Microchip Technology агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - TC6320TG-G DN2625DK6-G

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
TC6320TG-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Standard	200V	-	7 Ohm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
DN2625DK6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Depletion Mode	250V	1.1A	3.5 Ohm @ 1A, 0V	-	7.04nC @ 1.5V	1000pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (5x5)
TC8020K6-G	Microchip Technology	MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN	в производстве	6 N and 6 P-Channel	Standard	200V	-	8 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	50pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	56-VFQFN Exposed Pad	56-QFN (8x8)
TC6215TG-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Standard	150V	-	4 Ohm @ 2A, 10V	2V @ 1mA	-	120pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
TC2320TG-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Standard	200V	-	7 Ohm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
TC6320K6-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN	в производстве	N and P-Channel	Standard	200V	-	7 Ohm @ 1A, 10V	2V @ 1mA	-	110pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN (4x4)
TD9944TG-G	Microchip Technology	MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC	в производстве	2 N-Channel (Dual)	Standard	240V	-	6 Ohm @ 500mA, 10V	2V @ 1mA	-	125pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
TC8220K6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN	в производстве	2 N and 2 P-Channel	Standard	200V	-	6 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	56pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	12-VFDFN Exposed Pad	12-DFN (4x4)
TC6321T-V/9U	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN	в производстве	N and P-Channel	Logic Level Gate	200V	2A (Ta)	7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V	2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA	-	110pF @ 25V, 200pF @ 25V	-	-55°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	8-VDFN Exposed Pad	8-VDFN (6x5)
TC7920K6-G	Microchip Technology	MOSFET 2N/2P-CH 200V 12VDFN	в производстве	2 N and 2 P-Channel	Standard	200V	-	10 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	52pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	12-VFDFN Exposed Pad	12-DFN (4x4)
TC1550TG-G	Microchip Technology	MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC	в производстве	N and P-Channel	Standard	500V	-	60 Ohm @ 50mA, 10V	4V @ 1mA	-	55pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC
TC8020K6-G-M937	Microchip Technology	MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN	в производстве	6 N and 6 P-Channel	Standard	200V	-	8 Ohm @ 1A, 10V	2.4V @ 1mA	-	50pF @ 25V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	56-VFQFN Exposed Pad	56-QFN (8x8)

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы