GigaDevice агент по продажам - Память - GD25D05CTIGR GD25D10CTIGR

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
GD25D05CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	512Kb (64K x 8)	100MHz	50µs, 4ms	-	SPI - Dual I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25D10CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	1Mb (128K x 8)	100MHz	50µs, 4ms	-	SPI - Dual I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25D05CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	512Kb (64K x 8)	100MHz	50µs, 4ms	-	SPI - Dual I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25Q20CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	2Mb (256K x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25D10CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	1Mb (128K x 8)	100MHz	50µs, 4ms	-	SPI - Dual I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25Q40CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	4Mb (512K x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q40CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	4Mb (512K x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25Q20CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	2Mb (256K x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25Q80CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25Q80CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q40CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	4Mb (512K x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25Q16CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25Q16CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q80CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25LQ80CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25LQ40CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	4Mb (512K x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25LQ16CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q32CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25Q32CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25LQ32DSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q64CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25LQ64CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q127CSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	104MHz	12µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q256DFIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	256Mb (32M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
GD25Q16CNIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-UDFN Exposed Pad	8-USON (4x3)
GD25Q16CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25LQ80CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25LQ16CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25Q32CNIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-UDFN Exposed Pad	8-USON (4x3)
GD25Q32CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25LQ32DWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25Q256DYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	256Mb (32M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (6x8)
GD25LQ256DWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	256Mb (32M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25LQ256DYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	256Mb (32M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (6x8)
GD25Q64CFIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
GD25Q64CFIG	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
GD25Q127CFIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	104MHz	12µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
GD25WD20CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	2Mb (256K x 8)	-	-	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25WD40CTIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	4Mb (512K x 8)	-	-	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
GD25WD80CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	8Mb (1M x 8)	-	-	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25VE16CEIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	104MHz	-	-	SPI - Quad I/O	2.1 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFDFN Exposed Pad	8-USON (2x3)
GD25LQ16CNIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	16Mb (2M x 8)	104MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2.1 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-UDFN Exposed Pad	8-USON (4x3)
GD25LQ32DNIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	32Mb (4M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-UDFN Exposed Pad	8-USON (4x3)
GD25Q64CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25LQ64CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25Q64CSJGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	64Mb (8M x 8)	120MHz	50µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 105°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25Q127CWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	104MHz	12µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)
GD25Q127CYIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	104MHz	12µs, 2.4ms	-	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (6x8)
GD25LQ128DSIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)	8-SOP
GD25LQ128DWIGR	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited	NOR FLASH	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NOR	128Mb (16M x 8)	120MHz	2.4ms	-	SPI - Quad I/O	1.65 V ~ 2 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (5x6)

Производители для Память