Alliance Memory, Inc. агент по продажам - Память - AS4C512M8D3LB-12BAN MT48LC64M8A2TG-75:C - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
AS4C512M8D3LB-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x9)
MT48LC64M8A2TG-75:C	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (64M x 8)	133MHz	15ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS7C325632-10BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	8Mb (1M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	90-VFBGA	90-TFBGA (8x13)
AS6C6416-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	64Mb (4M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
MT46V32M16TG-5B IT:JTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	512Mb (32M x 16)	200MHz	15ns	700ps	Parallel	2.5 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS4C2M32S-6TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mb (2M x 32)	166MHz	2ns	5.5ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)	86-TSOP II
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb (16M x 16)	167MHz	14ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-LFBGA	54-VFBGA (8x8)
AS4C128M8D3LA-12BCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	1Gb (128M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x8)
AS4C128M8D3A-12BIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	1Gb (128M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	-40°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x8)
AS4C128M8D3LA-12BIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	1Gb (128M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	-40°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x8)
AS4C64M16D2-25BIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR2	1Gb (64M x 16)	400MHz	15ns	400ps	Parallel	1.7 V ~ 1.9 V	-40°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	84-TFBGA	84-FBGA (8x12.5)
AS4C64M16D2-25BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR2	1Gb (64M x 16)	400MHz	15ns	400ps	Parallel	1.7 V ~ 1.9 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	84-TFBGA	84-FBGA (8x12.5)
AS4C64M16D3-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	1Gb (64M x 16)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-FBGA	96-FBGA (13x9)
AS4C128M16D3LA-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	2Gb (128M x 16)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-VFBGA	96-FBGA (13x8)
AS4C512M8D3L-12BCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-TFBGA	78-FBGA (9x10.5)
AS6C1616A-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (1M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFBGA	48-TFBGA (6x8)
AS4C512M8D3LA-12BCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x9)
AS4C512M8D3A-12BCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x9)
AS4C512M8D3A-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-VFBGA	78-FBGA (10.5x9)
AS4C256M16D3A-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA	устарелый	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	4Gb (256M x 16)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-VFBGA	96-FBGA (13x8)
AS4C32M16SB-7TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (32M x 16)	143MHz	14ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (64M x 8)	133MHz	15ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (64M x 8)	133MHz	15ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS6C6264-55SCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	64Kb (8K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
AS6C62256-55SIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
AS4C4M16SA-6TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mb (4M x 16)	166MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS6C1008-55TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	32-TSOP I
AS6C62256-55PCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP (0.600", 15.24mm)	28-PDIP
AS6C62256A-70SCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
AS4C16M16SA-6BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	256Mb (16M x 16)	166MHz	12ns	5ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 105°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TFBGA	54-TFBGA (8x8)
AS4C256M16D3B-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3	4Gb (256M x 16)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.425 V ~ 1.575 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-TFBGA	96-FBGA (13.5x9)
AS7C3256A-12JCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	12ns	12ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)	28-SOJ
AS7C256A-10JCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)	28-SOJ
AS7C256A-12JCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	12ns	12ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)	28-SOJ
AS6C62256-55SCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
AS4C1M16S-6TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	16Mb (1M x 16)	166MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	50-TSOP II
AS6C6264-55SIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	64Kb (8K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
AS7C256A-10TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP I
AS4C4M16SA-6TCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	64Mb (4M x 16)	166MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:L	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb (8M x 16)	167MHz	12ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS6C1008-55STIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)	32-sTSOP I
AS6C1016-55ZIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	1Mb (64K x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS4C64M8D1-5TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	512Mb (64M x 8)	200MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS7C34096A-12JCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	4Mb (512K x 8)	-	12ns	12ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)	36-SOJ
AS4C64M16D1A-6TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (64M x 16)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS7C3256A-10JCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)	28-SOJ
AS7C256A-12TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	12ns	12ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP I
AS7C3256A-12TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	256Kb (32K x 8)	-	12ns	12ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP I
AS7C1026B-12TCN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	1Mb (64K x 16)	-	12ns	12ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	128Mb (4M x 32)	166MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)	86-TSOP II

Производители для Память