1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

Diodes Incorporated
Infineon Technologies
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораТок - коллектор (Ic) (макс.)Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Resistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceVce Saturation (Макс.) @ Ib, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Частота - переходМощность - макс.Тип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
RN1104,LF(CT
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 100MA SSM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SSM
DTA143EUBHZGTL
 Rohm Semiconductor PNP DIGITAL TRANSISTOR WITH BUI в производствеPNP - Pre-Biased100mA
-
4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA
-
250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-85UMT3F
FJV3101RMTF
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
DTA143XCAT116
 Rohm Semiconductor PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTA144ECAT116
 Rohm Semiconductor PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DDTC123YCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms33 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DTA114YM3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 260MW SOT723 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
260mWSMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
DTC114TCA-TP
 Micro Commercial Co TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 1mA, 10mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
DTC113ZCAT116
 Rohm Semiconductor NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTC114YCAT116
 Rohm Semiconductor NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
ADTA143XUAQ-7
 Diodes Incorporated PREBIASTRANSISTORSOT323 в производствеPNP - Pre-Biased100mA
-
4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA
-
250MHz330mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
DDTC143FUA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms22 kOhms68 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
DTA114EM3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 260MW SOT723 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
260mWSMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
DTC123EM3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 260MW SOT723 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms2.2 kOhms8 @ 5mA, 10V250mV @ 5mA, 10mA500nA
-
260mWSMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
DTC144EM3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 260MW SOT723 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
260mWSMD Поверхностный монтажSOT-723SOT-723
DTB114GCT116
 Rohm Semiconductor PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V
-
10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA (ICBO)200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTB113ECT116
 Rohm Semiconductor PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V1 kOhms1 kOhms33 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTB123YCT116
 Rohm Semiconductor PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V2.2 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DDTD133HC-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V3.3 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
NSBC114EF3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 254MW SOT1123 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
254mWSMD Поверхностный монтажSOT-1123SOT-1123
DTD123ECT116
 Rohm Semiconductor NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V2.2 kOhms2.2 kOhms39 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTD114ECT116
 Rohm Semiconductor NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V10 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
DTD123YCT116
 Rohm Semiconductor NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V2.2 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SST3
PBRP123YT,215
 Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW TO236AB в производствеPNP - Pre-Biased600mA40V2.2 kOhms10 kOhms230 @ 300mA, 5V750mV @ 6mA, 600mA500nA
-
250mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
PBRP123ET,215
 Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS PNP 250MW TO236AB в производствеPNP - Pre-Biased600mA40V2.2 kOhms2.2 kOhms180 @ 300mA, 5V750mV @ 6mA, 600mA500nA
-
250mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
DDTB113EU-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT323 в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V1 kOhms1 kOhms33 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
NSBC114YF3T5G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 254MW SOT1123 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
254mWSMD Поверхностный монтажSOT-1123SOT-1123
DDTC143XE-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW SOT523 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
DDTC144EE-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW SOT523 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-523SOT-523
NSVDTC143ZET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR NPN 50V BIPOLAR SC75-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
SMUN2213T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SMUN5212T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
SMUN5114T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 202MW SC70-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
SMUN5235T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
SMUN5111T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 202MW SC70-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
NSVMUN2212T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59-3
SMUN2111T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 230MW SC59 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SMUN2216T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
160 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SMUN5112T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 202MW SC70-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
SMUN2211T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SMUN2214T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 230MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
SMUN5133T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 202MW SC70-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
SDTA114YET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SC75-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
SDTC114EET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SC75-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
SMUN2113T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 230MW SC59 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
230mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
NSVMMUN2235LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SMMUN2113LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.246W SOT23 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
NSVMMUN2133LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.246W SOT23 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SMMUN2216LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.246W SOT23 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms
-
160 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
NSVMMUN2212LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.246W SOT23 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
  1. 3
  2. 4
  3. 5
  4. 6
  5. 7
  6. 8
  7. 9
  8. 10
  9. 11
  10. 12
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены