1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Диоды - Зенера - Одноместный
  5. Продукты

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный

Bourns
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Micro Commercial Components (MCC)
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
Semtech
SMC Diode Solutions
Taiwan Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Vishay
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиНапряжение - Zener (Nom) (Vz)ТолерантностьМощность - макс.Импеданс (макс.) (Zzt)Текущий - обратный утечек @ VrНапряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслиРабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
1N5261B A0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 47V 500MW DO35 в производстве47V±5%500mW105 Ohms100nA @ 36V1.1V @ 200mA100°C (TJ)Through HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
1N5262B A0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 51V 500MW DO35 в производстве51V±5%500mW125 Ohms100nA @ 39V1.1V @ 200mA100°C (TJ)Through HoleDO-204AH, DO-35, AxialDO-35
BZV55B10 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 10V 500MW MINI MELF в производстве10V±2%500mW15 Ohms100nA @ 7.5V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B11 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 11V 500MW MINI MELF в производстве11V±2%500mW20 Ohms100nA @ 8.2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B12 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 12V 500MW MINI MELF в производстве12V±2%500mW20 Ohms100nA @ 9.1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B13 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 13V 500MW MINI MELF в производстве13V±2%500mW26 Ohms100nA @ 10V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B15 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 15V 500MW MINI MELF в производстве15V±2%500mW30 Ohms100nA @ 11V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B16 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 16V 500MW MINI MELF в производстве16V±2%500mW40 Ohms100nA @ 12V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B18 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 18V 500MW MINI MELF в производстве18V±2%500mW50 Ohms100nA @ 13V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B20 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 20V 500MW MINI MELF в производстве20V±2%500mW55 Ohms100nA @ 15V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B22 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 22V 500MW MINI MELF в производстве22V±2%500mW55 Ohms100nA @ 16V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B24 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 24V 500MW MINI MELF в производстве24V±2%500mW80 Ohms100nA @ 18V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B27 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 27V 500MW MINI MELF в производстве27V±2%500mW80 Ohms100nA @ 20V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B2V4 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 2.4V 500MW MINI MELF в производстве2.4V±2%500mW85 Ohms50µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B2V7 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 2.7V 500MW MINI MELF в производстве2.7V±2%500mW85 Ohms10µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B30 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 30V 500MW MINI MELF в производстве30V±2%500mW80 Ohms100nA @ 22V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B33 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 33V 500MW MINI MELF в производстве33V±2%500mW80 Ohms100nA @ 24V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B36 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 36V 500MW MINI MELF в производстве36V±2%500mW80 Ohms100nA @ 27V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B39 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 39V 500MW MINI MELF в производстве39V±2%500mW90 Ohms100nA @ 28V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V0 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3V 500MW MINI MELF в производстве3V±2%500mW85 Ohms4µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V3 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.3V 500MW MINI MELF в производстве3.3V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V6 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.6V 500MW MINI MELF в производстве3.6V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V9 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.9V 500MW MINI MELF в производстве3.9V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B43 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 43V 500MW MINI MELF в производстве43V±2%500mW90 Ohms100nA @ 32V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B47 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 47V 500MW MINI MELF в производстве47V±2%500mW110 Ohms100nA @ 35V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B4V3 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.3V 500MW MINI MELF в производстве4.3V±2%500mW75 Ohms1µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B4V7 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.7V 500MW MINI MELF в производстве4.7V±2%500mW60 Ohms500nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B51 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 51V 500MW MINI MELF в производстве51V±2%500mW125 Ohms100nA @ 38V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B56 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 56V 500MW MINI MELF в производстве56V±2%500mW135 Ohms100nA @ 42V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B5V1 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.1V 500MW MINI MELF в производстве5.1V±2%500mW35 Ohms100nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B5V6 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.6V 500MW MINI MELF в производстве5.6V±2%500mW25 Ohms100nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B62 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 62V 500MW MINI MELF в производстве62V±2%500mW150 Ohms100nA @ 47V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B68 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 68V 500MW MINI MELF в производстве68V±2%500mW160 Ohms100nA @ 51V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B6V2 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.2V 500MW MINI MELF в производстве6.2V±2%500mW10 Ohms100nA @ 2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B6V8 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.8V 500MW MINI MELF в производстве6.8V±2%500mW8 Ohms100nA @ 3V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B75 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 75V 500MW MINI MELF в производстве75V±2%500mW170 Ohms100nA @ 56V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B7V5 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 7.5V 500MW MINI MELF в производстве7.5V±2%500mW7 Ohms100nA @ 5V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B8V2 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 8.2V 500MW MINI MELF в производстве8.2V±2%500mW7 Ohms100nA @ 6.2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B9V1 L0G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 9.1V 500MW MINI MELF в производстве9.1V±2%500mW10 Ohms100nA @ 6.8V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B10 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 10V 500MW MINI MELF в производстве10V±2%500mW15 Ohms100nA @ 7.5V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B11 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 11V 500MW MINI MELF в производстве11V±2%500mW20 Ohms100nA @ 8.2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B12 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 12V 500MW MINI MELF в производстве12V±2%500mW20 Ohms100nA @ 9.1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B13 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 13V 500MW MINI MELF в производстве13V±2%500mW26 Ohms100nA @ 10V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B15 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 15V 500MW MINI MELF в производстве15V±2%500mW30 Ohms100nA @ 11V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B16 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 16V 500MW MINI MELF в производстве16V±2%500mW40 Ohms100nA @ 12V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B18 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 18V 500MW MINI MELF в производстве18V±2%500mW50 Ohms100nA @ 13V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B20 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 20V 500MW MINI MELF в производстве20V±2%500mW55 Ohms100nA @ 15V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B22 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 22V 500MW MINI MELF в производстве22V±2%500mW55 Ohms100nA @ 16V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B24 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 24V 500MW MINI MELF в производстве24V±2%500mW80 Ohms100nA @ 18V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B27 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 27V 500MW MINI MELF в производстве27V±2%500mW80 Ohms100nA @ 20V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
  1. 3
  2. 4
  3. 5
  4. 6
  5. 7
  6. 8
  7. 9
  8. 10
  9. 11
  10. 12
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены