1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Диоды - Зенера - Одноместный
  5. Продукты

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный

Bourns
Central Semiconductor
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Micro Commercial Components (MCC)
Microsemi
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Sanken Electric Co., Ltd.
Semtech
SMC Diode Solutions
Taiwan Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
Vishay
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиНапряжение - Zener (Nom) (Vz)ТолерантностьМощность - макс.Импеданс (макс.) (Zzt)Текущий - обратный утечек @ VrНапряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслиРабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
BZV55B2V4 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 2.4V 500MW MINI MELF в производстве2.4V±2%500mW85 Ohms50µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B2V7 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 2.7V 500MW MINI MELF в производстве2.7V±2%500mW85 Ohms10µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B30 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 30V 500MW MINI MELF в производстве30V±2%500mW80 Ohms100nA @ 22V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B33 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 33V 500MW MINI MELF в производстве33V±2%500mW80 Ohms100nA @ 24V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B36 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 36V 500MW MINI MELF в производстве36V±2%500mW80 Ohms100nA @ 27V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B39 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 39V 500MW MINI MELF в производстве39V±2%500mW90 Ohms100nA @ 28V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V0 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3V 500MW MINI MELF в производстве3V±2%500mW85 Ohms4µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V3 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.3V 500MW MINI MELF в производстве3.3V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V6 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.6V 500MW MINI MELF в производстве3.6V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B3V9 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.9V 500MW MINI MELF в производстве3.9V±2%500mW85 Ohms2µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B43 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 43V 500MW MINI MELF в производстве43V±2%500mW90 Ohms100nA @ 32V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B47 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 47V 500MW MINI MELF в производстве47V±2%500mW110 Ohms100nA @ 35V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B4V3 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.3V 500MW MINI MELF в производстве4.3V±2%500mW75 Ohms1µA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B4V7 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.7V 500MW MINI MELF в производстве4.7V±2%500mW60 Ohms500nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B51 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 51V 500MW MINI MELF в производстве51V±2%500mW125 Ohms100nA @ 38V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B56 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 56V 500MW MINI MELF в производстве56V±2%500mW135 Ohms100nA @ 42V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B5V1 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.1V 500MW MINI MELF в производстве5.1V±2%500mW35 Ohms100nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B5V6 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.6V 500MW MINI MELF в производстве5.6V±2%500mW25 Ohms100nA @ 1V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B62 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 62V 500MW MINI MELF в производстве62V±2%500mW150 Ohms100nA @ 47V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B68 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 68V 500MW MINI MELF в производстве68V±2%500mW160 Ohms100nA @ 51V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B6V2 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.2V 500MW MINI MELF в производстве6.2V±2%500mW10 Ohms100nA @ 2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B6V8 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.8V 500MW MINI MELF в производстве6.8V±2%500mW8 Ohms100nA @ 3V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B75 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 75V 500MW MINI MELF в производстве75V±2%500mW170 Ohms100nA @ 56V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B7V5 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 7.5V 500MW MINI MELF в производстве7.5V±2%500mW7 Ohms100nA @ 5V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B8V2 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 8.2V 500MW MINI MELF в производстве8.2V±2%500mW7 Ohms100nA @ 6.2V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
BZV55B9V1 L1G
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 9.1V 500MW MINI MELF в производстве9.1V±2%500mW10 Ohms100nA @ 6.8V1V @ 100mA-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80Mini MELF
UDZS10B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 10V 200MW SOD323F в производстве10V±2%200mW20 Ohms180nA @ 7V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS11B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 11V 200MW SOD323F в производстве11V±2%200mW20 Ohms90nA @ 8V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS12B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 12V 200MW SOD323F в производстве12V±2%200mW20 Ohms90nA @ 9V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS13B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 13V 200MW SOD323F в производстве13V±2%200mW40 Ohms45nA @ 10V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS16B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 16V 200MW SOD323F в производстве16V±2%200mW40 Ohms45nA @ 12V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS18B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 18V 200MW SOD323F в производстве18V±2%200mW50 Ohms45nA @ 13V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS20B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 20V 200MW SOD323F в производстве20V±2%200mW60 Ohms45nA @ 15V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS22B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 22V 200MW SOD323F в производстве22V±2%200mW80 Ohms45nA @ 17V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS24B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 24V 200MW SOD323F в производстве24V±2%200mW80 Ohms45nA @ 19V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS27B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 27V 200MW SOD323F в производстве27V±2%200mW100 Ohms45nA @ 21V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS30B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 30V 200MW SOD323F в производстве30V±2%200mW100 Ohms45nA @ 23V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS33B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 33V 200MW SOD323F в производстве33V±2%200mW100 Ohms45nA @ 25V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS36B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 36V 200MW SOD323F в производстве36V±2%200mW100 Ohms45nA @ 27V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS3V6B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.6V 200MW SOD323F в производстве3.6V±2%200mW90 Ohms4.5µA @ 1V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS3V9B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 3.9V 200MW SOD323F в производстве3.9V±2%200mW90 Ohms2.7µA @ 1V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS4V3B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.3V 200MW SOD323F в производстве4.3V±2%200mW90 Ohms2.7µA @ 1V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS4V7B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 4.7V 200MW SOD323F в производстве4.7V±2%200mW80 Ohms2.7µA @ 1V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS5V1B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.1V 200MW SOD323F в производстве5.1V±2%200mW60 Ohms1.8µA @ 2V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS5V6B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 5.6V 200MW SOD323F в производстве5.6V±2%200mW40 Ohms900nA @ 3V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS6V2B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.2V 200MW SOD323F в производстве6.2V±2%200mW40 Ohms2.7µA @ 3V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS6V8B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 6.8V 200MW SOD323F в производстве6.8V±2%200mW30 Ohms1.8µA @ 4V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS7V5B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 7.5V 200MW SOD323F в производстве7.5V±2%200mW30 Ohms900nA @ 4V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS8V2B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 8.2V 200MW SOD323F в производстве8.2V±2%200mW30 Ohms630nA @ 5V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
UDZS9V1B RRG
 Taiwan Semiconductor Corporation DIODE 9.1V 200MW SOD323F в производстве9.1V±2%200mW30 Ohms450nA @ 6V
-
-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-90, SOD-323FSOD-323F
  1. 4
  2. 5
  3. 6
  4. 7
  5. 8
  6. 9
  7. 10
  8. 11
  9. 12
  10. 13
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены