Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - BLF7G24LS-140,112 BLC8G27LS-100AVZ BLF8G27LS-150GVQ BLF9G38LS-90PU - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BLF7G24LS-140,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.4GHz	18.5dB	28V	28A	-	1.3A	30W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLC8G27LS-100AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.5GHz ~ 2.69GHz	15.5dB	28V	-	-	250mA	17.8W	65V	SOT1275-1	DFM6
BLF8G27LS-150GVQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	в производстве	LDMOS	2.6GHz ~ 2.7GHz	18dB	28V	-	-	1.3A	45W	65V	SOT-1244C	CDFM6
BLF9G38LS-90PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	3.4GHz ~ 3.6GHz	15dB	28V	-	-	600mA	20W	65V	SOT-1121B	LDMOST
BLC8G27LS-140AVZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.5GHz ~ 2.69GHz	14.5dB	28V	-	-	320mA	28W	65V	SOT1275-1	DFM6
ARF477FL	Microsemi Corporation	RF POWER MOSFET 500V 10A	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Source	65MHz	16dB	150V	15A	-	-	400W	500V	-	-
CLF1G0060S-10U	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B	в производстве	HEMT	3GHz ~ 3.5GHz	14.5dB	50V	-	-	50mA	10W	150V	SOT-1227B	SOT-1227B
UF2840G	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 40W 28V 100-500MHZ	в производстве	N-Channel	100MHz ~ 500MHz	10dB	28V	1mA	-	500mA	40W	65V	-	-
CGHV60170D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	17dB	50V	-	-	260mA	170W	150V	Die	Die
MRF275G	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 2CH 65V 500MHZ 375-04	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Source	500MHz	11.2dB	28V	26A	-	100mA	150W	65V	375-04	375-04, Style 2
CLF1G0035S-50,112	Ampleon USA Inc.	RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B	в производстве	HEMT	3GHz	11.5dB	50V	-	-	150mA	50W	150V	SOT467B	LDMOST
BLL6H0514LS-130,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B	в производстве	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	18A	-	50mA	130W	100V	SOT-1135B	CDFM2
BLS6G2735LS-30,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B	в производстве	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	13dB	32V	-	-	50mA	30W	60V	SOT-1135B	CDFM2
BLF178P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 110V 28.5DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	28.5dB	50V	88A	-	40mA	1200W	110V	SOT539A	SOT539A
BLS6G2735L-30,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A	в производстве	LDMOS	3.1GHz ~ 3.5GHz	13dB	32V	-	-	50mA	30W	60V	SOT-1135A	CDFM2
BLL8H1214LS-250U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B	в производстве	LDMOS	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	-	-	100mA	250W	100V	SOT-502B	SOT502B
BLA6G1011LS-200RG,	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C	в производстве	LDMOS	1.03GHz ~ 1.09GHz	20dB	28V	49A	-	100mA	200W	65V	SOT-502C	LDMOST
BLL8H1214LS-500U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	-	-	150mA	500W	100V	SOT539B	SOT539B
CGHV96050F1	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 40V 440210	в производстве	HEMT	7.9GHz ~ 9.6GHz	17dB	40V	13A	-	500mA	32W	100V	440210	440210
BLL6H1214-500,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	-	-	150mA	500W	100V	SOT539A	SOT539A
BLS7G2729LS-350P,1	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.7GHz ~ 2.9GHz	13dB	32V	-	-	200mA	350W	65V	SOT539B	SOT539B
BLS7G2729L-350P,11	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.7GHz ~ 2.9GHz	13dB	32V	-	-	200mA	350W	65V	SOT539A	SOT539A
BLS8G2731LS-400PU	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	3.1GHz	13dB	32V	-	-	200mA	400W	65V	SOT539B	SOT539B
BLP10H603AZ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	в производстве	LDMOS	860MHz	22.8dB	50V	-	-	15mA	2.5W	104V	12-VDFN Exposed Pad	12-HVSON (6x4)
IXZH10N50L2B	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL TO-247	в производстве	N-Channel	70MHz	17dB	100V	10A	-	-	200W	500V	TO-247-3	TO-247 (IXFH)
IXZH10N50L2A	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL TO-247	в производстве	N-Channel	70MHz	17dB	100V	10A	-	-	200W	500V	TO-247-3	TO-247 (IXFH)
375-102N15A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	в производстве	N-Channel	-	-	-	15A	-	-	940W	1000V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE375
BLM8G0710S-15PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122	в производстве	LDMOS (Dual)	957.5MHz	36.1dB	28V	-	-	15mA	1.5W	65V	SOT-1212-3	16-HSOP
IXZ316N60	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	18A	-	-	880W	600V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE375
275X2-501N16A-00	IXYS-RF	RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275	в производстве	2 N-Channel (Dual)	-	-	-	16A	-	-	1180W	500V	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE275
275-201N25A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	в производстве	N-Channel	-	-	-	25A	-	-	590W	200V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE275
IXZR08N120B-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	8A	-	-	250W	1200V	TO-247-3	PLUS247™-3
IXZR08N120	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	8A	-	-	250W	1200V	TO-247-3	PLUS247™-3
IXZR08N120A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	8A	-	-	250W	1200V	TO-247-3	PLUS247™-3
BLP05H675XRGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	27dB	50V	-	-	20mA	75W	135V	SOT-1224-2	4-HSOPF
ARF463AP1G	Microsemi Corporation	RF POWER MOSFET 500V 9A TO-247	в производстве	N-Channel	81.36MHz	15dB	125V	9A	-	-	100W	500V	TO-247-3	TO-247
IXZR16N60	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	18A	-	-	350W	600V	TO-247-3	PLUS247™-3
275-101N30A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	в производстве	N-Channel	-	-	-	30A	-	-	550W	100V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE275
BLM8D1822S-50PBGY	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP	в производстве	LDMOS	1.805GHz ~ 2.17GHz	26dB	28V	1.4µA	-	104mA	5W	65V	SOT-1212-3	16-HSOP
BLM8D1822S-50PBY	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOPF	в производстве	LDMOS	1.805GHz ~ 2.17GHz	26dB	28V	1.4µA	-	104mA	5W	65V	SOT-1211-3	16-HSOPF
BLM8G0710S-60PBGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 36.2DB SOT12122	в производстве	LDMOS (Dual)	957.5MHz	36.2dB	28V	-	-	60mA	6W	65V	SOT-1212-2	16-HSOP
BLP05H6110XRGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	27dB	50V	-	-	20mA	110W	135V	SOT-1224-2	4-HSOPF
IXZR18N50B-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	19A	-	-	350W	500V	TO-247-3	PLUS247™-3
IXZR18N50A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	19A	-	-	350W	500V	TO-247-3	PLUS247™-3
BLP05H6150XRGY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	108MHz	27dB	50V	-	-	100mA	150W	135V	SOT-1224-2	4-HSOPF
ARF461AG	Microsemi Corporation	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	в производстве	N-Channel	65MHz	15dB	50V	25µA	-	-	150W	1000V	TO-247-3	TO-247
BLC9G21LS-60AVY	Ampleon USA Inc.	BLC9G21LS-60AV/SOT1275/REELDP	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.805GHz ~ 2.2GHz	17.5dB	28V	1.4µA	-	100mA	60W	65V	SOT-1275-1	SOT-1275-1
IXZR18N50	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	-	19A	-	-	350W	500V	TO-247-3	PLUS247™-3
BLF2425M9LS30U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B	в производстве	LDMOS	2.45GHz	18.5dB	32V	-	-	20mA	30W	65V	SOT-1135B	SOT1135B
BLC10M6XS200Z	Ampleon USA Inc.	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1270-1	в производстве	LDMOS	425MHz ~ 450MHz	19.5dB	28V	4.2µA	-	350mA	200W	65V	SOT-1270-1	SOT-1270-1

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