Транзисторы - JFET - Дискретный полупроводник - BSR58 BSR57 MMBF5103 MMBF5457 - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип полевого транзистора	Напряжение - пробой (V (BR) GSS)	Слив к источнику напряжения (Vdss)	Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	Текущий слив (Id) - Макс.	Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id	Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	Сопротивление - RDS (Вкл.)	Мощность - макс.	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BSR58	ON Semiconductor	JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23	в производстве	N-Channel	40V	-	8mA @ 15V	-	800mV @ 0.5nA	-	60 Ohms	250mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BSR57	ON Semiconductor	JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23	в производстве	N-Channel	40V	-	20mA @ 15V	-	2V @ 0.5nA	-	40 Ohms	250mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF5103	ON Semiconductor	JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23	в производстве	N-Channel	40V	-	10mA @ 15V	-	1.2V @ 1nA	16pF @ 15V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF5457	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 350MW SOT23	в производстве	N-Channel	25V	-	1mA @ 15V	-	500mV @ 10nA	7pF @ 15V	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ111	ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 350MW SOT23	в производстве	N-Channel	35V	-	20mA @ 15V	-	3V @ 1µA	-	30 Ohms	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ201	ON Semiconductor	JFET N-CH 40V 350MW SOT23	в производстве	N-Channel	40V	-	200µA @ 20V	-	300mV @ 10nA	-	-	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ112	ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23	в производстве	N-Channel	35V	-	5mA @ 15V	-	1V @ 1µA	-	50 Ohms	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ113	ON Semiconductor	JFET N-CH 35V 350MW SOT23	в производстве	N-Channel	35V	-	2mA @ 15V	-	500mV @ 1µA	-	100 Ohms	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J175-D26Z	ON Semiconductor	JFET P-CH 30V 0.35W TO92	в производстве	P-Channel	30V	-	7mA @ 15V	-	3V @ 10nA	-	125 Ohms	350mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
J109	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 625MW TO92	в производстве	N-Channel	25V	-	40mA @ 15V	-	2V @ 10nA	-	12 Ohms	625mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G	ON Semiconductor	IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH	в производстве	N-Channel	25V	25V	20mA @ 5V	50mA	600mV @ 100µA	6pF @ 5V	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
MMBFJ175LT3G	ON Semiconductor	JFET P-CH 30V 0.225W SOT23	в производстве	P-Channel	30V	-	7mA @ 15V	-	3V @ 10nA	11pF @ 10V (VGS)	125 Ohms	225mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23 (TO-236AB)
SMMBFJ175LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR JFET P-CH 30V SOT23	в производстве	P-Channel	30V	-	7mA @ 15V	-	3V @ 10nA	11pF @ 10V (VGS)	125 Ohms	225mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23 (TO-236AB)
NSVJ2394SA3T1G	ON Semiconductor	IC JFET N-CH LNA SC59-3	в производстве	N-Channel	15V	15V	32mA @ 5V	50mA	700mV @ 100µA	10pF @ 5V	-	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59-3/CP3
NSVJ6904DSB6T1G	ON Semiconductor	JFET -25V 20 TO 40MA DUA	в производстве	2 N-Channel (Dual)	25V	25V	20mA @ 5V	50mA	600mV @ 100µA	6pF @ 5V	78 mOhms	700mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-CPH
2SK2145-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV	в производстве	2 N-Channel (Dual)	-	-	2.6mA @ 10V	-	200mV @ 100nA	13pF @ 10V	-	300mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
2SK2145-Y(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV	в производстве	2 N-Channel (Dual)	-	-	1.2mA @ 10V	-	200mV @ 100nA	13pF @ 10V	-	300mW	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-74A, SOT-753	SMV
2N4117A	MICROSS/On Semiconductor	DIE MOSFET N-CH 40V	в производстве	N-Channel	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N2609	Microsemi Corporation	JFETS	в производстве	P-Channel	30V	-	2mA @ 5V	10mA	750mV @ 1A	10pF @ 5V	-	300mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18 (TO-206AA)
2N4391	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	-	50mA @ 20V	-	4V @ 1nA	14pF @ 20V	30 Ohms	1.8W	-	-	-	-
2N3821	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	50V	50V	2.5mA @ 15V	-	4V @ 0.5nA	6pF @ 15V	-	300mW	-55°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	TO-72
