Toshiba Semiconductor and Storage агент по продажам - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы - TPCP8203(TE85L,F) TPCP8401(TE85L,F) - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Функция FET	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	Vgs (th) (Max) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
TPCP8203(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 40V 4.7A PS-8	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Standard	40V	4.7A	-	2.5V @ 1mA	-	-	360mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Flat Lead	PS-8 (2.9x2.4)
TPCP8401(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8	устарелый	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V, 12V	100mA, 5.5A	3 Ohm @ 10mA, 4V	1.1V @ 100µA	-	9.3pF @ 3V	1W	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SMD, Flat Lead	PS-8 (2.9x2.4)
TPC8211(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	5.5A	36 mOhm @ 3A, 10V	2.5V @ 1mA	25nC @ 10V	1250pF @ 10V	450mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	8-SOP (5.5x6.0)
TPC8212-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	6A	21 mOhm @ 3A, 10V	2.3V @ 1mA	16nC @ 10V	840pF @ 10V	450mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	8-SOP (5.5x6.0)
TPC8213-H(TE12LQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	5A	50 mOhm @ 2.5A, 10V	2.3V @ 1mA	11nC @ 10V	625pF @ 10V	450mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)	8-SOP (5.5x6.0)
SSM6N37CTD(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	250mA	2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V	1V @ 1mA	-	12pF @ 10V	140mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD, Flat Leads	CST6D
SSM6N42FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	20V	800mA	240 mOhm @ 500mA, 4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	90pF @ 10V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	ES6 (1.6x1.6)
SSM6N7002BFE(T5L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6	Discontinued at -	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	200mA	2.1 Ohm @ 500mA, 10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	150mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	ES6 (1.6x1.6)
SSM6N7002BFU(T5L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	200mA	2.1 Ohm @ 500mA, 10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	300mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
TPC8221-H,LQ(S	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Standard	30V	6A	25 mOhm @ 3A, 10V	2.3V @ 100µA	12nC @ 10V	830pF @ 10V	450mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOP
TPCL4201(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA	устарелый	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	-	-	-	1.2V @ 200µA	-	720pF @ 10V	500mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-XFLGA	4-Chip LGA (1.59x1.59)
TPCL4202(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA	устарелый	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	-	-	-	1.2V @ 200µA	-	780pF @ 10V	500mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-XFLGA	4-Chip LGA (1.59x1.59)
TPCL4203(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA	устарелый	2 N-Channel (Half Bridge)	Standard	-	-	-	1.2V @ 200µA	-	685pF @ 10V	500mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	4-XFLGA	4-Chip LGA (1.59x1.59)
SSM6N7002BFU,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6	устарелый	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	60V	200mA	2.1 Ohm @ 500mA, 10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	300mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
SSM6N48FU,RF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C	Discontinued at -	2 N-Channel (Dual)	Logic Level Gate	30V	100mA	3.2 Ohm @ 10mA, 4V	1.5V @ 100µA	-	15.1pF @ 3V	300mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
SSM6L11TU(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S	устарелый	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	500mA	145 mOhm @ 250MA, 4V	1.1V @ 100µA	-	268pF @ 10V	500mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	6-SMD, Flat Leads	UF6

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы