Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ - Дискретный полупроводник - MMRF1008HR5 AFV10700HR5 AFV10700HSR5 MMRF1317HR5 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	частота	Усиление	Напряжение - испытание	Текущий рейтинг	Коэффициент шума	Текущий - Тест	Выходная мощность	Напряжение - Номинальное напряжение	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MMRF1008HR5	NXP USA Inc.	FET RF 100V 1.03GHZ NI-780	в производстве	LDMOS	1.03GHz	20.3dB	50V	-	-	100mA	275W	100V	SOT-957A	NI-780H-2L
AFV10700HR5	NXP USA Inc.	RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4	в производстве	LDMOS (Dual)	1.03GHz ~ 1.09GHz	19.2dB	50V	1µA	-	100mA	770W	105V	NI-780-4	NI-780-4
AFV10700HSR5	NXP USA Inc.	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	в производстве	LDMOS (Dual)	1.03GHz ~ 1.09GHz	19.2dB	50V	10µA	-	100mA	770W	105V	NI-780S-4L	NI-780S-4L
MMRF1317HR5	NXP USA Inc.	TRANSISTOR 1030MHZ 1550W PEAK 50V	в производстве	LDMOS (Dual)	1.03GHz	18.2dB	50V	-	-	100mA	1300W	105V	SOT-979A	NI-1230-4H
MRF6VP21KHR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230	устарелый	LDMOS (Dual)	225MHz	24dB	50V	-	-	150mA	1000W	110V	NI-1230	NI-1230
A2T23H300-24SR6	NXP USA Inc.	IC TRANSISTOR RF LDMOS	в производстве	LDMOS (Dual)	2.3GHz	14.9dB	28V	-	-	750mA	66W	65V	NI-1230-4LS2L	NI-1230-4LS2L
MRF6VP2600HR5	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230	устарелый	LDMOS (Dual)	225MHz	25dB	50V	-	-	2.6A	125W	110V	NI-1230	NI-1230
NPT25015D	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC	в производстве	HEMT	0Hz ~ 3GHz	14dB	28V	5A	-	200mA	1.5W	100V	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad	8-SOIC
BLF2425M8L140U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502A	в производстве	LDMOS	2.45GHz	19dB	28V	-	-	1.3A	140W	65V	SOT-502A	LDMOST
BLF2425M9LS140U	Ampleon USA Inc.	TRANSISTOR RF 140W LDMOST	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	SOT-502B	SOT502B
BLF647P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.3GHz	18dB	32V	-	-	100mA	200W	65V	SOT-1121A	LDMOST
CGHV35150F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440193	в производстве	HEMT	2.9GHz ~ 3.5GHz	13.3dB	50V	12A	-	500mA	170W	125V	440193	440193
CGHV59350F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440217	в производстве	HEMT	5.2GHz ~ 5.9GHz	11.2dB	50V	24A	-	1A	450W	125V	440217	440217
IXZ308N120	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	8A	-	-	880W	1200V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE375
ARF463AG	Microsemi Corporation	RF POWER MOSFET 500V 9A TO-247	в производстве	N-Channel	81.36MHz	15dB	125V	9A	-	50mA	100W	500V	TO-247-3	TO-247
IXZ318N50	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL	в производстве	N-Channel	65MHz	23dB	100V	19A	-	-	880W	500V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE375
VRF148A	Microsemi Corporation	RF MOSFET N-CHANNEL 50V M113	в производстве	N-Channel	175MHz	16dB	50V	100µA	-	100mA	30W	170V	M113	M113
475-501N44A-00	IXYS-RF	RF MOSFET N-CHANNEL DE475	в производстве	N-Channel	-	-	-	48A	-	-	1800W	500V	6-SMD, Flat Lead Exposed Pad	DE475
MRF157	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 125V 80MHZ 368-03 11PC	в производстве	N-Channel	80MHz	21dB	50V	60A	-	800mA	600W	125V	368-03	368-03, Style 2
CE3514M4	CEL	RF FET 4V 12GHZ SOT343	в производстве	pHEMT FET	12GHz	12.2dB	2V	15mA	0.62dB	10mA	125mW	4V	4-SMD, Flat Leads	4-Super Mini Mold
CE3520K3	CEL	RF FET 4V 20GHZ 4MICROX	в производстве	pHEMT FET	20GHz	13.8dB	2V	15mA	0.8dB	10mA	125mW	4V	4-Micro-X	4-Micro-X
BLM7G1822S-40ABY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112	в производстве	LDMOS (Dual)	2.17GHz	31.5dB	28V	-	-	20mA	2W	65V	SOT-1211-2	16-HSOPF
MRF160	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 500MHZ 249-06	в производстве	N-Channel	30MHz ~ 500MHz	18dB	28V	1A	-	50mA	4W	65V	249-06	249-06, Style 3
