1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
CG2H80015D-GP4
 Cree/Wolfspeed RF DISCRETE в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VRF141
 Microsemi Corporation MOSFET RF POWER N-CH 28V 150W M174 в производствеN-Channel30MHz20dB28V20A
-
250mA150W80VM174M174
MRF174
 M/A-Com Technology Solutions FET RF 65V 150MHZ 211-11 в производствеN-Channel150MHz11.8dB28V13A3dB2A125W65V211-11, Style 2211-11, Style 2
BLP05H6250XRGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
100mA250W135VSOT-1224-24-HSOPF
BLC9G21LS-60AVZ
 Ampleon USA Inc. BLC9G21LS-60AV/SOT1275/TRAYDP в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.805GHz ~ 2.2GHz17.5dB28V1.4µA
-
100mA60W65VSOT-1275-1SOT1275-1
BLC8G27LS-60AVZ
 Ampleon USA Inc. TRANSISTOR RF 60W LDMOS DFM6F в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT1275-3DFM6
LET9045
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A устарелыйLDMOS960MHz17.5dB28V9A
-
300mA59W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
BLP05H6350XRGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
100mA350W135VSOT-1224-24-HSOPF
475-102N20A-00
 IXYS-RF RF MOSFET N-CHANNEL DE475 в производствеN-Channel
-
-
-
20A
-
-
1800W1000V6-SMD, Flat Lead Exposed PadDE475
LET9060S
 STMicroelectronics IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 в производствеLDMOS960MHz17.2dB28V12A
-
300mA60W80VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)PowerSO-10RF (Straight Lead)
BLF8G22LS-140U
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B в производствеLDMOS2.11GHz18.5dB28V
-
-
900mA33W65VSOT-502BSOT502B
BLF8G10LS-270GVJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C в производствеLDMOS871.5MHz ~ 891.5MHz19.5dB28V
-
-
2A67W65VSOT-1244CCDFM6
BLF8G27LS-150GVJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C в производствеLDMOS2.6GHz ~ 2.7GHz18dB28V
-
-
1.3A45W65VSOT-1244CCDFM6
BLF8G24LS-100VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.4GHz18dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-1244BCDFM6
BLF8G24LS-100GVQ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.4GHz18dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-1244CCDFM6
BLC9G20LS-120VZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 в производствеLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz19.2dB28V
-
-
700mA120W65VSOT1275-3DFM6
BLC8G21LS-160AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.88GHz ~ 2.03GHz15dB28V
-
-
200mA22.5W65VSOT1275-1DFM6
BLF8G10LS-270GV,12
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C в производствеLDMOS871.5MHz ~ 891.5MHz19.5dB28V
-
-
2A67W65VSOT-1244CCDFM6
BLF8G24LS-150GVQ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.4GHz19dB28V
-
-
1.3A45W65VSOT-1244CCDFM6
BLC9G27LS-151AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.69GHz15.6dB28V
-
-
280mA155W65VSOT-1258-3DFM6
BLF8G38LS-75VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B в производствеLDMOS3.4GHz ~ 3.6GHz15.5dB30V
-
-
600mA20W65VSOT-1239BCDFM6
BLF8G22LS-205VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.17GHz18.3dB28V
-
-
1.2A50.1W65VSOT-1239BSOT1239B
BLC9G20LS-150PVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V SOT12753 в производствеLDMOS
-
-
28V
-
-
-
150W65VSOT1275-3SOT1275-3
BLC10G22LS-240PVTZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3 в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.2GHz19.7dB28V1.4µA
-
1.6A60W65VSOT1275-3SOT1275-3
BLC9G20LS-160PVZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-1 в производствеLDMOS1.805GHz ~ 2GHz20dB28V1.4µA
-
860mA38W65VSOT1275-1SOT-1275-1
BLC9G22LS-160VTZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 28V SOT1271-3 в производствеLDMOS2.11GHz ~ 2.2GHz18.4dB28V2.8µA
-
864mA35W65VSOT-1271-2SOT1271-2
BLF8G24LS-150VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.4GHz19dB28V
-
-
1.3A45W65VSOT-1244BCDFM6
BLF8G27LS-150VU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B в производствеLDMOS2.6GHz ~ 2.7GHz18dB28V
-
-
1.3A45W65VSOT-1244BCDFM6
BLF8G27LS-140,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B в производствеLDMOS2.62GHz ~ 2.69GHz17.4dB32V
-
-
1.3A45W65VSOT-502BSOT502B
BLC8G24LS-241AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.3GHz ~ 2.4GHz14.5dB28V
-
-
500mA56W65VSOT-1252-1DFM8
BLC10G20LS-240PWTZ
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3 в производствеLDMOS1.805GHz ~ 1.995GHz19.3dB28V1.4µA
-
1.6A60W65VSOT1275-3SOT1275-3
BLC9G24XS-170AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12753 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.3GHz ~ 2.4GHz15.5dB30V
-
-
250mA170W65VSOT1275-3SOT1275-3
BLC8G27LS-240AVU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.69GHz14dB28V
-
-
500mA56W65VSOT-1252-1DFM8
BLC8G27LS-180AVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.69GHz14dB28V
-
-
200mA28W65VSOT1275-3DFM6
BLC9G20LS-240PVZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT12753 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz18dB28V
-
-
1.6A240W65VSOT1275-3DFM6
LET20045C
 STMicroelectronics RF MOSFET N CH 80V 12A M243 устарелыйLDMOS2GHz13.3dB28V12A
-
500mA54W80VM243M243
BLC9G20LS-470AVTZ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.81GHz ~ 1.88GHz15.7dB28V
-
-
400mA470W65VSOT-1258-3DFM6
BLS6G3135S-20,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B в производствеLDMOS3.1GHz ~ 3.5GHz15.5dB32V2.1A
-
50mA20W60VSOT-608BCDFM2
BLF647PS,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.3GHz17.5dB32V
-
-
100mA200W65VSOT-1121BLDMOST
BLA9G1011LS-300U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B в производствеLDMOS1.03GHz ~ 1.09GHz21.8dB32V4.2µA
-
100mA317W
-
SOT-502BSOT502B
BLF888EU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source600MHz ~ 700MHz17dB50V
-
-
600mA750W104VSOT539ASOT539A
CLF1G0035S-100PU
 Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B в производствеHEMT3GHz14dB50V
-
-
100mA100W150VSOT-1228BLDMOST
CLF1G0035-100PU
 Ampleon USA Inc. RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228A в производствеHEMT3GHz14dB50V
-
-
100mA100W150VSOT-1228ALDMOST
BLS7G2325L-105,112
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 10V SOT502A в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.5GHz18dB10V5µA
-
-
110W65VSOT-502ASOT502A
BLS9G2934L-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A в производствеLDMOS2.9GHz ~ 3.4GHz12dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502ASOT502A
BLS9G2934LS-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B в производствеLDMOS2.9GHz ~ 3.4GHz12dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502BSOT502B
BLS9G2731LS-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B в производствеLDMOS2.7GHz ~ 3.1GHz13dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502BSOT502B
BLS9G2731L-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A в производствеLDMOS2.7GHz ~ 3.1GHz13dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502ASOT502A
BLS9G3135L-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A в производствеLDMOS3.1GHz ~ 3.5GHz12dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502ASOT502A
BLS9G3135LS-400U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B в производствеLDMOS3.1GHz ~ 3.5GHz12dB32V4µA
-
400mA400W65VSOT-502BSOT502B
  1. 6
  2. 7
  3. 8
  4. 9
  5. 10
  6. 11
  7. 12
  8. 13
  9. 14
  10. 15
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены