1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
BLF6G27LS-40P,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.7GHz17.5dB28V
-
-
450mA12W65VSOT-1121BLDMOST
BLF2425M7LS250P,11
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.45GHz15dB28V
-
-
20mA250W65VSOT539BSOT539B
UF28150J
 M/A-Com Technology Solutions MOSFET 150W 28V 100-500MHZ в производстве2 N-Channel (Dual)100MHz ~ 500MHz8dB28V16A
-
400mA150W65V
-
-
BLL6H1214LS-250,11
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz17dB50V42A
-
100mA250W100VSOT-502BSOT502B
BLP0427M9S20Z
 Ampleon USA Inc. BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP в производствеLDMOS400MHz ~ 2.7GHz19dB28V1.4µA
-
100mA20W65VSOT-1482-1SOT-1482-1
BLP0427M9S20GZ
 Ampleon USA Inc. BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP в производствеLDMOS400MHz ~ 2.7GHz19dB28V1.4µA
-
100mA20W65VSOT-1483-1SOT1483-1
BLP9H10-30Z
 Ampleon USA Inc. BLP9H10-30/SOT1483/REELDP в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BLP9H10-30GZ
 Ampleon USA Inc. BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT-1483-1SOT1483-1
BLM8G0710S-45ABGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12122 в производствеLDMOS (Dual)957.5MHz35dB28V
-
-
30mA3W65VSOT-1212-216-HSOP
LET9045STR
 STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF в производствеLDMOS960MHz18.5dB28V1µA
-
300mA45W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)PowerSO-10RF (Straight Lead)
LET9045TR
 STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF в производствеLDMOS960MHz18.5dB28V1µA
-
300mA45W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
BLP8G05S-200GY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 в производствеLDMOS (Dual), Common Source440MHz21dB28V
-
-
2mA210W65VSOT-1204-24-HSOP
BLP15M7160PY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source860MHz20dB28V
-
-
100mA160W65VSOT-1223-24-HSOPF
BLF8G27LS-100V,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B в производствеLDMOS2.5GHz ~ 2.7GHz17dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-1244BCDFM6
BLF8G27LS-100V,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B в производствеLDMOS2.5GHz ~ 2.7GHz17dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-1244BCDFM6
BLF8G27LS-100U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B в производствеLDMOS2.5GHz ~ 2.7GHz17dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-502BSOT502B
BLC10G22XS-240PWTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G22XS-240PWT/SOT1275/TRAYDP в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.2GHz
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BLC2425M10LS250Z
 Ampleon USA Inc. BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP в производствеLDMOS2.4GHz ~ 2.5GHz14.4dB32V2.8µA
-
100mA250W65VSOT-1270-1SOT-1270-1
BLC10G18XS-400AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-400AVT/SOT1258/TRAY в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.805GHz ~ 1.88GHz15.7dB32V2.8µA
-
800mA400W65VSOT-1258-4SOT1258-4
BLP05H6700XRGY
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP в производствеLDMOS600MHz26dB50V1.4µA
-
100mA700W135VSOT-1204-24-HSOP
LET9045C
 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 9A M-250 в производствеLDMOS960MHz17.7dB28V9A
-
300mA59W80VM243M243
BLC10G22XS-550AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC10G22XS-550AVT/SOT1258/TRAY в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.2GHz
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BLC9G27XS-380AVTZ
 Ampleon USA Inc. BLC9G27XS-380AVT/SOT1258/TRAYD в производствеLDMOS2.496GHz ~ 2.69GHz15.5dB30V2.8µA
-
600mA380W65VSOT-1258-7SOT-1258-7
LET9060C
 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 12A M-243 устарелыйLDMOS945MHz18dB28V12A
-
400mA75W80VM243M243
BLS9G2735L-50U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET SOT1135A в производстве