MRF171A	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 200MHZ 211-07	в производстве	N-Channel	30MHz ~ 200MHz	19.5dB	28V	4.5A	-	25mA	45W	65V	211-07	211-07, Style 2
ARF460AG	Microsemi Corporation	FET RF N-CH 500V 14A TO247	в производстве	N-Channel	40.68MHz	15dB	125V	14A	-	50mA	-	500V	TO-247-3	TO-247CS
ARF460BG	Microsemi Corporation	FET RF N-CH 500V 14A TO247	в производстве	N-Channel	40.68MHz	15dB	125V	14A	-	50mA	-	500V	TO-247-3	TO-247CS
MRF166C	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 65V 500MHZ 319-07	в производстве	N-Channel	30MHz ~ 500MHz	16dB	28V	4A	-	25mA	20W	65V	319-07	319-07, Style 3
CGHV1J025D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 40V DIE	в производстве	HEMT	18GHz	17dB	40V	-	-	120mA	25W	100V	Die	Die
CGH60015D-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	15dB	28V	-	-	200mA	15W	84V	Die	Die
VRF151	Microsemi Corporation	MOSFET RF POWER N-CH 50V 150W M174	в производстве	N-Channel	175MHz	14dB	50V	1mA	-	250mA	150W	170V	M174	M174
CGHV60075D5-GP4	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V DIE	в производстве	HEMT	6GHz	17dB	50V	-	-	125mA	75W	150V	Die	Die
BLF7G24LS-100,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.4GHz	18dB	28V	28A	-	900mA	20W	65V	SOT-502B	SOT502B
SD57045	STMicroelectronics	FET RF 65V 945MHZ M243	в производстве	LDMOS	945MHz	15dB	28V	5A	-	250mA	45W	65V	M243	M243
VRF2944	Microsemi Corporation	MOSF RF N CH 170V 50A M177	в производстве	N-Channel	30MHz	22dB	50V	50A	-	250mA	400W	170V	M177	M177
MRF141G	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04	в производстве	2 N-Channel (Dual) Common Source	175MHz	14dB	28V	32A	-	500mA	300W	65V	375-04	375-04, Style 2
NPT1012B	M/A-Com Technology Solutions	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	в производстве	HEMT	0Hz ~ 4GHz	13dB	28V	-	-	225mA	-	100V	-	-
CGHV22200F	Cree/Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 50V 440162	в производстве	HEMT	1.8GHz ~ 2.2GHz	18dB	50V	12A	-	1A	200W	125V	440162	440162
ARF1500	Microsemi Corporation	MOSFET RF N-CH 500V 60A T1	в производстве	N-Channel	27.12MHz	19dB	125V	60A	-	-	750W	500V	T-1	T-1
BLL8H1214L-500U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	1.2GHz ~ 1.4GHz	17dB	50V	-	-	150mA	500W	100V	SOT539A	SOT539A
MRF154	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 125V 100MHZ 368-03	в производстве	N-Channel	2MHz ~ 100MHz	17dB	50V	60A	-	800mA	600W	125V	368-03	368-03, Style 2
CE3521M4	CEL	RF FET 4V 20GHZ SOT343	в производстве	pHEMT FET	20GHz	11.9dB	2V	15mA	1.05dB	10mA	125mW	4V	SC-82A, SOT-343	4-Super Mini Mold
BLF6G38-10G,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C	в производстве	LDMOS	3.4GHz ~ 3.6GHz	14dB	28V	3.1A	-	130mA	2W	65V	SOT-975C	CDFM2
BLF6G38-10G,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C	в производстве	LDMOS	3.4GHz ~ 3.6GHz	14dB	28V	3.1A	-	130mA	2W	65V	SOT-975C	CDFM2
ARF466AG	Microsemi Corporation	RF FET N CH 1000V 13A TO264	в производстве	N-Channel	40.68MHz	16dB	150V	13A	-	-	300W	1000V	TO-264-3, TO-264AA	TO-264
BLF6G22LS-40P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B	в производстве	LDMOS (Dual), Common Source	2.11GHz ~ 2.17GHz	19dB	28V	16A	-	410mA	13.5W	65V	SOT-1121B	LDMOST
BLF8G10LS-160,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B	в производстве	LDMOS	920MHz ~ 960MHz	19.7dB	30V	-	-	1.1A	35W	65V	SOT-502B	SOT502B
BLF8G20LS-230VJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B	в производстве	LDMOS	1.81GHz ~ 1.88GHz	18dB	28V	-	-	1.8A	55W	65V	SOT-1239B	CDFM6
BLF8G24LS-150GVJ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C	в производстве	LDMOS	2.3GHz ~ 2.4GHz	19dB	28V	-	-	1.3A	45W	65V	SOT-1244C	CDFM6
BLF8G27LS-100GVQ	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C	в производстве	LDMOS	2.5GHz ~ 2.7GHz	17dB	28V	-	-	900mA	25W	65V	SOT-1244C	CDFM6
UF2820P	M/A-Com Technology Solutions	MOSFET 20W 28V 100-500MHZ	в производстве	N-Channel	100MHz ~ 500MHz	10dB	28V	2.8A	-	200mA	20W	65V	-	-

Производители для Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