Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные - Дискретный полупроводник - MSC2712GT1G 2SC4116-GR,LF 2SA1586-GR,LF MMBT2907A-D87Z - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Мощность - макс.	Частота - переход	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
MSC2712GT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SC59	в производстве	NPN	100mA	50V	500mV @ 10mA, 100mA	100nA	200 @ 2mA, 6V	200mW	50MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SC-59
2SC4116-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A USM	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
2SA1586-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR PNP 50V 0.15A USM	в производстве	PNP	150mA	50V	300mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 2mA, 6V	100mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	USM
MMBT2907A-D87Z	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 0.8A SOT-23	устарелый	PNP	800mA	60V	1.6V @ 50mA, 500mA	20nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	350mW	200MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMMBT2907ALT3G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-23	в производстве	PNP	600mA	60V	1.6V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	300mW	200MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT5089LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 25V 0.05A SOT23	в производстве	NPN	50mA	25V	500mV @ 1mA, 10mA	50nA (ICBO)	400 @ 100µA, 5V	300mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT5088LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 0.05A SOT23	в производстве	NPN	50mA	30V	500mV @ 1mA, 10mA	50nA (ICBO)	300 @ 100µA, 5V	300mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BC846A-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT23-3	в производстве	NPN	100mA	65V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA	110 @ 2mA, 5V	300mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMSS8550-H-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 25V 1.5A SOT23	в производстве	PNP	1.5A	25V	500mV @ 80mA, 800mA	100nA	120 @ 100mA, 1V	625mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
MMSS8050-H-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 25V 1.5A SOT23	в производстве	NPN	1.5A	25V	500mV @ 80mA, 800mA	100nA	120 @ 100mA, 1V	625mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
MMSS8550-L-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 25V 1.5A SOT-23	в производстве	PNP	1.5A	25V	500mV @ 80mA, 800mA	100nA	120 @ 100mA, 1V	625mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
MMSS8050-L-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 25V 1.5A SOT-23	в производстве	NPN	1.5A	25V	500mV @ 80mA, 800mA	100nA	120 @ 100mA, 1V	625mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC857CE6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT-23	устарелый	PNP	100mA	45V	650mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	420 @ 2mA, 5V	330mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMBT3904E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23	устарелый	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	330mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMBT3906E6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-23	устарелый	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	330mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SC2412KT146R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346	в производстве	NPN	150mA	50V	400mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	180 @ 1mA, 6V	200mW	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3
MMBT2369ALT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 15V 0.2A SOT23	в производстве	NPN	200mA	15V	500mV @ 10mA, 100mA	400nA	20 @ 100mA, 1V	225mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBTA56WT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 80V 0.5A SC70-3	в производстве	PNP	500mA	80V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	150mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
MMBT2369LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 15V 0.2A SOT23	в производстве	NPN	200mA	15V	250mV @ 1mA, 10mA	400nA	40 @ 10mA, 350mV	225mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBTA06WT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 0.5A SC70-3	в производстве	NPN	500mA	80V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	150mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
MMBTA06-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 80V 0.5A SOT23	в производстве	NPN	500mA	80V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	300mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
MMBTA56-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 80V 0.5A SOT23	в производстве	PNP	500mA	80V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	225mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SC2712-GR,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A S-MINI	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
MMBTA92-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 300V 0.3A SOT23	в производстве	PNP	300mA	300V	200mV @ 2mA, 20mA	250nA (ICBO)	100 @ 10mA, 10V	300mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC847A-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT23	в производстве	NPN	100mA	45V	500mV @ 5mA, 100mA	100nA	110 @ 2mA, 5V	225mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC856CMTF	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT-23	в производстве	PNP	100mA	65V	650mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	420 @ 2mA, 5V	310mW	150MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBTA42-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 300V 0.3A SOT23	в производстве	NPN	300mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	300mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC807-40-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT-23	в производстве	PNP	500mA	45V	700mV @ 50mA, 500mA	200nA	250 @ 100mA, 1V	300mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC817-40-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR NPN 45V 0.8A SOT-23	в производстве	NPN	800mA	45V	700mV @ 50mA, 500mA	100nA	250 @ 100mA, 1V	310mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC857B-TP	Micro Commercial Co	TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT-23	в производстве	PNP	100mA	45V	650mV @ 5mA, 100mA	15nA	220 @ 2mA, 5V	310mW	200MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
BC848C-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT23-3	в производстве	NPN	100mA	30V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA	420 @ 2mA, 5V	300mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BC847CW-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SC70-3	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	20nA (ICBO)	420 @ 2mA, 5V	200mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
BC847BW-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SC70-3	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	20nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	200mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
BC857C-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT23-3	в производстве	PNP	100mA	45V	650mV @ 5mA, 100mA	15nA	420 @ 2mA, 5V	300mW	200MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BC847BM3T5G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT-723	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	260mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SOT-723	SOT-723
MMBT3904LT1HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23	устарелый	NPN	200mA	40V	300mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	330mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT3906LT1HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-23	устарелый	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	330mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMBT2222AE6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-23	устарелый	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	330mW	300MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
SMBT2907AE6327HTSA1	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-23	устарелый	PNP	600mA	60V	1.6V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	330mW	200MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBT5087LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 50V 0.05A SOT23	в производстве	PNP	50mA	50V	300mV @ 1mA, 10mA	50nA (ICBO)	250 @ 100µA, 5V	300mW	40MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
2SC2712-Y,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A S-MINI	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	120 @ 2mA, 6V	150mW	80MHz	125°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SC4081T106R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323	в производстве	NPN	150mA	50V	400mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	180 @ 1mA, 6V	200mW	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	UMT3
2SC4081UBTLR	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A UMT3F	устарелый	NPN	150mA	50V	400mV @ 5mA, 50mA	100nA (ICBO)	120 @ 1mA, 6V	200mW	180MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-85	UMT3F
BC547BTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A TO-92	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	500mW	300MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
KSC1815YTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 50V 0.15A TO-92	в производстве	NPN	150mA	50V	250mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	70 @ 2mA, 6V	400mW	80MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
MMBT5551-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 160V 0.6A SOT23-3	в производстве	NPN	600mA	160V	200mV @ 5mA, 50mA	500nA (ICBO)	80 @ 10mA, 5V	300mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMST2222A-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SC70-3	в производстве	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	200mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
BC817-16-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT23-3	в производстве	NPN	500mA	45V	700mV @ 50mA, 500mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	310mW	100MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BC856BW-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SC70-3	в производстве	PNP	100mA	65V	650mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	220 @ 2mA, 5V	200mW	200MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323
BC807-16-7-F	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT-23	в производстве	PNP	500mA	45V	700mV @ 50mA, 500mA	100nA	100 @ 100mA, 1V	310mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные