1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ

Ampleon
Broadcom Limited
CEL (California Eastern Laboratories)
Central Semiconductor
Infineon Technologies
IXYS Corporation
IXYS RF/Littelfuse
MACOM Technology Solutions
Microsemi
MicroWave Technology/Littelfuse
Nexperia
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
RFMD
Skyworks Solutions, Inc.
STMicroelectronics
Toshiba Semiconductor and Storage
Wolfspeed
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип транзисторачастотаУсилениеНапряжение - испытаниеТекущий рейтингКоэффициент шумаТекущий - ТестВыходная мощностьНапряжение - Номинальное напряжениеУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
BLA8H0910L-500U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A в производствеLDMOS900MHz ~ 930MHz19dB50V2.8µA
-
90mA500W114.5VSOT-502ALDMOST
BLA8H0910LS-500U
 Ampleon USA Inc. RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B в производствеLDMOS900MHz ~ 930MHz19dB50V2.8µA
-
90mA500W114.5VSOT-502BSOT502B
BLS7G3135LS-350P,1
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B в производствеLDMOS (Dual), Common Source3.5GHz10dB32V
-
-
200mA320W65VSOT539BSOT539B
BLS8G2731L-400PU
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A в производствеLDMOS (Dual), Common Source3.1GHz13dB32V
-
-
200mA400W65VSOT539ASOT539A
BF1107,215
 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23 устарелыйN-Channel
-
-
-
10mA
-
-
-
3VTO-236-3, SC-59, SOT-23-3TO-236AB (SOT23)
2SK2854(TE12L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET RF N CH 10V 500MA в производствеN-Channel849MHz
-
-
500mA
-
-
23dBmW10VTO-243AAPW-MINI
2SK3756(TE12L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH PW-MINI Discontinued at -N-Channel470MHz12dB4.5V1A
-
200mA32dBm7.5VTO-243AASC-62
2SK3475TE12LF
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI Discontinued at -N-Channel520MHz14.9dB7.2V1A
-
50mA630mW20VTO-243AASC-62
RFM01U7P(TE12L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH PW-MINI Discontinued at -N-Channel520MHz10.8dB7.2V1A
-
100mA1.2W20VTO-243AAPW-MINI
2SK3079ATE12LQ
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSF RF N CH 10V PW-X Discontinued at -N-Channel470MHz13.5dB4.5V3A
-
50mA33.5dBmW10VTO-271AAPW-X
2SK4037(TE12L,Q)
 Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH PW-X Discontinued at -N-Channel470MHz11.5dB6V3A
-
250mA36.5dBmW12VSC-70, SOT-323SC-70
PD84002
 STMicroelectronics FET RF 25V 870MHZ в производствеLDMOS870MHz15dB7.5V2A
-
100mA2W25VTO-243AASOT-89
ATF-50189-BLK
 Broadcom Limited FET RF 7V 2GHZ SOT-89 устарелыйE-pHEMT2GHz15.5dB4.5V1A1.1dB280mA29dBm
-
TO-243AASOT-89
ATF-501P8-BLK
 Broadcom Limited FET RF 7V 2GHZ 8LPCC устарелыйE-pHEMT2GHz15dB4.5V1A1dB280mA29dBm7V8-WFDFN Exposed Pad8-LPCC (2x2)
PD55008S-E
 STMicroelectronics FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 в производствеLDMOS500MHz17dB12.5V4A
-
150mA8W40VPowerSO-10 Exposed Bottom PadPowerSO-10RF (Straight Lead)
BLP35M805Z
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN в производствеLDMOS2.14GHz18dB28V
-
-
55mA750mW65V16-VDFN Exposed Pad16-HVSON (6x4)
PD55015TR-E
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF в производствеLDMOS500MHz14dB12.5V5A
-
150mA15W40VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
MWT-173
 Microwave Technology Inc. FET RF 5V 12GHZ PKG 73 в производствеMESFET100MHz ~ 12GHz10dB5V240mA2dB240mA300mW5VNonstandard SMD73
PD85035STR-E
 STMicroelectronics TRANSISTOR RF N-CH FET POWERSO-10RF в производствеLDMOS870MHz17dB13.6V8A
-
350mA15W40VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)PowerSO-10RF (Straight Lead)
BLM8G0710S-15PBY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12112 в производствеLDMOS (Dual)957.5MHz36.1dB28V
-
-
15mA1.5W65VSOT-1211-316-HSOPF
BLM7G1822S-20PBY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12111 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz32.3dB28V
-
-
-
2W65VSOT-1211-116-HSOPF
ARF449BG
 Microsemi Corporation RF POWER MOSFET 450V TO-247 устарелыйN-Channel81.36MHz13dB150V9A
-
-
90W450VTO-247-3TO-247
BLP05H635XRGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
10mA35W135VSOT-1224-24-HSOPF
BLM7G1822S-40ABGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12122 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz31.5dB28V
-
-
20mA2W65VSOT-1212-216-HSOP
BLP05H675XRY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
20mA75W135VSOT-1223-24-HSOPF
BLP05H6110XRY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
20mA110W135VSOT-1223-24-HSOPF
BLP05H6150XRY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
100mA150W135VSOT-1223-24-HSOPF
BLM7G1822S-80PBGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz28dB28V
-
-
240mA8W65VSOT-1212-216-HSOP
BLP8G05S-200Y
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 в производствеLDMOS (Dual), Common Source440MHz21dB28V
-
-
2mA210W65VSOT-1138-24-HSOPF
ARF466BG
 Microsemi Corporation RF FET N CH 1000V 13A TO264 в производствеN-Channel40.68MHz16dB150V13A
-
-
150W1000VTO-264-3, TO-264AATO-264
BLM7G22S-60PBY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 в производствеLDMOS (Dual)2.14GHz31.5dB28V
-
-
75mA1.6W65VSOT-1211-216-HSOPF
BLM7G1822S-80ABGY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12121 в производствеLDMOS (Dual)2.17GHz31dB28V
-
-
40mA4W65VSOT-1212-216-HSOP
PD20015C
 STMicroelectronics FET RF 40V 2GHZ M243 устарелыйLDMOS2GHz11dB13.6V7A
-
350mA15W40VM243M243
PD57070-E
 STMicroelectronics FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 в производствеLDMOS945MHz14.7dB28V7A
-
250mA70W65VPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)PowerSO-10RF (Formed Lead)
BLP05H6250XRY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
100mA250W135VSOT-1223-24-HSOPF
MRF6V3090NBR5
 NXP USA Inc. FET RF 110V 860MHZ TO272-4 устарелыйLDMOS860MHz22dB50V
-
-
350mA18W110VTO-272BBTO-272 WB-4
BLC9G20LS-120VY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 в производствеLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz19.2dB28V
-
-
700mA120W65VSOT1275-3DFM6
BLF8G24LS-100GVJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C в производствеLDMOS2.3GHz ~ 2.4GHz18dB28V
-
-
900mA25W65VSOT-1244CCDFM6
BLF8G20LS-200V,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B устарелыйLDMOS1.81GHz ~ 1.88GHz17.5dB28V
-
-
1.6A55W65VSOT-1120BLDMOST
BLP05H6350XRY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 в производствеLDMOS (Dual), Common Source108MHz27dB50V
-
-
100mA350W135VSOT-1223-24-HSOPF
BLC8G21LS-160AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT12751 в производствеLDMOS (Dual), Common Source1.88GHz ~ 2.03GHz15dB28V
-
-
200mA22.5W65VSOT1275-1DFM6
MRF175LU
 M/A-Com Technology Solutions FET RF 65V 400MHZ 333-04 в производствеN-Channel400MHz10dB28V13A
-
100mA100W65V333-04333-04, Style 2
MMRF1019NR4
 NXP USA Inc. FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5 в производствеLDMOS1.09GHz25dB50V
-
-
10mA10W100VPLD-1.5PLD-1.5
BLF6G38S-25,112
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT608B устарелыйLDMOS3.4GHz ~ 3.6GHz15dB28V8.2A
-
225mA4.5W65VSOT-608BCDFM2
BLC8G27LS-100AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.69GHz15.5dB28V
-
-
250mA17.8W65VSOT1275-1DFM6
BLF8G27LS-140,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B в производствеLDMOS2.62GHz ~ 2.69GHz17.4dB32V
-
-
1.3A45W65VSOT-502BSOT502B
BLF9G38LS-90PJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B в производствеLDMOS (Dual), Common Source3.4GHz ~ 3.6GHz15dB28V
-
-
600mA20W65VSOT-1121BLDMOST
BLF8G38LS-75VJ
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B в производствеLDMOS3.4GHz ~ 3.6GHz15.5dB30V
-
-
600mA20W65VSOT-1239BCDFM6
BLC8G27LS-140AVY
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 в производствеLDMOS (Dual), Common Source2.5GHz ~ 2.69GHz14.5dB28V
-
-
320mA28W65VSOT1275-1DFM6
BLF8G27LS-140V,118
 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B устарелыйLDMOS2.63GHz ~ 2.69GHz17.4dB32V
-
-
1.3A45W65VSOT-1120BLDMOST
  1. 7
  2. 8
  3. 9
  4. 10
  5. 11
  6. 12
  7. 13
  8. 14
  9. 15
  10. 16
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены