Alliance Memory, Inc. агент по продажам - Память - AS4C256M8D2-25BIN AS4C32M16SA-7BCN - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
AS4C256M8D2-25BIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR2	2Gb (256M x 8)	400MHz	15ns	57.5ns	Parallel	1.7 V ~ 1.9 V	-40°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	60-TFBGA	60-FBGA (8x10)
AS4C32M16SA-7BCN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (32M x 16)	143MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TFBGA	54-FBGA (8x8)
AS4C32M16SB-6TIN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (32M x 16)	166MHz	12ns	5ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS4C32M16SA-7TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (32M x 16)	143MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS8C161831-QC166N	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Synchronous	18Mb (1M x 18)	166MHz	6ns	3.5ns	Parallel	2.3 V ~ 2.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	100-LQFP	100-TQFP (14x20)
AS8C163631-QC166N	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Synchronous	18Mb (512K x 36)	166MHz	6ns	3.5ns	Parallel	2.3 V ~ 2.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	100-LQFP	100-TQFP (14x20)
AS4C32M16SA-7BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM	512Mb (32M x 16)	143MHz	2ns	5.4ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TFBGA	54-FBGA (8x8)
AS4C512M8D3L-12BAN	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA	Discontinued at -	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	4Gb (512M x 8)	800MHz	15ns	20ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	-40°C ~ 105°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-TFBGA	78-FBGA (9x10.5)
AS7C325632-10BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	8Mb (1M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	90-VFBGA	90-TFBGA (8x13)
AS4C64M16D1A-6TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (64M x 16)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS6C3216-55BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	32Mb (2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
AS6C3216A-55BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
AS7C351232-10BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 90TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (512K x 32)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	90-VFBGA	90-TFBGA (8x13)
AS4C1G8MD3L-12BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb (1G x 8)	800MHz	-	13.75ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	78-TFBGA	78-FBGA (9x13.2)
AS7C316096A-10TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
AS7C316098A-10TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (1M x 16)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
AS7C316096B-10TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS7C316096C-10TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS7C316098B-10TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (1M x 16)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS6C3216A-55TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	32Mb (2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
AS7C316096B-10BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (6x8)
AS7C316098A-10BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (1M x 16)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (6x8)
AS7C316096C-10BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (6x8)
AS4C64M16D1-6TCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (64M x 16)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (64M x 16)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS6C3216-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	32Mb (2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
AS7C316096C-10BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (6x8)
AS7C316096A-10TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
AS7C316096B-10TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS7C316096C-10TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (2M x 8)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
AS7C316098B-10TIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (1M x 16)	-	10ns	10ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	54-TSOP II
AS6C3216A-55BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
AS7C351232-10BIN	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 16M PARALLEL 90TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	16Mb (512K x 32)	-	10ns	10ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	90-VFBGA	90-TFBGA (8x13)
AS4C512M16D3L-12BCNTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb (512M x 16)	800MHz	15ns	13.75ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	0°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-TFBGA	96-FBGA (14x9)
AS6C6416-55TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP I	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM - Asynchronous	64Mb (4M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
AS4C64M16D1-6TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (64M x 16)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
AS6C6416-55BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	64Mb (4M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-LFBGA	48-TFBGA (8x10)
AS4C512M16D3L-12BINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR3L	8Gb (512M x 16)	800MHz	15ns	13.75ns	Parallel	1.283 V ~ 1.45 V	-40°C ~ 95°C (TC)	SMD Поверхностный монтаж	96-TFBGA	96-FBGA (14x9)
AS4C128M8D1-6TINTR	Alliance Memory, Inc.	IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II	в производстве	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	1Gb (128M x 8)	166MHz	15ns	700ps	Parallel	2.3 V ~ 2.7 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II

Производители для Память