1. Главная
  2. Продукты
  3. Дискретный полупроводник
  4. Транзисторы - JFET
  5. Продукты

Производители для Транзисторы - JFET

Central Semiconductor
Microsemi
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic
Toshiba Semiconductor and Storage
Vishay
номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиТип полевого транзистораНапряжение - пробой (V (BR) GSS)Слив к источнику напряжения (Vdss)Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)Текущий слив (Id) - Макс.Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ IdВходная емкость (Ciss) (Макс.) @ VdsСопротивление - RDS (Вкл.)Мощность - макс.Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
J112-D74Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J111-D74Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
PMBFJ309,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V12mA @ 10V
-
1V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
J111-D26Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
20mA @ 15V
-
3V @ 1µA
-
30 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
MMBF4393
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 350MW SOT23 в производствеN-Channel30V30V5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
MMBFJ177
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA
-
300 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
J112-D27Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
J112-D26Z
 ON Semiconductor JFET N-CH 35V 625MW TO92 в производствеN-Channel35V
-
5mA @ 15V
-
1V @ 1µA
-
50 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)TO-92-3
2SK33720TL
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P устарелыйN-Channel
-
20V107µA @ 2V2mA
-
-
-
100mW-20°C ~ 80°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-723SSSMini3-F1
MMBF4392LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V25mA @ 15V
-
2V @ 10nA14pF @ 15V60 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
2SK33720UL
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P устарелыйN-Channel
-
20V107µA @ 2V2mA
-
-
-
100mW-20°C ~ 80°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-723SSSMini3-F1
MMBFJ108
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 в производствеN-Channel25V
-
80mA @ 15V
-
3V @ 10nA
-
8 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SuperSOT-3
PMBFJ308,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 25V 250MW SOT23 в производствеN-Channel25V25V12mA @ 10V
-
1V @ 1µA5pF @ 10V50 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
TF414T5G
 ON Semiconductor IC JFET N-CH 40V XDFN3 в производствеN-Channel40V40V50µA @ 10V1mA4V @ 1µA0.7pF @ 10V
-
100mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-101, SOT-883SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
TF412ST5G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 в производствеN-Channel30V30V1.2mA @ 10V10mA180mV @ 1µA4pF @ 10V
-
100mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-XFDFNSOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
MCH5908H-TL-E
 ON Semiconductor JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 в производстве2 N-Channel (Dual)
-
-
16mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10.5pF @ 5V
-
300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж5-SMD, Flat Leads5-MCPH
CMPFJ176 TR
 Central Semiconductor Corp IC JFET P-CH SOT23-3 в производствеP-Channel30V
-
2mA @ 15V
-
1V @ 10nA
-
250 Ohms350mW-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
DSK5J01P0L
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B в производствеN-Channel
-
55V1mA @ 10V30mA5V @ 10µA6pF @ 10V
-
150mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-85SMini3-F2-B
DSK5J01Q0L
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B в производствеN-Channel
-
55V2mA @ 10V30mA5V @ 10µA6pF @ 10V
-
150mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-85SMini3-F2-B
2SK880-BL(TE85L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 0.1W USM в производствеN-Channel50V
-
6mA @ 10V
-
1.5V @ 100nA13pF @ 10V
-
100mW125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70
2SK880GRTE85LF
 Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 0.1W USM в производствеN-Channel50V
-
2.6mA @ 10V
-
1.5V @ 100nA13pF @ 10V
-
100mW125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323SC-70
CPH6904-TL-E
 ON Semiconductor JFET 2N-CH 0.7W CPH6 в производстве2 N-Channel (Dual)
-
-
20mA @ 5V50mA600mV @ 100µA6pF @ 5V
-
700mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-74, SOT-4576-CPH
NSVJ3557SA3T1G
 ON Semiconductor MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 в производствеN-Channel15V15V10mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10pF @ 5V
-
200mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SC-59-3/CP3
2SK2394-6-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V10mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10pF @ 5V
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
2SK2394-7-TB-E
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 200MW CP в производствеN-Channel
-
15V16mA @ 5V50mA300mV @ 100µA10pF @ 5V
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CP
SMMBF4393LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 в производствеN-Channel30V30V30mA @ 15V
-
3V @ 10nA14pF @ 15V (VGS)100 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
DSK9J01P0L
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 в производствеN-Channel
-
55V1mA @ 10V30mA5V @ 10µA6pF @ 10V
-
125mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-89, SOT-490SSMini3-F3-B
CMPFJ175 TR
 Central Semiconductor Corp IC JFET P-CH SOT23-3 в производствеP-Channel30V
-
7mA @ 15V
-
3V @ 10nA
-
125 Ohms350mW-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
MCH3914-7-TL-H
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 в производствеN-Channel
-
15V16mA @ 5V50mA600mV @ 10µA4.9pF @ 5V
-
300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж3-SMD, Flat LeadsSC-70FL/MCPH3
MCH3914-8-TL-H
 ON Semiconductor JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 в производствеN-Channel
-
-
25mA @ 5V50mA600mV @ 10µA4.9pF @ 5V
-
300mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-3233-MCPH
CMPF4416A TR
 Central Semiconductor Corp JFET N-CH 35V 10MA SOT23 в производствеN-Channel35V35V5mA @ 15V
-
2.5V @ 1nA4.5pF @ 15V
-
350mW-65°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23
2N5457
 Central Semiconductor Corp JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 в производствеN-Channel25V25V1mA @ 15V
-
500mV @ 10nA7pF @ 15V
-
310mW-65°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92
JANTX2N4859
 Microsemi Corporation JFET N-CH 30V 360MW TO-18 в производствеN-Channel30V30V175mA @ 15V
-
10V @ 500pA18pF @ 10V (VGS)25 Ohms360mW-65°C ~ 200°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
JANTX2N4091
 Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 360MW TO-18 в производствеN-Channel40V40V30mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V30 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
JANTX2N4092
 Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 360MW TO-18 в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW-65°C ~ 175°C (TJ)Through HoleTO-206AA, TO-18-3 Metal CanTO-18
JANTX2N4092UB
 Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 0.36W SMD в производствеN-Channel40V40V15mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V50 Ohms360mW
-
SMD Поверхностный монтаж4-SMD, No Lead4-SMD
JANTX2N4093UB
 Microsemi Corporation JFET N-CH 40V 0.36W SMD в производствеN-Channel40V40V8mA @ 20V
-
-
16pF @ 20V80 Ohms360mW
-
SMD Поверхностный монтаж3-SMD, No LeadUB
JANTX2N4416AUB
 Microsemi Corporation JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD в производствеN-Channel35V35V15mA @ 15V
-
6V @ 1nA4pF @ 15V
-
300mW
-
SMD Поверхностный монтаж4-SMD, No Lead4-SMD
J105
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 625MW TO92 в производствеN-Channel25V
-
500mA @ 15V
-
4.5V @ 1µA
-
3 Ohms625mW-55°C ~ 150°C (TJ)Through HoleTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)TO-92-3
CP206-2N4393-CT20
 Central Semiconductor Corp JFET N-CH 40V 120PCS в производствеN-Channel40V
-
5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms
-
-65°C ~ 175°C (TJ)SMD Поверхностный монтажDieDie
2SK879-GR(TE85L,F)
 Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 0.1W USM в производствеN-Channel
-
-
2.6mA @ 10V
-
400mV @ 100nA8.2pF @ 10V
-
100mW125°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSC-70, SOT-323USM
PMBF4391,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V40V50mA @ 20V
-
4V @ 1nA14pF @ 20V30 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
PMBF4393,215
 NXP USA Inc. JFET N-CH 40V 250MW SOT23 в производствеN-Channel40V40V5mA @ 20V
-
500mV @ 1nA14pF @ 20V100 Ohms250mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23 (TO-236AB)
2SK275100L
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3 устарелыйN-Channel
-
-
1.4µA @ 10V10mA3.5V @ 1µA5pF @ 10V
-
200mW150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1
MMBF4391
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 350MW SOT23 в производствеN-Channel30V
-
50mA @ 20V
-
4V @ 1nA14pF @ 20V30 Ohms350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
2SK3372GUL
 Panasonic Electronic Components JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 устарелыйN-Channel
-
20V107µA @ 2V2mA
-
-
-
100mW-20°C ~ 80°C (TA)SMD Поверхностный монтажSOT-723SSSMini3-F2
MMBF4393LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V5mA @ 15V
-
500mV @ 10nA14pF @ 15V100 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ177LT1G
 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеP-Channel30V
-
1.5mA @ 15V
-
800mV @ 10nA11pF @ 10V (VGS)300 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4391LT1G
 ON Semiconductor JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 в производствеN-Channel30V30V50mA @ 15V
-
4V @ 10nA14pF @ 15V30 Ohms225mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5459
 ON Semiconductor JFET N-CH 25V 350MW SOT23 в производствеN-Channel25V
-
4mA @ 15V
-
2V @ 10nA7pF @ 15V
-
350mW-55°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
  1. 1
  2. 2
  3. 3
  4. 4
  5. 5
  6. 6
Email: sales@icchip.ru
Copyright © 2019 ICCHIP ® Все права защищены