Central Semiconductor агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - CMXDM7002A TR CMLDM3757 TR

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
CMXDM7002A TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	280mA	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.59nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6	SOT-26
CMLDM3757 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N/P-CH 20V SOT563	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	540mA, 430mA	550 mOhm @ 540mA, 4.5V	1V @ 250µA	1.58nC @ 4.5V	150pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7003 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	50V	280mA	2 Ohm @ 50mA, 5V	1V @ 250µA	0.76nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM5757 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	430mA	900 mOhm @ 430mA, 4.5V	1V @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	175pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7003T TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	50V	280mA	1.5 Ohm @ 50mA, 5V	1.2V @ 250µA	0.76nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM3737 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	540mA	550 mOhm @ 540mA, 4.5V	1V @ 250µA	1.58nC @ 4.5V	150pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMKDM8005 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT363	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	650mA	360 mOhm @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	100pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
CMRDM3575 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N/P-CH 20V SOT963	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	160mA, 140mA	3 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.46nC @ 4.5V	9pF @ 15V	125mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-963	SOT-963
CMLDM8002AG TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	280mA	2.5 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.72nC @ 4.5V	70pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7585 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	650mA	230 mOhm @ 600mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	1.58nC @ 4.5V	100pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7003G TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	50V	280mA	2 Ohm @ 50mA, 5V	1V @ 250µA	0.76nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CWDM305ND TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	5.8A	30 mOhm @ 2.9A, 10V	3V @ 250µA	6.3nC @ 5V	560pF @ 10V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
CMLDM7002AJ TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	280mA	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.59nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CTLDM304P-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS	устарелый	2 P-Channel (Dual)	Standard	30V	4.2A	70 mOhm @ 4.2A, 10V	1.3V @ 250µA	6.4nC @ 4.5V	760pF @ 15V	1.65W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TDFN Exposed Pad	TLM832DS
CTLDM303N-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	3.6A	40 mOhm @ 1.8A, 4.5V	1.2V @ 250µA	13nC @ 4.5V	590pF @ 10V	1.65W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-TDFN Exposed Pad	TLM832DS
CMLDM7003TG TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	50V	280mA	1.5 Ohm @ 50mA, 5V	1.2V @ 250µA	0.76nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM8005 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	650mA	360 mOhm @ 350mA, 4.5V	1V @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	100pF @ 16V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7002AG TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	280mA	2 Ohm @ 500mA, 10V	2.5V @ 250µA	0.59nC @ 4.5V	50pF @ 25V	350mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CMLDM7484 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563	в производстве	N and P-Channel Complementary	Standard	30V	450mA	460 mOhm @ 200mA, 4.5V	1V @ 250µA	0.79nC @ 4.5V	45pF @ 25V	150mW	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
CWDM305PD TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	30V	5.3A	72 mOhm @ 2.7A, 10V	3V @ 250µA	7nC @ 5V	590pF @ 10V	2W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы