Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные - Дискретный полупроводник - BCP5616QTA ZXTP4003ZTA STR2550 NSS12201LT1G - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Мощность - макс.	Частота - переход	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
BCP5616QTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	2W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
ZXTP4003ZTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 100V 1A TO-243AA	в производстве	PNP	1A	100V	-	50nA (ICBO)	100 @ 150mA, 200mV	1.5W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89
STR2550	STMicroelectronics	TRANSISTOR PNP 500V 0.5A SOT-23	в производстве	PNP	500mA	500V	300mV @ 10mA, 50mA	10µA (ICBO)	100 @ 50mA, 10V	500mW	-	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
NSS12201LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 12V 2A SOT-23	в производстве	NPN	2A	12V	90mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	200 @ 500mA, 2V	460mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
NSS20201LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 2A SOT-23	в производстве	NPN	2A	20V	100mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	200 @ 500mA, 2V	460mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
NSS1C201LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 100V 2A SOT-23	в производстве	NPN	2A	100V	150mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	120 @ 500mA, 2V	490mW	110MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBTA05-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT23	в производстве	NPN	500mA	60V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	300mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
DNLS350E-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 50V 3A SOT-223	в производстве	NPN	3A	50V	290mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	100 @ 2A, 2V	1W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
FMMT489TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 30V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	30V	600mV @ 200mA, 2A	100nA	100 @ 1A, 2V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT494TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 120V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	120V	300mV @ 50mA, 500mA	100nA	100 @ 250mA, 10V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT493ATA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	60V	500mV @ 100mA, 1A	100nA	300 @ 250mA, 10V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT491ATA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	40V	500mV @ 100mA, 1A	100nA	300 @ 500mA, 5V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMT549TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 30V 1A SOT23-3	в производстве	PNP	1A	30V	750mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	100 @ 500mA, 2V	500mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
KSC2383YTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 160V 1A TO-92L	в производстве	NPN	1A	160V	1.5V @ 50mA, 500mA	1µA (ICBO)	160 @ 200mA, 5V	900mW	100MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	TO-92-3
PZT751T1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 2A SOT223	в производстве	PNP	2A	60V	500mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	75 @ 1A, 2V	800mW	75MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
BCX56,135	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	63 @ 150mA, 2V	1.25W	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BCX56,115	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	63 @ 150mA, 2V	1.25W	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
PZTA92	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 300V 0.5A SOT-223	в производстве	PNP	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	250nA (ICBO)	25 @ 30mA, 10V	1W	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
PBSS8110Z,135	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT223	в производстве	NPN	1A	100V	200mV @ 100mA, 1A	100nA	150 @ 250mA, 10V	1.4W	100MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
DXT3904-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT89-3	в производстве	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	1W	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BCX6825TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT-89	в производстве	NPN	1A	20V	500mV @ 100mA, 1A	100nA (ICBO)	160 @ 500mA, 1V	1W	100MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BCP54	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 1.5A SOT-223	в производстве	NPN	1.5A	45V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	40 @ 150mA, 2V	1.5W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
2SC5661T2LP	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 0.05A VMT3	в производстве	NPN	50mA	20V	500mV @ 4mA, 20mA	500nA (ICBO)	82 @ 10mA, 10V	150mW	1.5GHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	VMT3
NSS12100XV6T1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 12V 1A SOT-563	в производстве	PNP	1A	12V	440mV @ 100mA, 1A	100nA (ICBO)	100 @ 500mA, 2V	500mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-563, SOT-666	SOT-563
ZUMT619TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 50V 1A SC70-3	в производстве	NPN	1A	50V	270mV @ 50mA, 1A	10nA	200 @ 500mA, 2V	385mW	215MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
DZT5551-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 160V 0.6A SOT-223	в производстве	NPN	600mA	160V	200mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	80 @ 10mA, 5V	1W	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
PBSS4041PT,215	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR PNP 60V 2.7A SOT23	в производстве	PNP	2.7A	60V	360mV @ 300mA, 3A	100nA	150 @ 1A, 2V	1.1W	150MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
FMMT493QTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	100V	600mV @ 100mA, 1A	100nA	100 @ 250mA, 10V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
SXTA42TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 300V 0.5A SOT89	в производстве	NPN	500mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	1W	50MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BST52TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN DARL 80V 0.5A SOT-89	в производстве	NPN - Darlington	500mA	80V	1.3V @ 500µA, 500mA	10µA	1000 @ 150mA, 10V	1W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
PBSS4560PA,115	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 60V 6A SOT1061	в производстве	NPN	6A	60V	290mV @ 300mA, 6A	100nA	210 @ 2A, 2V	2.1W	150MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-UDFN	3-HUSON (2x2)
PBSS4580PA,115	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061	в производстве	NPN	5.6A	80V	320mV @ 280mA, 5.6A	100nA	150 @ 2A, 2V	2.1W	155MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-UDFN	3-HUSON (2x2)
ZXTN25040DFLTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 1.5A SOT23-3	в производстве	NPN	1.5A	40V	285mV @ 400mA, 4A	50nA (ICBO)	300 @ 10mA, 2V	350mW	190MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
NJT4030PT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 40V 3A SOT-223	в производстве	PNP	3A	40V	500mV @ 300mA, 3A	100nA (ICBO)	200 @ 1A, 1V	2W	160MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
FMMT560TC	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 500V 0.15A SOT23-3	в производстве	PNP	150mA	500V	500mV @ 10mA, 50mA	100nA	80 @ 50mA, 10V	500mW	60MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SA2094TLQ	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 2A TSMT3	устарелый	PNP	2A	60V	500mV @ 100mA, 1A	1µA (ICBO)	120 @ 100mA, 2V	500mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-96	TSMT3
2SC5866TLQ	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 2A TSMT3	в производстве	NPN	2A	60V	500mV @ 100mA, 1A	1µA (ICBO)	120 @ 100mA, 2V	500mW	200MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-96	TSMT3
DSS60601MZ4-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 6A SOT-223	в производстве	NPN	6A	60V	300mV @ 600mA, 6A	100nA (ICBO)	120 @ 1A, 2V	1.2W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
FMMT720TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 40V 1.5A SOT23-3	в производстве	PNP	1.5A	40V	330mV @ 100mA, 1.5A	100nA	300 @ 100mA, 2V	625mW	190MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SD1898T100R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89	устарелый	NPN	1A	80V	400mV @ 20mA, 500mA	1µA (ICBO)	180 @ 500mA, 3V	2W	100MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	MPT3
2STN1550	STMicroelectronics	TRANSISTOR NPN 50V 5A SOT-223	в производстве	NPN	5A	50V	450mV @ 300mA, 3A	100nA (ICBO)	135 @ 2A, 2V	1.6W	-	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
DXT5551P5-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 160V 0.6A POWERDI5	в производстве	NPN	600mA	160V	200mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	80 @ 10mA, 5V	2.25W	130MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	PowerDI™ 5	PowerDI™ 5
PBSS305PD,115	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR PNP 100V 2A 6TSOP	в производстве	PNP	2A	100V	395mV @ 300mA, 3A	100nA	145 @ 1A, 2V	1.1W	110MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-74, SOT-457	6-TSOP
2SC3648S-TD-E	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 160V 0.7A SOT89-3	в производстве	NPN	700mA	160V	400mV @ 25mA, 250mA	100nA (ICBO)	100 @ 100mA, 5V	500mW	120MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	PCP
ZXTN4006ZTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 200V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	200V	-	50nA (ICBO)	100 @ 150mA, 320mV	1.5W	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89
ZXTP5401GTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 150V 0.6A SOT223	в производстве	PNP	600mA	150V	500mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	60 @ 10mA, 5V	2W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
NZT660A	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT223	в производстве	PNP	3A	60V	500mV @ 300mA, 3A	100nA (ICBO)	250 @ 500mA, 2V	2W	75MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
2STN2540	STMicroelectronics	TRANSISTOR PNP 40V 5A SOT-223	в производстве	PNP	5A	40V	450mV @ 500mA, 5A	100nA (ICBO)	150 @ 2A, 2V	1.6W	-	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
MJD31T4G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 3A DPAK	в производстве	NPN	3A	40V	1.2V @ 375mA, 3A	50µA	10 @ 3A, 4V	1.56W	3MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	DPAK
PBSS4021NT,215	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 20V 4.3A SOT23	в производстве	NPN	4.3A	20V	200mV @ 400mA, 4A	100nA	300 @ 2A, 2V	1.1W	165MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные