1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

Diodes Incorporated
Infineon Technologies
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораТок - коллектор (Ic) (макс.)Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Resistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceVce Saturation (Макс.) @ Ib, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Частота - переходМощность - макс.Тип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
DTA113TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V1 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC125TUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V200 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 50µA, 500µA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC114TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 1mA, 10mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA124XKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased50mA50V22 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA143ZUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW UMT3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC124EUBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms56 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-85UMT3F
DTA114TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 1mA, 10mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA123JKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC143TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V150mV @ 250µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA123EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms2.2 kOhms20 @ 20mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA123YKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms33 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA143EUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW UMT3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTA143XUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW UMT3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTA143ZKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC114WKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms4.7 kOhms24 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC114WUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms4.7 kOhms24 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC123YKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms33 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC123YUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms33 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC124XUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased50mA50V22 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC143XUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTC144TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 500µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC123JUBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-85UMT3F
DTA143XUBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW UMT3F устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-85UMT3F
RN1107,LF(CT
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SSM
RN1103,LF(CT
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W SSM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms70 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SSM
RN2101,LF(CT
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W SSM в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA200MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SSM
RN1102,LF(CT
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms50 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SSM
BCR148E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)100MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR142E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)150MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR198E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)190MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR158E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms70 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR183E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 устарелыйPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
RN1316,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.1W USM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms50 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
RN1102MFV,L3F
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms50 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 5mA500nA
-
150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VESM
RN1406,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W S-MINI в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3S-Mini
DTC114EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTA144EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 150MW EMT3F устарелыйPNP - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC114YEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased70mA50V10 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC123JEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3F устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC013ZMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.15W VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V1 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DDTC144TCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 250µA, 2.5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTA123JCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC144VCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms10 kOhms33 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTA123TCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 500µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTA144WCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V47 kOhms22 kOhms56 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC114WCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms4.7 kOhms24 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC123TCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 500µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DDTC143FCA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms22 kOhms68 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DTC043ZMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 100MA VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DDTC123YUA-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT323 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms33 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены