Everspin Technologies, Inc. агент по продажам - Память - MR0A08BSO35 MR256A08BSO35

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MR0A08BSO35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR256A08BSO35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR0A08BSO35R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR0A08BCSO35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR0A08BCSO35R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR256A08BCSO35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR256A08BCSO35R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR20H40DF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	50MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR20H40DFR	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	50MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR256A08BSO35R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 32SOIC	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	32-SOIC
MR25H256CDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR25H256CDC	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-TDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR25H10CDC	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
MR25H10MDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 125°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR0A08BYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR0A16AYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (64K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR25H40CDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	40MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR2A16AYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR2A16ACYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR2A16ACMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR2A08ACMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR2A08ACYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR2A16AVMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 105°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR2A16AVYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 105°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR4A16BYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (1M x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP2
MR4A16BMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (1M x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (10x10)
MR4A16BCYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (1M x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP2
MR4A08BCYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (2M x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR4A16BCMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (1M x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR4A08BCMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (2M x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (10x10)
MR256A08BYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR256A08BCMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR0A16ACYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (64K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR2A16AMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (256K x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR4A08BMA35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (2M x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (10x10)
MR25H256ACDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR25H256AMDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 125°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR0D08BMA45R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	-	45ns	45ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR4A16BCYS35R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (1M x 16)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP2
MR2A08AYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR4A08BYS35	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 16M PARALLEL 44TSOP2	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	16Mb (2M x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
MR256D08BMA45	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	45ns	45ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)
MR25H10CDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR25H10MDC	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	1Mb (128K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 125°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-TDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
MR20H40CDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 50MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	50MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR25H40CDC	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	40MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Large Flag (5x6)
MR25H40MDF	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 4M SPI 40MHZ 8DFN	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	4Mb (512K x 8)	40MHz	-	-	SPI	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 125°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
MR25H256MDC	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 125°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-TDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR25H256CDFR	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN	устарелый	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	40MHz	-	-	SPI	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (5x6)
MR256D08BMA45R	Everspin Technologies Inc.	IC RAM 256K PARALLEL 48FBGA	в производстве	Non-Volatile	RAM	MRAM (Magnetoresistive RAM)	256Kb (32K x 8)	-	45ns	45ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-FBGA (8x8)

Производители для Память