1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

Diodes Incorporated
Infineon Technologies
Micro Commercial Components (MCC)
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
ROHM Semiconductor
Toshiba Semiconductor and Storage
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзистораТок - коллектор (Ic) (макс.)Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)Resistor - Base (R1)Resistor - Emitter Base (R2)Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, VceVce Saturation (Макс.) @ Ib, IcТок - отсечка коллектора (макс.)Частота - переходМощность - макс.Тип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
FJN3302RTA
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.3W TO92-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA100nA (ICBO)250MHz300mWThrough HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
DTC143ZMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DTC114EETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
DTA114EETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 150MW EMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms30 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
PBRN123YT,215
 Nexperia USA Inc. TRANSISTOR PREBIAS NPN 250MW TO236AB в производствеNPN - Pre-Biased600mA40V2.2 kOhms10 kOhms500 @ 300mA, 5V1.15V @ 8mA, 800mA500nA
-
250mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
DDTD142JC-7-F
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V470 Ohms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BCR503E6327HTSA1
 Infineon Technologies TRANSISTOR PREBIAS NPN 300MW SOT23-3 устарелыйNPN - Pre-Biased500mA50V2.2 kOhms2.2 kOhms40 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA100nA (ICBO)100MHz330mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DTC144EETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
DTC114YETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased70mA50V10 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
DTC143EETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
DTC123JETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
DTC143ZETL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 150MW EMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416EMT3
SMMUN2111LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.246W SOT23 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
SMMUN2211LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
DTD113ZKT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V1 kOhms10 kOhms82 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTB143EKT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased500mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms47 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DRDNB16W-7
 Diodes Incorporated TRANSISTOR PREBIAS NPN/DIODE SOT363 в производствеNPN - Pre-Biased + Diode600mA50V1 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтаж6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
DTD114EKT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V10 kOhms10 kOhms56 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTD123TKT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA40V2.2 kOhms
-
100 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA (ICBO)200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTD143EKT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased500mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms47 @ 50mA, 5V300mV @ 2.5mA, 50mA500nA200MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
MMUN2234LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2231LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms2.2 kOhms8 @ 5mA, 10V250mV @ 5mA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2115LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
160 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
400mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMUN2112LT1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
246mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MUN5213T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
MUN5235T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 202MW SC70-3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
202mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70-3 (SOT323)
DTA143ZET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SC75 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTA114YET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SC75 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTC124EET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V250mV @ 300µA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTC023YEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V EMT3F в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC044EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC014YEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased70mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC015EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased20mA50V100 kOhms100 kOhms80 @ 5mA, 10V100mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC023JEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V EMT3F в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V2.2 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
DTC024EEBTL
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89 в производствеNPN - Pre-Biased30mA50V22 kOhms22 kOhms60 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490EMT3F (SOT-416FL)
MUN2232T1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 338MW SC59 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms15 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
338mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59
DTC124XET1G
 ON Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 0.2W SC75 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V22 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V250mV @ 1mA, 10mA500nA
-
200mWSMD Поверхностный монтажSC-75, SOT-416SC-75, SOT-416
DTC014EMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V10 kOhms10 kOhms35 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DTC014YMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased70mA50V10 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DTC043EMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms20 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
DTC044EMT2L
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 50V VMT3 в производствеNPN - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms80 @ 5mA, 10V150mV @ 500µA, 5mA
-
250MHz150mWSMD Поверхностный монтажSOT-723VMT3
RN2301,LF
 Toshiba Semiconductor and Storage TRANSISTOR PREBIAS PNP 0.1W USM в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms4.7 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA200MHz100mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
DTC114TUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased100mA50V10 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 1mA, 10mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTA115EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased20mA50V100 kOhms100 kOhms82 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA143TKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms
-
100 @ 1mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA (ICBO)250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC143XKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased100mA50V4.7 kOhms10 kOhms30 @ 10mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC115EUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW UMT3 устарелыйNPN - Pre-Biased20mA50V100 kOhms100 kOhms82 @ 5mA, 5V300mV @ 250µA, 5mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
DTA144EKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW SMT3 в производствеPNP - Pre-Biased30mA50V47 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTC124XKAT146
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS NPN 200MW SMT3 в производствеNPN - Pre-Biased50mA50V22 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMT3
DTA124XUAT106
 Rohm Semiconductor TRANSISTOR PREBIAS PNP 200MW UMT3 устарелыйPNP - Pre-Biased50mA50V22 kOhms47 kOhms68 @ 5mA, 5V300mV @ 500µA, 10mA500nA250MHz200mWSMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323UMT3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9
  10. 10
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены