Диоды - Зенера - Одноместный - Дискретный полупроводник - JAN1N4107D-1 JAN1N4108D-1 JAN1N4109D-1 JAN1N4110D-1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
JAN1N4107D-1	Microsemi Corporation	DIODE 13V DO35	в производстве	13V	±1%	-	200 Ohms	50nA @ 9.9V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4108D-1	Microsemi Corporation	DIODE 14V DO35	в производстве	14V	±1%	-	200 Ohms	50nA @ 10.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4109D-1	Microsemi Corporation	DIODE 15V DO35	в производстве	15V	±1%	-	100 Ohms	50nA @ 11.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4110D-1	Microsemi Corporation	DIODE 16V DO35	в производстве	16V	±1%	-	100 Ohms	50nA @ 12.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4111D-1	Microsemi Corporation	DIODE 17V DO35	в производстве	17V	±1%	-	100 Ohms	50nA @ 13V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4112D-1	Microsemi Corporation	DIODE 18V DO35	в производстве	18V	±1%	-	100 Ohms	50nA @ 13.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4113D-1	Microsemi Corporation	DIODE 19V DO35	в производстве	19V	±1%	-	150 Ohms	50nA @ 14.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4114D-1	Microsemi Corporation	DIODE 20V DO35	в производстве	20V	±1%	-	150 Ohms	10nA @ 15.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4115D-1	Microsemi Corporation	DIODE 22V DO35	в производстве	22V	±1%	-	150 Ohms	10nA @ 16.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4116D-1	Microsemi Corporation	DIODE 24V DO35	в производстве	24V	±1%	-	150 Ohms	10nA @ 18.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4117D-1	Microsemi Corporation	DIODE 25V DO35	в производстве	25V	±2%	-	150 Ohms	10nA @ 19V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4118D-1	Microsemi Corporation	DIODE 27V DO35	в производстве	27V	±1%	-	150 Ohms	10nA @ 20.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4119D-1	Microsemi Corporation	DIODE 28V DO35	в производстве	28V	±1%	-	200 Ohms	10nA @ 21.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4120D-1	Microsemi Corporation	DIODE 30V DO35	в производстве	30V	±1%	-	200 Ohms	10nA @ 22.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4121D-1	Microsemi Corporation	DIODE 33V DO35	в производстве	33V	±1%	-	200 Ohms	10nA @ 25.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4122D-1	Microsemi Corporation	DIODE 36V DO35	в производстве	36V	±1%	-	200 Ohms	10nA @ 27.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4123D-1	Microsemi Corporation	DIODE 39V DO35	в производстве	39V	±1%	-	200 Ohms	10nA @ 29.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4124D-1	Microsemi Corporation	DIODE 43V DO35	в производстве	43V	±1%	-	250 Ohms	10nA @ 32.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4125D-1	Microsemi Corporation	DIODE 47V DO35	в производстве	47V	±1%	-	250 Ohms	10nA @ 35.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4126D-1	Microsemi Corporation	DIODE 51V DO35	в производстве	51V	±1%	-	300 Ohms	10nA @ 38.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4127D-1	Microsemi Corporation	DIODE 56V DO35	в производстве	56V	±1%	-	300 Ohms	10nA @ 42.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4128D-1	Microsemi Corporation	DIODE 60V DO35	в производстве	60V	±1%	-	400 Ohms	10nA @ 45.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4129D-1	Microsemi Corporation	DIODE 62V DO35	в производстве	62V	±1%	-	500 Ohms	10nA @ 47.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4130D-1	Microsemi Corporation	DIODE 68V DO35	в производстве	68V	±1%	-	700 Ohms	10nA @ 51.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4131D-1	Microsemi Corporation	DIODE 75V DO35	в производстве	75V	±1%	-	700 Ohms	10nA @ 57V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4132D-1	Microsemi Corporation	DIODE 82V DO35	в производстве	82V	±1%	-	800 Ohms	10nA @ 62.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4133D-1	Microsemi Corporation	DIODE 87V DO35	в производстве	87V	±1%	-	1000 Ohms	10nA @ 66.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4134D-1	Microsemi Corporation	DIODE 91V DO35	в производстве	91V	±1%	-	1200 Ohms	10nA @ 69.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4135D-1	Microsemi Corporation	DIODE 100V DO35	в производстве	100V	±1%	-	1600 Ohms	10nA @ 76V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTX1N4577A-1	Microsemi Corporation	DIODE 3V 500MW DO35	в производстве	3V	±5%	500mW	50 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
CDLL5913D	Microsemi Corporation	DIODE 3.3V 1.25W DO213AB	в производстве	3.3V	±1%	1.25W	10 Ohms	100µA @ 1V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5914D	Microsemi Corporation	DIODE 3.6V 1.25W DO213AB	в производстве	3.6V	±1%	1.25W	9 Ohms	75µA @ 1V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5915D	Microsemi Corporation	DIODE 3.9V 1.25W DO213AB	в производстве	3.9V	±1%	1.25W	7.5 Ohms	25µA @ 1V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5916D	Microsemi Corporation	DIODE 4.3V 1.25W DO213AB	в производстве	4.3V	±1%	1.25W	6 Ohms	5µA @ 1V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5917D	Microsemi Corporation	DIODE 4.7V 1.25W DO213AB	в производстве	4.7V	±1%	1.25W	5 Ohms	5µA @ 1.5V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5918D	Microsemi Corporation	DIODE 5.1V 1.25W DO213AB	в производстве	5.1V	±1%	1.25W	4 Ohms	5µA @ 2V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5919D	Microsemi Corporation	DIODE 5.6V 1.25W DO213AB	в производстве	5.6V	±1%	1.25W	2 Ohms	5µA @ 3V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5920D	Microsemi Corporation	DIODE 6.2V 1.25W DO213AB	в производстве	6.2V	±1%	1.25W	2 Ohms	5µA @ 4V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5921D	Microsemi Corporation	DIODE 6.8V 1.25W DO213AB	в производстве	6.8V	±1%	1.25W	2.5 Ohms	5µA @ 5.2V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5922D	Microsemi Corporation	DIODE 7.5V 1.25W DO213AB	в производстве	7.5V	±1%	1.25W	3 Ohms	5µA @ 6V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5923D	Microsemi Corporation	DIODE 8.2V 1.25W DO213AB	в производстве	8.2V	±1%	1.25W	3.5 Ohms	5µA @ 6.5V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5924D	Microsemi Corporation	DIODE 9.1V 1.25W DO213AB	в производстве	9.1V	±1%	1.25W	4 Ohms	5µA @ 7V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5925D	Microsemi Corporation	DIODE 10V 1.25W DO213AB	в производстве	10V	±1%	1.25W	4.5 Ohms	1µA @ 8V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5926D	Microsemi Corporation	DIODE 11V 1.25W DO213AB	в производстве	11V	±1%	1.25W	5.5 Ohms	1µA @ 8.4V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5927D	Microsemi Corporation	DIODE 12V 1.25W DO213AB	в производстве	12V	±1%	1.25W	6.5 Ohms	1µA @ 9.1V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5928D	Microsemi Corporation	DIODE 13V 1.25W DO213AB	в производстве	13V	±1%	1.25W	7 Ohms	1µA @ 9.9V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5929D	Microsemi Corporation	DIODE 15V 1.25W DO213AB	в производстве	15V	±1%	1.25W	9 Ohms	1µA @ 11.4V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5930D	Microsemi Corporation	DIODE 16V 1.25W DO213AB	в производстве	16V	±1%	1.25W	10 Ohms	1µA @ 12.2V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5931D	Microsemi Corporation	DIODE 18V 1.25W DO213AB	в производстве	18V	±1%	1.25W	12 Ohms	1µA @ 13.7V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB
CDLL5932D	Microsemi Corporation	DIODE 20V 1.25W DO213AB	в производстве	20V	±1%	1.25W	14 Ohms	1µA @ 15.2V	1.2V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AB, MELF	DO-213AB

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный