Диоды - Зенера - Одноместный - Дискретный полупроводник - JAN1N4115UR-1 JAN1N4117UR-1 JAN1N4118UR-1 JAN1N4119UR-1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
JAN1N4115UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 22V DO213AA	в производстве	22V	±5%	-	150 Ohms	10nA @ 16.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4117UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 25V DO213AA	в производстве	25V	±1%	-	150 Ohms	10nA @ 19V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4118UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 27V DO213AA	в производстве	27V	±5%	-	150 Ohms	10nA @ 20.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4119UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 28V DO213AA	в производстве	28V	±5%	-	200 Ohms	10nA @ 21.3V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4120UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 30V DO213AA	в производстве	30V	±5%	-	200 Ohms	10nA @ 22.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4121UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 33V DO213AA	в производстве	33V	±5%	-	200 Ohms	10nA @ 25.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4122UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 36V DO213AA	в производстве	36V	±5%	-	200 Ohms	10nA @ 27.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4123UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 39V DO213AA	в производстве	39V	±5%	-	200 Ohms	10nA @ 29.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4124UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 43V DO213AA	в производстве	43V	±5%	-	250 Ohms	10nA @ 32.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4125UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 47V DO213AA	в производстве	47V	±5%	-	250 Ohms	10nA @ 35.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4126UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 51V DO213AA	в производстве	51V	±5%	-	300 Ohms	10nA @ 38.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4127UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 56V DO213AA	в производстве	56V	±5%	-	300 Ohms	10nA @ 42.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4128UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 60V DO213AA	в производстве	60V	±5%	-	400 Ohms	10nA @ 45.6V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4129UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 62V DO213AA	в производстве	62V	±5%	-	500 Ohms	10nA @ 47.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4130UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 68V DO213AA	в производстве	68V	±5%	-	700 Ohms	10nA @ 51.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4131UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 75V DO213AA	в производстве	75V	±5%	-	700 Ohms	10nA @ 57V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4132UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 82V DO213AA	в производстве	82V	±5%	-	800 Ohms	10nA @ 62.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4133UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 87V DO213AA	в производстве	87V	±5%	-	1000 Ohms	10nA @ 66.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N4134UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 91V DO213AA	в производстве	91V	±5%	-	1200 Ohms	10nA @ 69.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
JAN1N7048UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7049UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7050UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7051UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7052UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7053UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7054UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N7055UR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N4963US	Microsemi Corporation	DIODE 16V 5W D5B	в производстве	16V	±5%	5W	3.5 Ohms	5µA @ 12.2V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4964US	Microsemi Corporation	DIODE 18V 5W D5B	в производстве	18V	±5%	5W	4 Ohms	5µA @ 13.7V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4965US	Microsemi Corporation	DIODE 20V 5W D5B	в производстве	20V	±5%	5W	4.5 Ohms	2µA @ 15.2V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4966US	Microsemi Corporation	DIODE 22V 5W D5B	в производстве	22V	±5%	5W	5 Ohms	2µA @ 16.7V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4968US	Microsemi Corporation	DIODE 27V 5W D5B	в производстве	27V	±5%	5W	6 Ohms	2µA @ 20.6V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4971US	Microsemi Corporation	DIODE 36V 5W D5B	в производстве	36V	±5%	5W	11 Ohms	2µA @ 27.4V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4972US	Microsemi Corporation	DIODE 39V 5W E MELF	в производстве	39V	±5%	5W	14 Ohms	2µA @ 29.7V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	SQ-MELF, E	E-MELF
1N4974US	Microsemi Corporation	DIODE 47V 5W D5B	в производстве	47V	±5%	5W	25 Ohms	2µA @ 35.8V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4975US	Microsemi Corporation	DIODE 51V 5W D5B	в производстве	51V	±5%	5W	27 Ohms	2µA @ 38.8V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4976US	Microsemi Corporation	DIODE 56V 5W D5B	в производстве	56V	±5%	5W	35 Ohms	2µA @ 42.6V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4977US	Microsemi Corporation	DIODE 62V 5W AXIAL	в производстве	62V	±5%	5W	42 Ohms	2µA @ 47.1V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	E, Axial	-
1N4979US	Microsemi Corporation	DIODE 75V 5W D5B	в производстве	75V	±5%	5W	55 Ohms	2µA @ 56V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4980US	Microsemi Corporation	DIODE 82V 5W D5B	в производстве	82V	±5%	5W	80 Ohms	2µA @ 62.2V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4981US	Microsemi Corporation	DIODE 91V 5W D5B	в производстве	91V	±5%	5W	90 Ohms	2µA @ 69.2V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4983US	Microsemi Corporation	DIODE 110V 5W D5B	в производстве	110V	±5%	5W	125 Ohms	2µA @ 83.6V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4984US	Microsemi Corporation	DIODE 120V 5W D5B	в производстве	120V	±5%	5W	170 Ohms	2µA @ 91.2V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4985US	Microsemi Corporation	DIODE 130V 5W D5B	в производстве	130V	±5%	5W	190 Ohms	2µA @ 98.8V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4986US	Microsemi Corporation	DIODE 150V 5W D5B	в производстве	150V	±5%	5W	330 Ohms	2µA @ 114V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4987US	Microsemi Corporation	DIODE 160V 5W D5B	в производстве	160V	±5%	5W	350 Ohms	2µA @ 121.6V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4988US	Microsemi Corporation	DIODE 180V 5W D5B	в производстве	180V	±5%	5W	450 Ohms	2µA @ 136.8V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
JAN1N4968US	Semtech Corporation	27V ZENER 500W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N4969US	Semtech Corporation	30V ZENER 500W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JAN1N4970US	Semtech Corporation	33V ZENER 500W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный