Taiwan Semiconductor агент по продажам - Диоды - Зенера - Одноместный - BZD27C9V1P R3G BZD27C9V1P RFG - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BZD27C9V1P R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 9.05V 1W SUB SMA	устарелый	9.05V	±6.07%	1W	4 Ohms	10µA @ 5V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C9V1P RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 9.05V 1W SUB SMA	устарелый	9.05V	±6.07%	1W	4 Ohms	10µA @ 5V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C10P RUG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 10V 1W SUB SMA	устарелый	10V	±6%	1W	4 Ohms	7µA @ 7.5V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C10P RVG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 10V 1W SUB SMA	устарелый	10V	±6%	1W	4 Ohms	7µA @ 7.5V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C6V8P RUG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 6.8V 1W SUB SMA	устарелый	6.8V	±5.88%	1W	3 Ohms	10µA @ 3V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C7V5P RUG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 7.45V 1W SUB SMA	устарелый	7.45V	±6.04%	1W	2 Ohms	50µA @ 3V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C8V2P RUG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 8.2V 1W SUB SMA	устарелый	8.2V	±6.09%	1W	2 Ohms	10µA @ 3V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZD27C9V1P RUG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 9.05V 1W SUB SMA	устарелый	9.05V	±6.07%	1W	4 Ohms	10µA @ 5V	1.2V @ 200mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	DO-219AB	Sub SMA
BZT52C5V1 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 5.1V 500MW SOD123F	в производстве	5.1V	±5%	500mW	60 Ohms	1.8µA @ 2V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZX84C3V0 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 3V 300MW SOT23	в производстве	3V	±5%	300mW	95 Ohms	10µA @ 1V	900mV @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
1N5242B A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 12V 500MW DO35	в производстве	12V	±5%	500mW	30 Ohms	500nA @ 9V	1.1V @ 200mA	100°C (TJ)	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
1N5245B A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 15V 500MW DO35	в производстве	15V	±5%	500mW	16 Ohms	100nA @ 11V	1.1V @ 200mA	100°C (TJ)	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
1N5252B A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 24V 500MW DO35	в производстве	24V	±5%	500mW	33 Ohms	100nA @ 18V	1.1V @ 200mA	100°C (TJ)	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
UDZS15B RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 15V 200MW SOD323F	в производстве	15V	±2%	200mW	40 Ohms	45nA @ 11V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
MMSZ5232B RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 5.6V 500MW SOD123F	в производстве	5.6V	±5%	500mW	11 Ohms	5µA @ 3V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
MMSZ5248B RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 18V 500MW SOD123F	в производстве	18V	±5%	500mW	21 Ohms	100nA @ 14V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C18S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 18V 200MW SOD323F	в производстве	18V	±5%	200mW	45 Ohms	45nA @ 12.6V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C15S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 15V 200MW SOD323F	в производстве	15V	±5%	200mW	30 Ohms	45nA @ 10.5V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C6V8S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 6.8V 200MW SOD323F	в производстве	6.8V	±5%	200mW	15 Ohms	1.8µA @ 4V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C16S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 16V 200MW SOD323F	в производстве	16V	±5%	200mW	40 Ohms	45nA @ 11.2V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C20S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 20V 200MW SOD323F	в производстве	20V	±5%	200mW	55 Ohms	45nA @ 14V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C51S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 51V 200MW SOD323F	в производстве	51V	±5%	200mW	180 Ohms	45nA @ 35.7V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C5V1S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 5.1V 200MW SOD323F	в производстве	5.1V	±5%	200mW	60 Ohms	1.8µA @ 2V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
MMSZ5242B RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 12V 500MW SOD123F	в производстве	12V	±5%	500mW	30 Ohms	1µA @ 9.1V	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C39S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 39V 200MW SOD323F	в производстве	39V	±5%	200mW	130 Ohms	45nA @ 27.3V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C3V0S RRG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 3V 200MW SOD323F	в производстве	3V	±5%	200mW	100 Ohms	9µA @ 1V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-90, SOD-323F	SOD-323F
BZT52C15 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 15V 500MW SOD123F	в производстве	15V	±5%	500mW	30 Ohms	45nA @ 10.5V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C12 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 12V 500MW SOD123F	в производстве	12V	±5%	500mW	25 Ohms	90nA @ 8V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C10 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 10V 500MW SOD123F	в производстве	10V	±5%	500mW	20 Ohms	180nA @ 7V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C27 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 27V 500MW SOD123F	в производстве	27V	±5%	500mW	80 Ohms	45nA @ 18.9V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C3V6 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 3.6V 500MW SOD123F	в производстве	3.6V	±5%	500mW	90 Ohms	4.5µA @ 1V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C4V7 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 4.7V 500MW SOD123F	в производстве	4.7V	±5%	500mW	80 Ohms	2.7µA @ 2V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C6V2 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 6.2V 500MW SOD123F	в производстве	6.2V	±5%	500mW	10 Ohms	2.7µA @ 4V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C30 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 30V 500MW SOD123F	в производстве	30V	±5%	500mW	80 Ohms	45nA @ 21V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C47 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 47V 500MW SOD123F	в производстве	47V	±5%	500mW	170 Ohms	45nA @ 33V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C4V3 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 4.3V 500MW SOD123F	в производстве	4.3V	±5%	500mW	90 Ohms	2.7µA @ 1V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C51 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 51V 500MW SOD123F	в производстве	51V	±5%	500mW	180 Ohms	45nA @ 35.7V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C5V6 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 5.6V 500MW SOD123F	в производстве	5.6V	±5%	500mW	40 Ohms	900nA @ 2V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C75 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 75V 500MW SOD123F	в производстве	75V	±5%	500mW	255 Ohms	45nA @ 52.5V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C7V5 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 7.5V 500MW SOD123F	в производстве	7.5V	±5%	500mW	15 Ohms	900nA @ 5V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52C8V2 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 8.2V 500MW SOD123F	в производстве	8.2V	±5%	500mW	15 Ohms	630nA @ 5V	1V @ 10mA	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B10 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 10V 500MW SOD123F	в производстве	10V	±2%	500mW	20 Ohms	180nA @ 7V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B18 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 18V 500MW SOD123F	в производстве	18V	±2%	500mW	45 Ohms	45nA @ 12.6V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B22 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 22V 500MW SOD123F	в производстве	22V	±2%	500mW	55 Ohms	45nA @ 15.4V	1V @ 10mA	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B7V5 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 7.5V 500MW SOD123F	в производстве	7.5V	±2%	500mW	15 Ohms	900nA @ 5V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B24 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 24V 500MW SOD123F	в производстве	24V	±2%	500mW	70 Ohms	45nA @ 16.8V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B2V4 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 2.4V 500MW SOD123F	в производстве	2.4V	±2%	500mW	100 Ohms	45µA @ 1V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B3V3 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 3.3V 500MW SOD123F	в производстве	3.3V	±2%	500mW	95 Ohms	4.5µA @ 1V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B3V9 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 3.9V 500MW SOD123F	в производстве	3.9V	±2%	500mW	90 Ohms	2.7µA @ 1V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F
BZT52B5V1 RHG	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE 5.1V 500MW SOD123F	в производстве	5.1V	±2%	500mW	60 Ohms	1.8µA @ 2V	1V @ 10mA	-55°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOD-123F	SOD-123F

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный