Taiwan Semiconductor агент по продажам - Оптоизоляторы - транзистор, фотогальванический выход - TPC817S1C RAG TPC817S1D RAG

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Количество каналов	Напряжение - изоляция	Коэффициент передачи в реальном времени (мин.)	Коэффициент передачи тока (макс.)	Время включения / выключения (Тип)	Время нарастания / падения (Тип)	Тип ввода	Тип выхода	Напряжение - выход (макс.)	Текущий - выход / канал	Напряжение - Вперед (Vf) (Тип)	Current - DC Forward (If) (Max)	Vce Saturation (Макс.)	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
TPC817S1C RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC817S1D RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC817S1B RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC817S1A RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC816S1A RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC817C C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP
TPC817B C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP
TPC817A C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP
TPC817D C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP
TPC817MC C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC817MB C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816S1B RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC816S1C RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC816A C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816B C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816D C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816S1D RAG	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4SOP	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	4-SMD	4-SOP
TPC816C C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR 4DIP	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816MA C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816MB C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	130% @ 5mA	260% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816MC C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	200% @ 5mA	400% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC816MD C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	70V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-30°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC817MA C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	80% @ 5mA	160% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP
TPC817MD C9G	Taiwan Semiconductor Corporation	OPTOISO 5KV TRANSISTOR DIP-4M	в производстве	1	5000Vrms	300% @ 5mA	600% @ 5mA	-	4µs, 3µs	DC	Transistor	80V	50mA	1.2V	50mA	200mV	-40°C ~ 100°C	Through Hole	4-DIP (0.400", 10.16mm)	4-DIP

Производители для Оптоизоляторы - транзистор, фотогальванический выход