Maxim Integrated агент по продажам - Память - DS2065W-100# DS2070W-100# - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип памяти	Формат памяти	Технологии	Размер памяти	Частота часов	Время цикла записи - слово, страница	Время доступа	Интерфейс памяти	Напряжение - Поставка	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
DS2065W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 8M PARALLEL 256BGA	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	8Mb (1M x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	256-BGA	256-BGA (27x27)
DS2070W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16M PARALLEL 256BGA	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Mb (2M x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	256-BGA	256-BGA (27x27)
DS3030W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	256Kb (32K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	256-BGA	256-BGA (27x27)
DS3045W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	1Mb (128K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	256-BGA	256-BGA (27x27)
DS3050W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 4M PARALLEL 256BGA	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	4Mb (512K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	256-BGA	256-BGA (27x27)
DS28DG02G-3C+	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 36TQFN	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (256 x 8)	2MHz	-	-	SPI	2.2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	36-WFQFN Exposed Pad	36-TQFN (6x6)
DS28DG02E-3C+	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 28TSSOP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (256 x 8)	2MHz	-	-	SPI	2.2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad	28-TSSOP-EP
DS2431Q+U	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)
DS1270W-150#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Mb (2M x 8)	-	150ns	150ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	36-DIP Module (0.600", 15.24mm)	36-EDIP
DS1270Y-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Mb (2M x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	36-DIP Module (0.600", 15.24mm)	36-EDIP
DS1265AB-70+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	8Mb (1M x 8)	-	70ns	70ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	36-DIP Module (0.600", 15.24mm)	36-EDIP
DS1258Y-70#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258W-100IND#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258W-150#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	150ns	150ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258W-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258Y-70IND#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258AB-70#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258AB-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	100ns	100ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258AB-70IND#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	70ns	70ns	Parallel	4.75 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1258Y-100#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (128K x 16)	-	100ns	100ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	Through Hole	40-DIP Module (0.610", 15.495mm)	40-EDIP
DS1249W-100IND#	Maxim Integrated	IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	2Mb (256K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	3 V ~ 3.6 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	32-DIP Module (0.600", 15.24mm)	32-EDIP
DS1220Y-100IND+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP	устарелый	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	16Kb (2K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	-40°C ~ 85°C (TA)	Through Hole	24-DIP Module (0.600", 15.24mm)	24-EDIP
DS28DG02G-3C+T	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 36TQFN	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (256 x 8)	2MHz	-	-	SPI	2.2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	36-WFQFN Exposed Pad	36-TQFN (6x6)
DS28DG02E-3C+T	Maxim Integrated	IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 28TSSOP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	2Kb (256 x 8)	2MHz	-	-	SPI	2.2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad	28-TSSOP-EP
DS28CZ04G-4+	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 12TQFN	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (512 x 8)	400kHz	-	-	I²C	2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	12-WQFN Exposed Pad	12-TQFN (4x4)
DS2433G+T&R	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 2SFN	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	2-SFN	2-SFN (6x6)
DS28CZ04G-4+T	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 12TQFN	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (512 x 8)	400kHz	-	-	I²C	2 V ~ 5.25 V	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	12-WQFN Exposed Pad	12-TQFN (4x4)
DS2433X-S#T	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6FLIPCHIP	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-VBGA, FCBGA	6-FlipChip (2.82x2.54)
DS2433X#T	Maxim Integrated	IC EEPROM 4K 1WIRE 6FLIPCHIP	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	4Kb (256 x 16)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-VBGA, FCBGA	6-FlipChip (2.82x2.54)
DS2431X+	Maxim Integrated	IC EEPROM 1K 1WIRE 6UCSPR	устарелый	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1Kb (256 x 4)	-	-	2µs	1-Wire®	-	-40°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WFBGA, CSPBGA	6-UCSPR (1.68x1.68)
DS1250YP-100+	Maxim Integrated	IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP	в производстве	Non-Volatile	NVSRAM	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	4Mb (512K x 8)	-	100ns	100ns	Parallel	4.5 V ~ 5.5 V	0°C ~ 70°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	34-PowerCap™ Module	34-PowerCap Module
DS2704G+	Maxim Integrated	IC EEPROM 1.25K 1WIRE 6TDFN	в производстве	Non-Volatile	EEPROM	EEPROM	1.25Kb (32 Bytes x 5 pages)	-	-	2µs	1-Wire®	2.5 V ~ 5.5 V	-30°C ~ 85°C (TA)	SMD Поверхностный монтаж	6-WDFN Exposed Pad	6-TDFN-EP (3x3)

Производители для Память