Intersil (Renesas Electronics America) агент по продажам - Память - X28HC256JI-90R5697 X28HC256JIZ-12

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
X28HC256JI-90R5697	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	32-LCC (J-Lead)	32-PLCC
X28HC256JIZ-12	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	120ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JIZ-15	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	150ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JIZ-12T1	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	120ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256WC6721	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256KBIT	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	-	-	-	-	-	-	-	-
X28HC256JIZ-90	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	Preliminary	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JIZ-90T1	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	Preliminary	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JI-90T1R5699	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JI-90R5420	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC256JI-90R5699	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	-	-	-
X28HC64JIZ-90	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb (8K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-LCC (J-Lead)	32-PLCC (11.43x13.97)
X20C04P-15	Renesas Electronics America Inc.	IC NVSRAM 4K PARALLEL 28DIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	4Kb (512 x 8)	-	150ns	150ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP (0.600", 15.24mm)	28-PDIP
X20C16SI-35	Renesas Electronics America Inc.	IC NVSRAM 16K PARALLEL 28SOIC	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	35ns	35ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	28-SOIC
X24C44P	Renesas Electronics America Inc.	IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8DIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256b (16 x 16)	1MHz	-	-	SPI	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	8-DIP (0.300", 7.62mm)	8-PDIP
X24C44S	Renesas Electronics America Inc.	IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8SOIC	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256b (16 x 16)	1MHz	-	-	SPI	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
X24C44SI	Renesas Electronics America Inc.	IC NVSRAM 256 SPI 1MHZ 8SOIC	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256b (16 x 16)	1MHz	-	-	SPI	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
X28HC256J-90	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 256K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-LCC (J-Lead)	32-PLCC (11.43x13.97)
X28HC64D-90	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 64K PARALLEL 28CERDIP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb (8K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-CDIP (0.600", 15.24mm)	28-CerDip
X28HC64J-90	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb (8K x 8)	-	5ms	90ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-LCC (J-Lead)	32-PLCC (11.43x13.97)
X28HC64P-12	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb (8K x 8)	-	5ms	120ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	28-DIP (0.600", 15.24mm)	28-PDIP
X28C512JIZ-12	Renesas Electronics America Inc.	IC EEPROM 512K PARALLEL 32PLCC	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512Kb (64K x 8)	-	10ms	120ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-LCC (J-Lead)	32-PLCC (11.43x13.97)

Производители для Память