Toshiba Memory America, Inc. агент по продажам - Память - TC58NVG1S3ETA00 TC58NVG1S3ETAI0

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
TC58NVG1S3ETA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG1S3ETAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG2S0FTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG3S0FTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	8Gb (1G x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TH58NVG4S0FTA20	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	16Gb (2G x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
THGBMDG5D1LBAIT	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	32Gb (4G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11x10)
THGBMHG6C1LBAIL	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	64Gb (8G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG7C1LBAIL	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 128G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	128Gb (16G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG8C2LBAIL	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 256G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	256Gb (32G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG9C4LBAIR	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 512G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	512Gb (64G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG6C1LBAWL	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	64Gb (8G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG7C2LBAWR	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 128G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	128Gb (16G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG8C4LBAWR	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 256G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	256Gb (32G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
THGBMHG9C8LBAWG	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 512G MMC 153WFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	512Gb (64G x 8)	52MHz	-	-	MMC	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	153-WFBGA	153-WFBGA (11.5x13)
TC58CVG0S3HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	104MHz	-	155µs	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
TC58CYG0S3HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	104MHz	-	155µs	SPI	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
TC58CVG2S0HQAIE	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	104MHz	-	280µs	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	16-SOP
TC58NYG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BYG2S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BVG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	63-VFBGA	63-TFBGA (9x11)
TC58NVG1S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	63-VFBGA	63-TFBGA (9x11)
TC58NVG2S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TH58NVG2S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
THGAF8G9T43BAIR	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 512G UFS 153VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	512Gb (64G x 8)	-	-	-	UFS	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)
THGAF8T1T83BAIR	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2T UFS 153VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	2Tb (256G x 8)	-	-	-	UFS	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)
THGAF8T0T43BAIR	Toshiba Memory America, Inc.	128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND	1Tb (128G x 8)	-	-	-	UFS	2.7 V ~ 3.6 V	-25°C ~ 85°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	153-VFBGA	153-VFBGA (11.5x13)
TC58BVG0S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	63-VFBGA	63-TFBGA (9x11)
TC58NVG0S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58BVG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BVG0S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58BYG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58NVG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58NVG0S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NYG0S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BVG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BVG1S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58BYG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58NVG1S3HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58NVG1S3HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58BVG1S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG1S3HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	2Gb (256M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58CVG0S3HRAIG	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	1Gb (128M x 8)	104MHz	-	155µs	SPI - Quad I/O	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-WDFN Exposed Pad	8-WSON (6x8)
TC58NYG2S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	1.7 V ~ 1.95 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	67-VFBGA	67-VFBGA (6.5x8)
TC58BVG2S0HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG2S0HTA00	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58BVG2S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	63-VFBGA	63-TFBGA (9x11)
TC58BVG2S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
TC58NVG2S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA	в производстве	Non-Volatile	FLASH	FLASH - NAND (SLC)	4Gb (512M x 8)	-	25ns	25ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	63-VFBGA	63-TFBGA (9x11)

Производители для Память