Taiwan Semiconductor агент по продажам - Диоды - выпрямители - одиночные - TSP10H45S S1G 1SS133M R0G

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип диода	Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	Текущий - средний отрегулированный (Io)	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	скорость	Время обратного восстановления (trr)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Емкость @ Vr, F	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика	Рабочая температура - Соединение
TSP10H45S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A	в производстве	Schottky	45V	10A	570mV @ 10A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	150µA @ 45V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 150°C
1SS133M R0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 90V 150MA DO34	в производстве	Standard	90V	150mA	1.2V @ 150mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	4ns	500nA @ 80V	4pF @ 0V, 1MHz	Through Hole	DO-204AG, DO-34, Axial	DO-34	175°C (Max)
1N4148 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	в производстве	Standard	100V	150mA	1V @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	4ns	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35	-65°C ~ 150°C
LL4448 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GP 75V 150MA MINIMELF	в производстве	Standard	75V	150mA	1V @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	54ns	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	Mini MELF	-65°C ~ 175°C
LS4148 L1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 450MA SOD80	в производстве	Standard	100V	450mA	1V @ 10mA	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	-	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-80 Variant	SOD-80 QuadroMELF	-65°C ~ 175°C
TS4148C RZG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603	в производстве	Standard	75V	150mA	1.25V @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	-	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	0603 (1608 Metric)	0603	-55°C ~ 150°C
1N4148W-G RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123	в производстве	Standard	100V	150mA	1.25V @ 150mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	4ns	2.5µA @ 75V	2pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123	-65°C ~ 150°C
1N4148W RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123	в производстве	Standard	100V	150mA (DC)	1V @ 100mA	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	4ns	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F	-65°C ~ 150°C
1SS355 RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 80V 150MA SOD323F	в производстве	Standard	80V	150mA	1.2V @ 100mA	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	4ns	100nA @ 80V	4pF @ 500mV, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 150°C
BAS316WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 250MA SOD323F	в производстве	Standard	100V	250mA	1.25V @ 150mA	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	4ns	1µA @ 75V	1.5pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 150°C
BAS316 RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 250MA SOD323	в производстве	Standard	100V	250mA	1.25V @ 150mA	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	4ns	30nA @ 25V	1.5pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-76, SOD-323	SOD-323	-65°C ~ 150°C
B0530WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F	в производстве	Schottky	30V	200mA	360mV @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	500µA @ 30V	160pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 125°C
BAT54A RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23	в производстве	Schottky	30V	200mA	1V @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	2µA @ 25V	10pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23	-55°C ~ 125°C
BAT42W RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123	в производстве	Schottky	30V	200mA (DC)	1V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	100nA @ 25V	10pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123	-55°C ~ 125°C
1N5819 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL	в производстве	Schottky	40V	1A	600mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	1mA @ 40V	55pF @ 4V, 1MHz	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C ~ 125°C
SS14 R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC	в производстве	Schottky	40V	1A	500mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	200µA @ 40V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 125°C
SS16 R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC	в производстве	Schottky	60V	1A	750mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	200µA @ 60V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 150°C
SS110LW RVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123W	в производстве	Schottky	100V	1A	800mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	10µA @ 100V	-	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123W	SOD123W	-55°C ~ 150°C
TSS83L45 MWG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD128	в производстве	Schottky	45V	3A	560mV @ 3A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 45V	220pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-128	SOD-128	-55°C ~ 150°C
FR107G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL	в производстве	Standard	1000V	1A	1.3V @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	500ns	5µA @ 1000V	10pF @ 4V, 1MHz	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C ~ 150°C
UF1JLW RVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W	в производстве	Standard	600V	1A	1.5V @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	25ns	1µA @ 600V	15pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123W	SOD123W	-55°C ~ 150°C
SS16M RSG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICRO SMA	в производстве	Schottky	60V	1A	680mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50µA @ 60V	40pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	2-SMD, Flat Lead	Micro SMA	-55°C ~ 150°C
SS1H20LW RVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 200V 1A SOD123W	в производстве	Schottky	200V	1A	850mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500nA @ 200V	-	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123W	SOD123W	-55°C ~ 175°C
SS16MHRSG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICRO SMA	в производстве	Schottky	60V	1A	680mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50µA @ 60V	40pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	2-SMD, Flat Lead	Micro SMA	-55°C ~ 150°C
