55°C ~ 100°CThrough Hole4-DIP (0.300", 7.62mm)4-DIP
QT Brightek (QTB) 4 PIN HIGH POWER PHOTODARLINGTON в производстве15000Vrms1000% @ 1mA15000% @ 1mA
-
250µs, 95µs (Max)DCDarlington350V150mA1.2V80mA1.2V-55°C ~ 100°CThrough Hole4-DIP (0.300", 7.62mm)4-DIP
QT Brightek (QTB) MINI-FLAT PACKAGE 1 MBITS HIGH S в производстве13750Vrms20% @ 16mA50% @ 16mA350ns, 300ns
-
DCTransistor20V8mA1.45V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads5-Mini-Flat
QT Brightek (QTB) 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR в производстве15000Vrms19% @ 16mA50% @ 16mA350ns, 350ns
-
DCTransistor with Base20V8mA1.45V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.300", 7.62mm)8-DIP
QT Brightek (QTB) 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR в производстве15000Vrms19% @ 16mA50% @ 16mA350ns, 350ns
-
DCTransistor with Base20V8mA1.45V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.300", 7.62mm)8-DIP
QT Brightek (QTB) 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR в производстве15000Vrms25% @ 16mA60% @ 16mA240ns, 210ns
-
DCTransistor20V8mA1.45V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.300", 7.62mm)8-DIP
QT Brightek (QTB) OPTOCPLR DC-INPUT 1.2V 4DIP в производстве15000Vrms50% @ 5mA600% @ 5mA
-
6µs, 8µsDCTransistor80V50mA1.2V50mA200mV-55°C ~ 100°CThrough Hole4-DIP (0.300", 7.62mm)4-DIP