номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип диодаНапряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)Текущий - средний отрегулированный (Io)Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслискоростьВремя обратного восстановления (trr)Текущий - обратный утечек @ VrЕмкость @ Vr, FТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщикаРабочая температура - Соединение
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 2KV 1A SMA в производствеStandard2000V1A2V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 2000V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 200V 1A 1408 в производствеStandard200V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)3µs1µA @ 200V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 300MA 0603 в производствеSchottky40V300mA550mV @ 200mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
50µA @ 10V35pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтаж0603 (1608 Metric)0603 (1608 Metric)-40°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408 в производствеStandard1000V1A1.7V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)75ns5µA @ 1000V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 400V 1A 1408 в производствеStandard400V1A1.05V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 400V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 800V 1A 1408 в производствеStandard800V1A2.5V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 800V
-
SMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 600V 3A SMB в производствеStandard600V3A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 600V40pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBDO-214AA (SMB)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 100V 2A 1206 в производствеSchottky100V2A850mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1206-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 1KV 1A 1408 в производствеStandard1000V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)3µs1µA @ 1000V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC в производствеStandard600V1A1.7V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 600V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC-55°C ~ 150°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC в производствеStandard400V1A1.25V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)25ns5µA @ 40V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC-55°C ~ 150°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 600V 1A 1408 в производствеStandard600V1A1.25V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 600V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 400V 1A 1408 в производствеStandard400V1A1.3V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)300ns5µA @ 400V15pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC в производствеStandard100V1A950mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)25ns5µA @ 100V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC-55°C ~ 150°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 40V 3A SMB в производствеSchottky40V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB (DO-214AA)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 20V 3A SMC в производствеSchottky20V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 20V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCDO-214AB (SMC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 100V 150MA 1206 в производствеStandard100V150mA1V @ 50mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed4ns2.5µA @ 100V3pF @ 0V, 100MHzSMD Поверхностный монтаж1206 (3216 Metric)1206-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603 в производствеStandard75V150mA1V @ 50mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed4ns2.5µA @ 75V3pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтаж0603 (1608 Metric)0603-40°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA устарелыйSchottky60V1A700mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V110pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA устарелыйSchottky40V2A500mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V200pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA устарелыйSchottky100V1A790mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 100V30pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA устарелыйSchottky60V2A700mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V200pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA устарелыйSchottky40V2A430mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
2mA @ 40V200pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 2A 1206 в производствеSchottky60V2A700mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V
-
SMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1206-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 30V 3A SMA устарелыйSchottky30V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 30V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMA устарелыйSchottky60V3A700mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO216AA устарелыйSchottky20V1A450mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
400µA @ 20V90pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-216AADO-216AA-55°C ~ 150°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 в производствеSchottky40V1A380mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1mA @ 40V115pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals123D-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123 в производствеSchottky40V1A500mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
200µA @ 40V110pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals123D-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 60V 1A SMA в производствеSchottky60V1A700mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V110pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA устарелыйSchottky40V1A500mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V110pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMA устарелыйSchottky20V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 20V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 40V 3A SMA в производствеSchottky40V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V300pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMA устарелыйSchottky40V3A500mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 100V 1A SMA в производствеSchottky100V1A790mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 100V30pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO RECT VRRM 400V 3A SMB в производствеStandard400V3A1.25V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 400V19pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB (DO-214AA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603 устарелыйSchottky40V200mA550mV @ 200mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
-
10µA @ 30V12pF @ 10V, 1MHzSMD Поверхностный монтаж0603 (1608 Metric)0603-40°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMA устарелыйSchottky50V3A700mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 50V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIO SBD VRRM 60V 3A SMA в производствеSchottky60V3A700mV @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 60V250pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA (DO-214AC)-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603 в производствеSchottky40V200mA550mV @ 200mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
-
1µA @ 10V35pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтаж0603 (1608 Metric)0603 (1608 Metric)-40°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 1005 устарелыйSchottky30V100mA440mV @ 100mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
-
30µA @ 30V9pF @ 10V, 1MHzSMD Поверхностный монтаж1005 (2512 Metric)1005-40°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE SCHOTTKY 40V 2A 1206 в производствеSchottky40V2A500mV @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 40V
-
SMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1206-55°C ~ 125°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 600V 1A 1408 в производствеStandard600V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)3µs1µA @ 600V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC в производствеStandard100V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 100V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC в производствеStandard200V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 200V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC в производствеStandard400V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 400V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC в производствеStandard50V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 50V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC в производствеStandard600V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 600V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 800V 1A 1408 в производствеStandard800V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)3µs1µA @ 800V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажChip, Concave Terminals1408-65°C ~ 175°C
Bourns Inc. DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC в производствеStandard1000V1A1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 1000V12pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMADO-214AC (SMA)-65°C ~ 175°C
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5