номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораНапряжение - пробой (V (BR) GSS)Слив к источнику напряжения (Vdss)Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)Текущий слив (Id) - Макс.Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ IdВходная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsСопротивление - RDS (Вкл.)Мощность - макс.Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Microsemi Corporation JFET N-CH 30V 360MW TO-18 в производствеN-Channel30V30V175mA @ 15V
-
10V @ 500pA18pF @ 10V (VGS)25 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 360MW TO-18 в производствеN-Channel40V40V30mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V30 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 360MW TO-18 в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 0.36W SMD в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW
-
SMD Поверхностный монтаж4-SMD, No Lead4-SMD
Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 0.36W SMD в производствеN-Channel40V40V8mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V80 Ohms360mW
-
SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No LeadUB
Microsemi Corporation JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD в производствеN-Channel35V35V15mA @ 15V
-
6V @ 1nA4pF @ 15V
-
300mW
-
SMD Поверхностный монтаж4-SMD, No Lead4-SMD
Microsemi Corporation JFETS в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 5V10mA750mV @ 1A10pF @ 5V
-
300mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18 (TO-206AA)
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V
-
50mA @ 20V
-
4V @ 1nA14pF @ 20V30 Ohms1.8W
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel50V50V2.5mA @ 15V
-
4V @ 0.5nA6pF @ 15V
-
300mW-55°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AF, TO-72-4 Metal CanTO-72
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel30V30V20mA @ 15V
-
8V @ 500pA6pF @ 15V
-
300mW-55°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AF, TO-72-4 Metal CanTO-72
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V40V30mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V30 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation P CHANNEL JFET в производствеP-Channel30V30V90mA @ 18V
-
10V @ 1nA25pF @ 15V75 Ohms500mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18 (TO-206AA)
Microsemi Corporation P CHANNEL JFET в производствеP-Channel30V30V60mA @ 15V
-
6V @ 1nA25pF @ 15V100 Ohms500mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18 (TO-206AA)
Microsemi Corporation JFET N-CHAN 40V 3SMD в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No Lead3-UB (3.09x2.45)
Microsemi Corporation JFET N-CHAN 40V 3SMD в производствеN-Channel40V40V8mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V80 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No Lead3-UB (3.09x2.45)
Microsemi Corporation JFET N-CHAN 40V 3SMD в производствеN-Channel40V40V30mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V30 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No Lead3-UB (3.09x2.45)
Microsemi Corporation P CHANNEL JFET в производствеP-Channel30V30V60mA @ 15V
-
6V @ 1nA25pF @ 15V100 Ohms500mW-65°C ~ 200°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No LeadUB
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V40V175mA @ 15V
-
10V @ 500pA18pF @ 10V25 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V40V100mA @ 15V
-
6V @ 500pA18pF @ 10V40 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel40V40V80mA @ 15V
-
4V @ 0.5nA18pF @ 10V60 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel30V30V175mA @ 15V
-
10V @ 500pA18pF @ 10V25 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производствеN-Channel30V30V100mA @ 15V
-
6V @ 500pA18pF @ 10V40 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation JFET N-CHAN 40V 3SMD в производствеN-Channel40V40V8mA @ 15V
-
-
18pF @ 10V (VGS)60 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No Lead3-UB (3.09x2.45)
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Microsemi Corporation N CHANNEL JFET в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-