номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип диодаНапряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)Текущий - средний отрегулированный (Io)Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслискоростьВремя обратного восстановления (trr)Текущий - обратный утечек @ VrЕмкость @ Vr, FТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщикаРабочая температура - Соединение
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277B в производствеSchottky100V10A700mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
250µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B в производствеSchottky60V8A610mV @ 8AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
600µA @ 60V502pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 10A 100V TO-277B в производствеSchottky100V10A700mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
250µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-277B в производствеSchottky45V10A570mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
800µA @ 45V639pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-252 в производствеSchottky200V5A900mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
150µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 400V 9.5A TO220 в производствеStandard400V9.5A1.6V @ 9.5AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)4µs10µA @ 400V
-
Through HoleTO-220-3 Isolated TabTO-220 Isolated Tab-40°C ~ 125°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 800V 15.9A TO220 в производствеStandard800V15.9A
-
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)4µs20µA @ 800V
-
Through HoleTO-220-3 Isolated TabTO-220AB-L-40°C ~ 125°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AC в производствеStandard600V10A2.2V @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)32ns10µA @ 600V
-
Through HoleTO-220-2 Full Pack, Isolated TabITO-220AC-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AB в производствеStandard1200V30A2.75V @ 30AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns250µA @ 1200V
-
Through HoleTO-220-3TO-220AB-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 650V 6A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky650V6A (DC)1.7V @ 6ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns200µA @ 650V179pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 650V 8A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky650V8A (DC)1.7V @ 8ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns230µA @ 650V260pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC в производствеStandard600V60A2V @ 60AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns100µA @ 600V
-
Through HoleTO-247-2TO-247AC-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC в производствеStandard1200V60A3.5V @ 60AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns650µA @ 1200V
-
Through HoleTO-247-2TO-247AC-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTKY 650V 10A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky650V10A (DC)1.7V @ 10ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns250µA @ 650V290pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AC в производствеStandard1200V75A3.5V @ 60AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns650µA @ 1200V
-
Through HoleTO-247-2TO-247AC-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SC SCHOTTKY 1200V 5A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V5A (DC)1.7V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns190µA @ 1200V260pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTKY 650V 16A TO247 в производствеSilicon Carbide Schottky650V16A (DC)1.7V @ 16ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns460µA @ 650V520pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-247-3TO-247AD175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTKY 650V 20A TO247 в производствеSilicon Carbide Schottky650V20A (DC)1.7V @ 20ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns500µA @ 650V580pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-247-3TO-247AD175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SC SCHOTKY 1200V 10A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V10A (DC)1.7V @ 10ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns250µA @ 1200V500pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SC SCHOTKY 1200V 15A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V15A (DC)1.7V @ 15ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns375µA @ 1200V750pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220AC175°C (Max)
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B в производствеSchottky60V5A750mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
700µA @ 60V314pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 5A 80V TO277B в производствеSchottky80V5A720mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
400µA @ 80V245pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B в производствеSchottky50V10A550mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1.5mA @ 50V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277B в производствеSchottky60V8A610mV @ 8AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
600µA @ 60V502pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 8A 100V TO277B в производствеSchottky100V8A680mV @ 8AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
70µA @ 100V542pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277B в производствеSchottky45V10A570mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
800µA @ 45V656pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 50V 10A TO277B в производствеSchottky50V10A550mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1.5mA @ 50V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A в производствеSilicon Carbide Schottky1200V24.5A (DC)1.8V @ 8ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V454pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252, (D-Pak)-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO220 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V17.5A (DC)1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V310pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220-2-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 8A в производствеSilicon Carbide Schottky1200V24.5A (DC)1.8V @ 8ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V454pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220-2-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 1.2KV 28A TO220-2 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V28A (DC)1.8V @ 10ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V582pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220-2-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 15A в производствеSilicon Carbide Schottky1200V44A (DC)1.8V @ 15ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V920pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220-2-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SIC SCHOTTKY 1200V 20A в производствеSilicon Carbide Schottky1200V54.5A (DC)1.8V @ 20ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V1142pF @ 1V, 1MHzThrough HoleTO-220-2TO-220-2-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 5A 80V TO277B в производствеSchottky80V5A720mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
400µA @ 80V245pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B в производствеSchottky100V5A750mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
120µA @ 100V245pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B в производствеSchottky60V5A750mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
700µA @ 60V314pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO277B в производствеSchottky100V5A750mV @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
120µA @ 100V245pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 8A 100V TO277B в производствеSchottky100V8A680mV @ 8AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
70µA @ 100V542pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 12A 100V TO277B в производствеSchottky100V12A700mV @ 12AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
300µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 10A 40V TO-277B в производствеSchottky40V10A570mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
800µA @ 45V639pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 600V 5A TO252 в производствеStandard600V5A1.7V @ 5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252, (D-Pak)-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277B в производствеSchottky45V10A570mV @ 10AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
800µA @ 45V656pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 15A 45V TO277B в производствеSchottky45V15A580mV @ 15AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1.5mA @ 45V868pF @ 5V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 15A 50V TO277B в производствеSchottky50V15A560mV @ 15AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
3mA @ 50V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 20A 50V TO277B в производствеSchottky50V20A650mV @ 20AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
4mA @ 50V
-
SMD Поверхностный монтажTO-277, 3-PowerDFNTO-277B-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V PDFN5X6-8L в производствеSchottky60V20A750mV @ 20AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
1mA @ 60V
-
SMD Поверхностный монтаж8-PowerVDFN8-PDFN (5x6)-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 60V PDFN5X6-8L в производствеSchottky60V30A770mV @ 30AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
6mA @ 60V
-
SMD Поверхностный монтаж8-PowerVDFN8-PDFN (5x6)-55°C ~ 150°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 1.2KV 18.1A TO252 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V18.1A (DC)1.8V @ 5ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V310pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252, (D-Pak)-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252 в производствеSilicon Carbide Schottky1200V33A (DC)1.8V @ 10ANo Recovery Time > 500mA (Io)0ns100µA @ 1200V582pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63TO-252, (D-Pak)-55°C ~ 175°C
Littelfuse Inc. DIODE GEN PURP 400V 12.7A TO220 в производствеStandard400V12.7A
-
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)4µs10µA @ 400V
-
Through HoleTO-220-3 Isolated TabTO-220AB-L-40°C ~ 125°C
  1. 1
  2. 2