Renesas Electronics America агент по продажам - Память - RMLV0408EGSB-4S2#HA0 RMLV0414EGSB-4S2#HA0 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
RMLV0408EGSB-4S2#HA0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (512K x 8)	-	45ns	45ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)	32-TSOP II
RMLV0414EGSB-4S2#HA0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (256K x 16)	-	45ns	45ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
RMLV0416EGSB-4S2#AA0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (256K x 16)	-	45ns	45ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
RMLV0416EGSB-4S2#HA0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (256K x 16)	-	45ns	45ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP2
R1LP0108ESN-7SR#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-5SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-5SR#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-7SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-7SI#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-7SR#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV3216RSA-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (4M x 8, 2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
HN58X25128FPIAG#S0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	128Kb (16K x 8)	5MHz	5ms	-	SPI	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
HN58X25256FPIAG#S0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 256K SPI 5MHZ 8SOP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	5MHz	5ms	-	SPI	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
R1EX24016ASAS0I#U0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	16Kb (2K x 8)	400kHz	5ms	900ns	I²C	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
R1EX24064ASAS0I#U0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	64Kb (8K x 8)	400kHz	5ms	900ns	I²C	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
R1LV3216RSA-5SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (4M x 8, 2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
R1LV3216RSA-5SR#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (4M x 8, 2M x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
R1LV3216RSA-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (4M x 8, 2M x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
R1LV3216RSA-7SR#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (4M x 8, 2M x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
R1WV3216RBG-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	32Mb (2M x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFBGA	48-FBGA (7.5x8.5)
R1EX25512ATA00I#U0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 512K SPI 5MHZ 8TSSOP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	512Kb (64K x 8)	5MHz	5ms	-	SPI	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	8-TSSOP
RMLV0808BGBG-4S2#AC0	Renesas Electronics America	IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	8Mb (512K x 16)	-	45ns	45ns	Parallel	2.4 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFBGA	48-TFBGA (7.5x8.5)
RMLV0808BGBG-4S2#KC0	Renesas Electronics America	IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	8Mb (512K x 16)	-	45ns	45ns	Parallel	2.4 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFBGA	48-TFBGA (7.5x8.5)
R1EX24256BSAS0I#U0	Renesas Electronics America	IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8SOP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	256Kb (32K x 8)	400kHz	5ms	900ns	I²C	1.8 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
R1RW0416DSB-2PI#D1	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II	Preliminary	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (256K x 16)	-	12ns	12ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
R1RW0416DSB-2PI#D0	Renesas Electronics America	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II	Discontinued at -	Volatile	SRAM	SRAM	4Mb (256K x 16)	-	12ns	12ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
R1WV6416RSA-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP	устарелый	Volatile	SRAM	SRAM	64Mb (8M x 8, 4M x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	48-TSOP I
HM216514TTI5SE	Renesas Electronics America	IC SRAM 44TSOP	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HM216514TTI5SEZ	Renesas Electronics America	IC SRAM 44TSOP	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
HM28100TTI5SE	Renesas Electronics America	IC SRAM 44TSOP	устарелый	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
R1LV5256ESP-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)	28-SOP
R1LP0108ESA-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)	32-sTSOP
R1LP0108ESF-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	32-TSOP (8x20)
R1LP0108ESN-5SI#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LP5256ESA-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP
R1LP5256ESP-5SI#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)	28-SOP
R1LV0108ESA-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)	32-sTSOP
R1LV0108ESF-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	32-TSOP (8x20)
R1LV0108ESN-5SI#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV5256ESA-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP
R1LV5256ESP-5SI#S0	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)	28-SOP
R1LV0208BSA-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	2Mb (256K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)	32-sTSOP
R1LV0216BSB-5SI#S1	Renesas Electronics America	IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	2Mb (128K x 16)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)	44-TSOP II
R1LP0108ESN-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LV0108ESN-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)	32-SOP
R1LP5256ESA-5SI#B1	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP
R1LV5256ESA-5SI#B1	Renesas Electronics America	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	256Kb (32K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)	28-TSOP
R1LV0108ESA-5SI#B1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)	32-sTSOP
R1LV0108ESF-5SI#B1	Renesas Electronics America	IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP	в производстве	Volatile	SRAM	SRAM	1Mb (128K x 8)	-	55ns	55ns	Parallel	2.7 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)	32-TSOP (8x20)

Производители для Память