номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиКоличество каналовНапряжение - изоляцияКоэффициент передачи в реальном времени (мин.)Коэффициент передачи тока (макс.)Время включения / выключения (Тип)Время нарастания / падения (Тип)Тип вводаТип выходаНапряжение - выход (макс.)Текущий - выход / каналНапряжение - Вперед (Vf) (Тип)Current - DC Forward (If) (Max)Vce Saturation (Макс.)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms50% @ 5mA400% @ 5mA
-
5µs, 7µsDCTransistor70V30mA1.2V30mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
-
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms80% @ 5mA600% @ 5mA
-
3µs, 5µsAC, DCTransistor80V50mA1.1V50mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
-
Renesas Electronics America OPTOISO 5KV TRANSISTOR W/BASE 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor with Base35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
4µs, 5µsAC, DCTransistor40V40mA1.15V50mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
4µs, 5µsDCTransistor40V40mA1.15V50mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 6SOIC в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
300ns, 330ns
-
DCTransistor35V8mA1.6V25mA
-
-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)6-SDIP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 6SOIC в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
300ns, 330ns
-
DCTransistor35V8mA1.6V25mA
-
-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)6-SDIP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8DIP в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.300", 7.62mm)8-DIP
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SSOP в производстве42500Vrms100% @ 5mA400% @ 5mA10µs, 7µs5µs, 7µsDCTransistor80V30mA1.2V30mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 3.75KV DARL 4SMD в производстве13750Vrms200% @ 1mA
-
-
200µs, 200µsAC, DCDarlington40V200mA1.1V50mA1V-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж4-SMD, Gull Wing4-SOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 3.75KV TRANSISTOR 6SO в производстве13750Vrms20% @ 16mA35% @ 16mA500ns, 600ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads5-SOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 3.75KV TRANSISTOR 6SO в производстве13750Vrms20% @ 16mA35% @ 16mA500ns, 600ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 5 Leads5-SOP
Renesas Electronics America OPTOISO 5KV TRANSISTOR W/BASE 8DIP в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor with Base35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.400", 10.16mm)8-DIP
Renesas Electronics America OPTOISO 5KV TRANSISTOR W/BASE 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor with Base35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8DIP в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CThrough Hole8-DIP (0.400", 10.16mm)8-DIP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 2CH TRANSISTOR 8SOIC в производстве22500Vrms15% @ 16mA45% @ 16mA300ns, 600ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISOLTR 2.5KV 4CH DARL 16SOIC в производстве42500Vrms400% @ 1mA4500% @ 1mA
-
20µs, 5µsDCDarlington350V60mA1.2V50mA1V-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 2CH TRANSISTOR 8SOIC в производстве22500Vrms15% @ 16mA45% @ 16mA300ns, 600ns
-
DCTransistor35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISO 1.5KV 4CH TRANSISTOR 12BSOP в производстве41500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
20µs, 110µsDCTransistor70V20mA1.1V20mA300mV-40°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж12-BSOP (0.173", 4.40mm Width)12-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISO 1.5KV 4CH TRANSISTOR 12BSOP в производстве41500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
20µs, 110µsDCTransistor70V20mA1.1V20mA300mV-40°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж12-BSOP (0.173", 4.40mm Width)12-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
4µs, 5µsAC, DCTransistor40V40mA1.15V50mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 6SOIC в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
300ns, 330ns
-
DCTransistor35V8mA1.6V25mA
-
-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)6-SDIP
Renesas Electronics America OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 6-SOP в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
300ns, 330ns
-
DCTransistor35V8mA1.6V25mA
-
-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)6-SDIP
Renesas Electronics America OPTOISO 1.5KV 4CH TRANSISTOR 12BSOP в производстве41500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
20µs, 110µsAC, DCTransistor70V20mA1.1V20mA300mV-40°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж12-SOP (0.173", 4.40mm Width)
-
Renesas Electronics America OPTOISO 2.5KV 4CH TRANSISTOR 16SOIC в производстве42500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
4µs, 5µsDCTransistor40V40mA1.15V50mA300mV-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)16-SSOP
Renesas Electronics America OPTOISOLATOR 5KV TRANSISTOR 6SOIC в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
300ns, 330ns
-
DCTransistor35V8mA1.6V25mA
-
-55°C ~ 110°CSMD Поверхностный монтаж6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)6-SDIP
Renesas Electronics America OPTOISO 5KV TRANSISTOR W/BASE 8SMD в производстве15000Vrms15% @ 16mA
-
220ns, 350ns
-
DCTransistor with Base35V8mA1.7V25mA
-
-55°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж8-SMD, Gull Wing8-SMD
Renesas Electronics America OPTOISO 1.5KV 4CH TRANSISTOR 12BSOP в производстве41500Vrms100% @ 1mA400% @ 1mA
-
20µs, 110µsAC, DCTransistor70V20mA1.1V20mA300mV-40°C ~ 100°CSMD Поверхностный монтаж12-SOP (0.173", 4.40mm Width)
-
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8