номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип диодаНапряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)Текущий - средний отрегулированный (Io)Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ ЕслискоростьВремя обратного восстановления (trr)Текущий - обратный утечек @ VrЕмкость @ Vr, FТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщикаРабочая температура - Соединение
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD523 в производствеSchottky30V100mA1V @ 100mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed5ns500nA @ 25V7pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтажSC-79, SOD-523SOD-523-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 90V 250MA SOT23 в производствеStandard90V250mA1V @ 200mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns100nA @ 90V35pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 в производствеStandard200V200mA1.25V @ 200mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed50ns100nA @ 200V5pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 240V 200MA SOT23 в производствеStandard240V200mA1V @ 100mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed50ns100nA @ 240V5pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 в производствеStandard75V250mA1V @ 100mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)4ns25nA @ 20V4pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 120V 400MA SOT23 в производствеStandard120V400mA1.25V @ 400mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns100nA @ 90V35pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 в производствеStandard75V250mA (DC)1.1V @ 100mAStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)3µs500pA @ 75V2pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 в производствеStandard75V250mA (DC)1V @ 10mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)4ns5µA @ 75V4pF @ 0V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 40V 1.75A SOT23F в производствеSchottky40V1.75A620mV @ 1.5AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)12ns100µA @ 30V25pF @ 25V, 1MHzSMD Поверхностный монтажSOT-23-3 Flat LeadsSOT-23F-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT23 в производствеSchottky30V100mA1V @ 100mASmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed5ns500nA @ 25V7pF @ 1V, 1MHzSMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 1A SMB в производствеStandard200V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
10µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 1A SMA в производствеStandard200V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 200V8pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 1A SMB в производствеStandard400V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
10µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 1A SMA в производствеStandard400V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
10µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 1A SMB в производствеStandard600V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
10mA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB в производствеStandard1000V1A1.1V @ 1AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
10µA @ 1000V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 1A SMA в производствеStandard200V1A1.3V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)150ns5µA @ 200V15pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 1A SMA в производствеStandard400V1A1.3V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)150ns5µA @ 400V15pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 1A SMA в производствеStandard600V1A1.3V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)250ns5µA @ 600V15pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA в производствеStandard1000V1A1.3V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)500ns5µA @ 1000V15pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 1A SMB в производствеStandard200V1A950mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 200V10pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 100V 1A SMA в производствеStandard100V1A1V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 1A SMA в производствеStandard200V1A1V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)35ns5µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 1A SMB в производствеStandard400V1A1.25V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 1A SMA в производствеStandard400V1A1.25V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 1A SMA в производствеStandard600V1A1.4V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)75ns5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB в производствеStandard1000V1A1.7V @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns5µA @ 1000V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 2A SMB в производствеStandard200V2A1.1V @ 2AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)2.5µs5µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 2A SMB в производствеStandard1000V2A1.1V @ 2AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)2.5µs5µA @ 1000V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 2A SMB в производствеStandard200V2A1V @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns10µA @ 200V28pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 2A SMB в производствеStandard400V2A1V @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns10µA @ 400V28pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 2A SMB в производствеStandard600V2A1V @ 2AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns10µA @ 600V28pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 3A SMC в производствеStandard400V3A1.2V @ 3AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 3A SMC в производствеStandard600V3A1.2V @ 3AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC в производствеStandard1000V3A1.2V @ 3AStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
-
5µA @ 1000V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 100V 3A SMC в производствеStandard100V3A1V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 100V 3A SMB в производствеStandard100V3A1V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 100V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 3A SMC в производствеStandard200V3A1V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 200V 3A SMB в производствеStandard200V3A1V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 200V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 3A SMC в производствеStandard400V3A1.25V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 400V 3A SMB в производствеStandard400V3A1.25V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)50ns5µA @ 400V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 3A SMC в производствеStandard600V3A1.4V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 3A SMC в производствеStandard600V3A1.4V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 600V 3A SMB в производствеStandard600V3A1.4V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns5µA @ 600V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC в производствеStandard1000V3A1.7V @ 3AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)100ns5µA @ 1000V
-
SMD Поверхностный монтажDO-214AB, SMCSMC-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323 в производствеStandard75V250mA (DC)1V @ 100mAFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)4ns25nA @ 20V
-
SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SOT-323-65°C ~ 175°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB в производствеSchottky100V1A850mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 100V45pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA в производствеSchottky100V1A850mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 100V29pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB в производствеSchottky20V1A550mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 20V68pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AA, SMBSMB-65°C ~ 150°C
Central Semiconductor Corp DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA в производствеSchottky20V1A500mV @ 1AFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500µA @ 20V42pF @ 4V, 1MHzSMD Поверхностный монтажDO-214AC, SMASMA-65°C ~ 150°C
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
  7. 7
  8. 8
  9. 9