2N3823	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	30V	30V	20mA @ 15V	-	8V @ 500pA	6pF @ 15V	-	300mW	-55°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AF, TO-72-4 Metal Can	TO-72
2N4391UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4392UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4393UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4091	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	40V	30mA @ 20V	-	-	16pF @ 20V	30 Ohms	360mW	-65°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N4092	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	40V	15mA @ 20V	-	-	16pF @ 20V	50 Ohms	360mW	-65°C ~ 175°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N5114	Microsemi Corporation	P CHANNEL JFET	в производстве	P-Channel	30V	30V	90mA @ 18V	-	10V @ 1nA	25pF @ 15V	75 Ohms	500mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18 (TO-206AA)
2N5115	Microsemi Corporation	P CHANNEL JFET	в производстве	P-Channel	30V	30V	60mA @ 15V	-	6V @ 1nA	25pF @ 15V	100 Ohms	500mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18 (TO-206AA)
2N4092UB	Microsemi Corporation	JFET N-CHAN 40V 3SMD	в производстве	N-Channel	40V	40V	15mA @ 20V	-	-	16pF @ 20V	50 Ohms	360mW	-65°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, No Lead	3-UB (3.09x2.45)
2N4093UB	Microsemi Corporation	JFET N-CHAN 40V 3SMD	в производстве	N-Channel	40V	40V	8mA @ 20V	-	-	16pF @ 20V	80 Ohms	360mW	-65°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, No Lead	3-UB (3.09x2.45)
2N4091UB	Microsemi Corporation	JFET N-CHAN 40V 3SMD	в производстве	N-Channel	40V	40V	30mA @ 20V	-	-	16pF @ 20V	30 Ohms	360mW	-65°C ~ 175°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, No Lead	3-UB (3.09x2.45)
2N5115UB	Microsemi Corporation	P CHANNEL JFET	в производстве	P-Channel	30V	30V	60mA @ 15V	-	6V @ 1nA	25pF @ 15V	100 Ohms	500mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, No Lead	UB
2N4856	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	40V	175mA @ 15V	-	10V @ 500pA	18pF @ 10V	25 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N4857	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	40V	100mA @ 15V	-	6V @ 500pA	18pF @ 10V	40 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N4858	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	40V	40V	80mA @ 15V	-	4V @ 0.5nA	18pF @ 10V	60 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N4859	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	30V	30V	175mA @ 15V	-	10V @ 500pA	18pF @ 10V	25 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N4860	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	N-Channel	30V	30V	100mA @ 15V	-	6V @ 500pA	18pF @ 10V	40 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-18
2N5116JTX02	Vishay Siliconix	JFET P-CH 30V TO-18	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-206AA (TO-18)
2N4856UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4857UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4858UB	Microsemi Corporation	JFET N-CHAN 40V 3SMD	в производстве	N-Channel	40V	40V	8mA @ 15V	-	-	18pF @ 10V (VGS)	60 Ohms	360mW	-65°C ~ 200°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, No Lead	3-UB (3.09x2.45)
2N4859UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4860UB	Microsemi Corporation	N CHANNEL JFET	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N5116JTXL02	Vishay Siliconix	JFET P-CH 30V TO-18	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-206AA (TO-18)
2N5116JTVL02	Vishay Siliconix	JFET P-CH 30V TO-18	в производстве	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Through Hole	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	TO-206AA (TO-18)
J111,126	NXP USA Inc.	JFET N-CH 40V 400MW TO92-3	устарелый	N-Channel	40V	40V	20mA @ 15V	-	10V @ 1µA	6pF @ 10V (VGS)	30 Ohms	400mW	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
BFT46,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA 250MW SOT23	устарелый	N-Channel	-	25V	200µA @ 10V	10mA	1.2V @ 0.5nA	5pF @ 10V	-	250mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23 (TO-236AB)
BFR30,215	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA 250MW SOT23	устарелый	N-Channel	-	25V	4mA @ 10V	10mA	5V @ 0.5nA	4pF @ 10V	-	250mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23 (TO-236AB)
BFR30,235	NXP USA Inc.	JFET N-CH 10MA 250MW SOT23	устарелый	N-Channel	-	25V	4mA @ 10V	10mA	5V @ 0.5nA	4pF @ 10V	-	250mW	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23 (TO-236AB)

Производители для Транзисторы - JFET