ESH1JM RSG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA	в производстве	Standard	600V	1A	1.5V @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	25ns	1µA @ 600V	3pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	2-SMD, Flat Lead	Micro SMA	-55°C ~ 150°C
BYG20J R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC	в производстве	Standard	600V	1.5A	1.4V @ 1.5A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	75ns	1µA @ 600V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 150°C
SS310LW RVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 100V 3A SOD123W	в производстве	Schottky	100V	3A	850mV @ 3A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	20µA @ 100V	-	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123W	SOD123W	-55°C ~ 150°C
SS320LWHRVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 200V 3A SOD123W	в производстве	Schottky	200V	3A	950mV @ 3A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	10µA @ 200V	-	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123W	SOD123W	-55°C ~ 150°C
TSSA5U60 E3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC	в производстве	Schottky	60V	5A	560mV @ 5A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	300µA @ 60V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 150°C
TSSA3U45 R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC	в производстве	Schottky	45V	3A	480mV @ 3A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 45V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 150°C
S5MB R5G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AA	в производстве	Standard	1000V	5A	1.1V @ 5A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	10µA @ 1000V	40pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AA, SMB	DO-214AA (SMB)	-55°C ~ 150°C
SK34A R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AC	в производстве	Schottky	40V	3A	550mV @ 3A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 40V	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-214AC, SMA	DO-214AC (SMA)	-55°C ~ 150°C
TPMR6G S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 6A TO277A	в производстве	Standard	400V	6A	1.2V @ 6A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	35ns	10µA @ 400V	60pF @ 4V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 175°C
TSP10H60S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277A	в производстве	Schottky	60V	10A	640mV @ 10A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	150µA @ 60V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 150°C
TSP10H200S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A	в производстве	Schottky	200V	10A	910mV @ 10A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	100µA @ 200V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 150°C
TSP12U120S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A	в производстве	Schottky	120V	12A	780mV @ 12A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 120V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 150°C
TSP15U100S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A	в производстве	Schottky	100V	15A	700mV @ 15A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	250µA @ 100V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	TO-277A (SMPC)	-55°C ~ 150°C
TSPB20U80S S1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 80V 20A SMPC4.0	в производстве	Schottky	80V	20A	640mV @ 20A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	300µA @ 80V	-	SMD Поверхностный монтаж	TO-277, 3-PowerDFN	SMPC4.0	-55°C ~ 150°C
1N4148WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F	в производстве	Standard	75V	150mA	1V @ 100mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	4ns	5µA @ 75V	4pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 150°C
RB751V-40WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD323F	в производстве	Schottky	40V	30mA	370mV @ 1mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	-	500nA @ 40V	2pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-40°C ~ 125°C
BAV21W-G RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD123	в производстве	Standard	200V	200mA	1.25V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	50ns	100nA @ 200V	5pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123	SOD-123	-65°C ~ 150°C
BAT42WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F	в производстве	Schottky	30V	200mA	1V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	500nA @ 25V	7pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 125°C
BAT43WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323F	в производстве	Schottky	30V	200mA	1V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	500nA @ 25V	7pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 125°C
BAV21W RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD123	в производстве	Standard	250V	200mA	1.25V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	50ns	100nA @ 200V	5pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F	-65°C ~ 150°C
BAV21WS RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323	в производстве	Standard	250V	200mA	1.25V @ 200mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	50ns	100nA @ 200V	5pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F	-65°C ~ 150°C
BAS40 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23	в производстве	Schottky	40V	200mA	1V @ 40mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	200nA @ 40V	5pF @ 1V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23	-65°C ~ 125°C
BAS70 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 70V 70MA SOT-23	в производстве	Standard	70V	70mA (DC)	1V @ 15mA	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed	5ns	100nA @ 50V	2pF @ 0V, 1MHz	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23	-55°C ~ 125°C
BA159G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL	в производстве	Standard	1000V	1A	1.2V @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	250ns	5µA @ 1000V	15pF @ 4V, 1MHz	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C ~ 150°C
SR105 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO204AL	в производстве	Schottky	50V	1A	700mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 50V	-	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C ~ 150°C
SR106 A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL	в производстве	Schottky	60V	1A	700mV @ 1A	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	-	500µA @ 60V	-	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)	-55°C ~ 150°C

Производители для Диоды - выпрямители - одиночные