Maxim Integrated агент по продажам - Память - DS1249Y-85# DS3065WP-100IND+

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
DS1249Y-85#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (256K x 8)	-	85ns	85ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	32-DIP Module (0.600", 15.24mm)	32-EDIP
DS3065WP-100IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 8M PARALLEL 34PWRCAP	Discontinued at -	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	8Mb (1M x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	34-PowerCap™ Module	34-PowerCap Module
DS2431GA+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-WDFN	2-SFN (3.5mmx6.5mm)
DS1245X-70+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS1245X-70IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS1245XP-70+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS1245XP-70IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS2431X+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6UCSPR	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WFBGA, CSPBGA	6-UCSPR (1.68x1.68)
DS24B33Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	2.8 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS2502X1#U	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	устарелый	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	4-UFBGA, WLBGA	4-WLP (1.62x0.93)
DS28E05R+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 896 1WIRE SOT23-3	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	896b (112 x 8)	-	-	2µs	1-Wire®	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
DS28E15Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 512 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512b (512 x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS28E22Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (2K x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS28E25Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (4K x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS28E25G+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (4K x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-SFN	2-SFN (6x6)
DS28EL22Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (256 x 8)	-	-	2µs	1-Wire®	1.71 V ~ 1.89 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS28EL25Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	1.71 V ~ 1.89 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS2502X1+	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	в производстве	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	4-UFBGA, WLBGA	4-WLP (1.62x0.93)
DS1220Y-100+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS1220Y-150+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	150ns	150ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS2431GB+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-XDFN	2-SFN (3.5x5)
DS2502X1+U	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	в производстве	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	4-UFBGA, WLBGA	4-WLP (1.62x0.93)
DS28E01P-100+	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	2.85 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)	6-TSOC
DS28E05GB+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 896 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	896b (112 x 8)	-	-	2µs	1-Wire®	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-XDFN	2-SFN (3.5x5)
DS28E07Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	3 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN (3x3)
DS28E15G+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512b (512 x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-WDFN	2-SFN (3.5mmx6.5mm)
DS28E80Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (2K x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS28EL15GA+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 512 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512b (256 x 2)	-	-	2µs	1-Wire®	1.71 V ~ 1.89 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-XDFN	2-SFN (3.5x5)
DS28E01P-100+T	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	2.85 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)	6-TSOC
DS28E81+	Maxim Integrated	RADIATION RESISTANT	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28E81+T	Maxim Integrated	RADIATION RESISTANT	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28E81P+	Maxim Integrated	RADIATION RESISTANT	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28E81P+T	Maxim Integrated	RADIATION RESISTANT	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28EL35QA-742+2BW	Maxim Integrated	SECURE AUTHENTICATOR TDFN	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28EL35QA-742+2TW	Maxim Integrated	SECURE AUTHENTICATOR TDFN	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS28E01G-100+T&R	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 2SFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	2.85 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-SFN	2-SFN (6x6)
DS2502AX-500+T	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	в производстве	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
DS2502AX-500-00/T&R/	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	устарелый	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
DS2430A-002-E1	Maxim Integrated	IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256b (32 x 8)	-	-	-	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
DSQ09G5-004-740	Maxim Integrated	IC MEMORY	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
DS2430A-002-E1+	Maxim Integrated	IC EEPROM 256 1WIRE TO92-3	Preliminary	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256b (32 x 8)	-	-	-	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
DS1220Y-120+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24DIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	120ns	120ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-DIP
DS2431P+W	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6TSOC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
DS2431X-S+TW	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6UCSPR	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WFBGA, CSPBGA	6-UCSPR (1.68x1.68)
DS2432X-S+TW	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 8UCSP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (1K x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-XFBGA	8-UCSP (3x3)
DS2433AX-S+TW	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6FLIPCHIP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
DS2502X1+UW	Maxim Integrated	IC EPROM 1K 1WIRE 4WLP	устарелый	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	1Kb (1K x 1)	-	-	15µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	4-UFBGA, WLBGA	4-WLP (1.62x0.93)
DS28E07+W	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	3 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
DS28E10P-W22+2TW	Maxim Integrated	IC EPROM 224 1WIRE 6TSOC	устарелый	Non-Volatile	EPROM	EPROM - OTP	224b (28 x 8)	-	-	-	1-Wire®	2.8 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)	6-TSOC
DS28E15X+UW	Maxim Integrated	IC EEPROM 512 1WIRE	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512b (512 x 1)	-	-	2µs	1-Wire®	2.97 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-

Производители для Память