-
2.7GHz ~ 3.5GHz12dB
-
-
-
-
50W32VSOT-1135ASOT1135A
BLS9G2735LS-50U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS SOT1135B в производствеLDMOS2.7GHz ~ 3.5GHz12dB
-
-
-
-
50W32VSOT-1135BSOT1135B
BLF2324M8LS200PU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.3GHz ~ 2.4GHz17.2dB28V
-
-
1.74A60W65VSOT539BSOT539B
BLF0910H9LS600U
 Ampleon USA Inc. BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY в производствеLDMOS900MHz ~ 930MHz18.6dB50V2.8µA
-
90mA600W108VSOT-502BSOT502B
LET9120
 STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 18A M-246 в производствеLDMOS860MHz18dB32V18A
-
400mA150W80VM246M246
BLF6G13LS-250P,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121B в производствеLDMOS1.3GHz17dB50V
-
-
100mA250W100VSOT-1121BLDMOST
BLA9G1011L-300GU
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F в производствеLDMOS1.03GHz ~ 1.09GHz21.8dB32V4.2µA
-
100mA317W
-
SOT-502ASOT502F
BLA9G1011L-300U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A в производствеLDMOS1.03GHz ~ 1.09GHz21.8dB32V4.2µA
-
100mA317W
-
SOT-502ASOT502A
BLA9G1011LS-300GU
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502E в производствеLDMOS1.03GHz ~ 1.09GHz21.8dB32V4.2µA
-
100mA317W
-
SOT-502BSOT502E
CG2H30070F
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V в производствеHEMT
-
-
28V
-
-
-
75W
-
-
-
BLF898U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A в производствеLDMOS470MHz ~ 800MHz18dB50V
-
-
900mA900W120VSOT539ASOT539A
BLL9G1214L-600U
 Ampleon USA Inc. BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz19dB32V5µA
-
400mA600W65VSOT-502ASOT502A
BLL9G1214LS-600U
 Ampleon USA Inc. BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY в производствеLDMOS1.2GHz ~ 1.4GHz19dB32V5µA
-
400mA600W65VSOT-502BSOT502B
BF999E6327HTSA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 устарелыйN-Channel45MHz27dB10V30mA2.1dB10mA
-
20VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
BF886H6327XTSA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
BF888H6327XTSA1
 Infineon Technologies MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343 в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2N3819
 Central Semiconductor Corp TRANSISTOR JFET N-CH 25V 10MA TO-92 в производствеN-Channel JFET
-
-
-
-
-
-
-
25VTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92
3SK291(TE85L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH SMQ в производствеN-Channel Dual Gate800MHz22.5dB6V30mA2.5dB10mA
-
12.5VSC-61AASMQ
SKY65050-372LF
 Skyworks Solutions Inc. IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4 в производствеpHEMT FET2.4GHz15.5dB3V55mA0.4dB20mA10.5dBm6VSC-82A, SOT-343SC-70-4
ATF-35143-TR1G
 Broadcom Limited FET RF 5.5V 2GHZ SOT-343 устарелыйpHEMT FET2GHz18dB2V80mA0.4dB15mA10dBm5.5VSC-82A, SOT-343SOT-343
PD85006L-E
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER POWERFLAT5X5 в производствеLDMOS870MHz17dB13.6V2A
-
200mA5W40V8-PowerVDFNPowerFLAT™ (5x5)
NE552R679A-T1A-A
 CEL FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG в производствеLDMOS460MHz20dB3V350mA
-
300mA28dbm3V4-SMD, Flat Leads79A
MWT-1789SB
 Microwave Technology Inc. FET RF 6.5V 4GHZ SOT-89 в производствеMESFET500MHz ~ 4GHz18dB6.5V440mA1.3dB440mA28dbm6.5VTO-243AASOT-89
BLP7G22-05Z
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN в производствеLDMOS2.14GHz16dB28V
-
-
55mA1W65V12-VDFN Exposed Pad12-HVSON (6x4)
PTFA220041M-V4-R1K
 Cree/Wolfspeed RF MOSFET TRANSISTORS устарелый
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2SK3075(TE12L,Q)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSF RF N CH 30V 5A PW-X Discontinued at -N-Channel520MHz11.7dB9.6V5A
-
50mA7.5W30VTO-271AAPW-X
  1. 9
  2. 10
  3. 11
  4. 12
  5. 13
  6. 14
  7. 15
  8. 16
  9. 17
  10. 18
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены