Nexperia агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - BSS84AKS,115 NX1029X,115

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BSS84AKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	160mA	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	36pF @ 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX1029X,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	60V, 50V	330mA, 170mA	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	36pF @ 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NX3020NAKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	200mA	4.5 Ohm @ 100mA, 10V	1.5V @ 250µA	0.44nC @ 4.5V	13pF @ 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
2N7002PS,125	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	320mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.4V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	420mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002BKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	340mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.6nC @ 4.5V	50pF @ 10V	350mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
BSS138BKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	320mA	1.6 Ohm @ 320mA, 10V	1.6V @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	56pF @ 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008NBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	400mA	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	50pF @ 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NX3008PBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	220mA	4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.72nC @ 4.5V	46pF @ 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMCXB900UELZ	Nexperia USA Inc.	20 V COMPLEMENTARY N/P-CHANNEL	в производстве	N and P-Channel Complementary	Standard	20V	600mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	380mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
BSS84AKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	50V	170mA	7.5 Ohm @ 100mA, 10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 5V	36pF @ 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMDT290UNE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	800mA	380 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	83pF @ 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMDPB58UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	3.6A	67 mOhm @ 2A, 4.5V	950mV @ 250µA	9.5nC @ 4.5V	804pF @ 10V	515mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	DFN2020-6
PMCPB5530X,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	5.3A, 3.4A	34 mOhm @ 3A, 4.5V	900mV @ 250µA	21.7nC @ 4.5V	660pF @ 10V	490mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	DFN2020-6
PMDXB600UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	600mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
PMCXB900UE	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN	в производстве	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate	20V	600mA, 500mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
PMCXB900UEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6DFN	в производстве	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate	20V	600mA, 500mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
BUK9K134-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	100V	8.5A	159 mOhm @ 5A, 5V	2.1V @ 1mA	7.4nC @ 5V	755pF @ 25V	32W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK9K6R2-40E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	40V	40A	6 mOhm @ 25A, 10V	2.1V @ 1mA	35.4nC @ 10V	3281pF @ 25V	68W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
NX7002BKXBZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	260mA	2.8 Ohm @ 200mA, 10V	2.1V @ 250µA	1nC @ 10V	23.6pF @ 10V	285mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	6-DFN (1.1x1)
PMDXB600UNELZ	Nexperia USA Inc.	20 V DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	20V	600mA	620 mOhm @ 600mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.7nC @ 4.5V	21.3pF @ 10V	380mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
PMDXB1200UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	30V	410mA	1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.2nC @ 4.5V	43.2pF @ 15V	285mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
PMDXB550UNEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	590mA	670 mOhm @ 590mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.05nC @ 4.5V	30.3pF @ 15V	285mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
PMDPB70XPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	3A	79 mOhm @ 2A, 4.5V	1.25V @ 250µA	7.5nC @ 4.5V	600pF @ 10V	515mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	DFN2020-6
PMDPB95XNE2X	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	2.7A (Ta)	99 mOhm @ 2.8A, 4.5V	1.25V @ 250µA	4.5nC @ 4.5V	258pF @ 15V	510mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-UDFN Exposed Pad	6-HUSON (2x2)
BUK7K52-60EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 15.4A LFPAK	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	15.4A	45 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	9.2nC @ 10V	535pF @ 25V	32W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK7K32-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	100V	29A	27.5 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	34nC @ 10V	2137pF @ 25V	64W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
PHP225,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC	устарелый	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	2.3A	250 mOhm @ 1A, 10V	2.8V @ 1mA	25nC @ 10V	250pF @ 20V	2W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
PHC2300,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 300V 8SOIC	устарелый	N and P-Channel	Logic Level Gate	300V	340mA, 235mA	6 Ohm @ 170mA, 10V	2V @ 1mA	6.24nC @ 10V	102pF @ 50V	1.6W	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
PHC21025,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	устарелый	N and P-Channel	Logic Level Gate	30V	3.5A, 2.3A	100 mOhm @ 2.2A, 10V	2.8V @ 1mA	30nC @ 10V	250pF @ 20V	2W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO
2N7002PV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	350mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.4V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	330mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NX138BKSX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	210mA (Ta)	3.5 Ohm @ 200mA, 10V	1.5V @ 250µA	0.7nC @ 10V	20pF @ 30V	320mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX138AKSX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	60V	170mA (Ta)	4.5 Ohm @ 170mA, 10V	1.5V @ 250µA	1.4nC @ 10V	20pF @ 30V	325mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
PMDXB950UPEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	500mA	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2.1nC @ 4.5V	43pF @ 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
PMGD290XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	860mA	350 mOhm @ 200mA, 4.5V	1.5V @ 250µA	0.72nC @ 4.5V	34pF @ 20V	410mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
PMDXB950UPELZ	Nexperia USA Inc.	20 V DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Standard	20V	500mA	1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	2.1nC @ 4.5V	43pF @ 10V	380mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
PMDT670UPE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666	в производстве	2 P-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	550mA	850 mOhm @ 400mA, 4.5V	1.3V @ 250µA	1.14nC @ 4.5V	87pF @ 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
2N7002PS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	320mA	1.6 Ohm @ 500mA, 10V	2.4V @ 250µA	0.8nC @ 4.5V	50pF @ 10V	420mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008CBKV,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V SOT666	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	30V	400mA, 220mA	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	50pF @ 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMCXB1000UEZ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6	в производстве	N and P-Channel Complementary	Standard	30V	590mA (Ta), 410mA (Ta)	670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V	950mV @ 250µA	1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V	30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V	285mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFDFN Exposed Pad	DFN1010B-6
NX3008CBKS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	30V	350mA, 200mA	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	50pF @ 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
PMCM650CUNEZ	Nexperia USA Inc.	PMCM650CUNE NAX000 NONE	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Standard	-	-	-	900mV @ 250µA	13nC @ 4.5V	-	556mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-XFBGA, WLCSP	6-WLCSP (1.48x0.98)
BUK7K89-100EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 100V 13A LFPAK56	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	100V	13A	82.5 mOhm @ 5A, 10V	4V @ 1mA	13.6nC @ 10V	811pF @ 25V	38W	-	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK7K8R7-40EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	40V	30A	8.5 mOhm @ 15A, 10V	4V @ 1mA	21.8nC @ 10V	1439pF @ 25V	53W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK9K5R6-30EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	40A	5.8 mOhm @ 10A, 5V	2.1V @ 1mA	22.6nC @ 5V	2480pF @ 25V	64W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK7K5R6-30E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	40A	5.6 mOhm @ 25A, 10V	4V @ 1mA	29.7nC @ 10V	1969pF @ 25V	64W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
BUK9K5R1-30EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	40A	5.3 mOhm @ 10A, 5V	2.1V @ 1mA	26.7nC @ 5V	3065pF @ 25V	68W	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-1205, 8-LFPAK56	LFPAK56D
PMDT290UCE,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N/P-CH 20V SOT666	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	800mA, 550mA	380 mOhm @ 500mA, 4.5V	950mV @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	83pF @ 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMGD780SN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	490mA	920 mOhm @ 300mA, 10V	2.5V @ 250µA	1.05nC @ 10V	23pF @ 30V	410mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008NBKSH	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	350mA (Ta)	1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nC @ 4.5V	50pF @ 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
PHN210T,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	-	100 mOhm @ 2.2A, 10V	2.8V @ 1mA	6nC @ 10V	250pF @ 20V	2W	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SO

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы