Диоды - Зенера - Одноместный - Дискретный полупроводник - JAN1N4132C-1 JAN1N4133C-1 JAN1N4134C-1 JAN1N4135C-1 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	Толерантность	Мощность - макс.	Импеданс (макс.) (Zzt)	Текущий - обратный утечек @ Vr	Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
JAN1N4132C-1	Microsemi Corporation	DIODE 82V DO35	в производстве	82V	±2%	-	800 Ohms	10nA @ 62.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4133C-1	Microsemi Corporation	DIODE 87V DO35	в производстве	87V	±2%	-	1000 Ohms	10nA @ 66.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4134C-1	Microsemi Corporation	DIODE 91V DO35	в производстве	91V	±2%	-	1200 Ohms	10nA @ 69.2V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4135C-1	Microsemi Corporation	DIODE 100V DO35	в производстве	100V	±2%	-	1600 Ohms	10nA @ 76V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTX1N753AUR-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.2V 500MW DO213AA	в производстве	6.2V	±5%	500mW	3 Ohms	5µA @ 3.5V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA	DO-213AA
CDLL4567A	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO213AA	в производстве	6.4V	-	500mW	200 Ohms	2µA @ 3V	-	-55°C ~ 100°C	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA (Glass)	DO-213AA
1N4567AUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CDLL4567	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4103-1	Microsemi Corporation	DIODE 9.1V 500MW DO35	в производстве	9.1V	±5%	500mW	200 Ohms	500nA @ 7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4115-1	Microsemi Corporation	DIODE 22V 500MW DO35	в производстве	22V	±5%	500mW	150 Ohms	10nA @ 16.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4120-1	Microsemi Corporation	DIODE 30V 500MW DO35	в производстве	30V	±5%	500mW	200 Ohms	10nA @ 22.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4129-1	Microsemi Corporation	DIODE 62V 500MW DO35	Discontinued at -	62V	±5%	500mW	500 Ohms	10nA @ 47.1V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4123-1	Microsemi Corporation	DIODE 39V 500MW DO35	в производстве	39V	±5%	500mW	200 Ohms	10nA @ 29.7V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4125-1	Microsemi Corporation	DIODE 47V 500MW DO35	в производстве	47V	±5%	500mW	250 Ohms	10nA @ 35.8V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JANTX1N4122-1	Microsemi Corporation	DIODE 36V 500MW DO35	в производстве	36V	±5%	500mW	200 Ohms	10nA @ 27.4V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35
JAN1N4475US	Semtech Corporation	27V ZENER 1.5W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTXV1N4566A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	200 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTXV1N4570A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	100 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTXV1N4576A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	50 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTXV1N4581A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	25 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JANTX1N4972	Microsemi Corporation	DIODE 39V 5W AXIAL	в производстве	39V	±5%	5W	14 Ohms	2µA @ 29.7V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	E, Axial	-
JANTXV1N821UR-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.2V 500MW DO213AA	в производстве	6.2V	±5%	500mW	15 Ohms	2µA @ 3V	-	-	SMD Поверхностный монтаж	DO-213AA	DO-213AA
1N4577AUR-1	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CDLL4577	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
CDLL4577A	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4461	Microsemi Corporation	DIODE 6.8V 1.5W DO41	в производстве	6.8V	±5%	1.5W	200 Ohms	5µA @ 4.08V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4460	Microsemi Corporation	DIODE 6.2V 1.5W DO41	в производстве	6.2V	±5%	1.5W	4 Ohms	10µA @ 3.72V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4462	Microsemi Corporation	DIODE 7.5V 1.5W DO41	в производстве	7.5V	±5%	1.5W	2.5 Ohms	1µA @ 4.5V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4463	Microsemi Corporation	DIODE 8.2V 1.5W DO41	в производстве	8.2V	±5%	1.5W	3 Ohms	500nA @ 4.92V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4468	Microsemi Corporation	DIODE 13V 1.5W DO41	в производстве	13V	±5%	1.5W	8 Ohms	50nA @ 10.4V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4473	Microsemi Corporation	DIODE 22V 1.5W DO41	в производстве	22V	±5%	1.5W	14 Ohms	50nA @ 17.6V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4475	Microsemi Corporation	DIODE 27V 1.5W DO41	в производстве	27V	±5%	1.5W	18 Ohms	50nA @ 21.6V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4476	Microsemi Corporation	DIODE 30V 1.5W DO41	в производстве	30V	±5%	1.5W	20 Ohms	50nA @ 24V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JAN1N4482	Microsemi Corporation	DIODE 51V 1.5W DO41	в производстве	51V	±5%	1.5W	60 Ohms	50nA @ 40.8V	1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-41
JANTX1N4572A-1	Microsemi Corporation	DIODE 3V 500MW DO35	в производстве	3V	±5%	500mW	100 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4583A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	25 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
JAN1N4577A-1	Microsemi Corporation	DIODE 6.4V 500MW DO35	в производстве	6.4V	±5%	500mW	50 Ohms	2µA @ 3V	-	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
1N4493	Microsemi Corporation	DIODE 150V 1.5W DO204AL	в производстве	150V	±5%	1.5W	700 Ohms	250nA @ 120V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AL, DO-41, Axial	DO-204AL (DO-41)
1N4491	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N4492	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N4494	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
1N4496	Microsemi Corporation	DIODE	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N966D-1	Microsemi Corporation	DIODE 16V 500MW DO35	Discontinued at -	16V	±5%	500mW	17 Ohms	500nA @ 12V	1.1V @ 200mA	-65°C ~ 175°C	Through Hole	DO-204AH, DO-35, Axial	DO-35 (DO-204AH)
1N4955US	Microsemi Corporation	DIODE 7.5V 5W D5B	в производстве	7.5V	±5%	5W	1.5 Ohms	100µA @ 5.7V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
1N4958US	Microsemi Corporation	DIODE 10V 5W D5B	в производстве	10V	±5%	5W	2 Ohms	25µA @ 7.6V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	Through Hole	E-MELF	D-5B
1N4959US	Microsemi Corporation	DIODE 11V 5W D5B	в производстве	11V	±5%	5W	2.5 Ohms	10µA @ 8.4V	1.5V @ 1A	-65°C ~ 175°C	SMD Поверхностный монтаж	E-MELF	D-5B
JANTX1N4464US	Semtech Corporation	9.1V ZENER 1.5W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4474US	Semtech Corporation	24V ZENER 1.5W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4475US	Semtech Corporation	27V ZENER 1.5W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
JANTX1N4476US	Semtech Corporation	30V ZENER 1.5W	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Производители для Диоды - Зенера - Одноместный