Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные - Дискретный полупроводник - SMMBT5401LT1G SBC846BWT1G SMMBT5551LT1G FMMT619-G - ICCHIP

номер части	Производитель / Марка	Краткое описание	Статус детали	Тип транзистора	Ток - коллектор (Ic) (макс.)	Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	Ток - отсечка коллектора (макс.)	Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	Мощность - макс.	Частота - переход	Рабочая Температура	Тип монтажа	Упаковка / чехол	Пакет устройств поставщика
SMMBT5401LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 150V 0.5A SOT23	в производстве	PNP	500mA	150V	500mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	60 @ 10mA, 5V	300mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
SBC846BWT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SC-70	в производстве	NPN	100mA	65V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	150mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
SMMBT5551LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 160V 0.6A SOT23	в производстве	NPN	600mA	160V	200mV @ 5mA, 50mA	100nA	80 @ 10mA, 5V	225mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
FMMT619-G	Comchip Technology	NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH	в производстве	NPN	2A	50V	220mV @ 100mA, 2A	100nA (ICBO)	100 @ 2A, 2V	350mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SD2704KT146	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 0.3A SOT23-3	в производстве	NPN	300mA	20V	100mV @ 3mA, 30mA	100nA (ICBO)	820 @ 4ma, 2V	200mW	35MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3
2SC4097T106R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 32V 0.5A SOT-323	в производстве	NPN	500mA	32V	600mV @ 50mA, 500mA	1µA (ICBO)	180 @ 10mA, 3V	200mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	UMT3
BC516-D27Z	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP DARL 30V 1A TO-92	в производстве	PNP - Darlington	1A	30V	1V @ 100µA, 100mA	100nA (ICBO)	30000 @ 20mA, 2V	625mW	200MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
BC63916-D27Z	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
PBSS4160U,115	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 60V 0.75A SOT323	в производстве	NPN	750mA	60V	280mV @ 100mA, 1A	100nA	200 @ 500mA, 5V	415mW	220MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	SOT-323-3
FMMTA42TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 300V 0.2A SOT23-3	в производстве	NPN	200mA	300V	500mV @ 2mA, 20mA	100nA (ICBO)	40 @ 30mA, 10V	330mW	50MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SC2411KT146Q	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 32V 0.5A SOT-346	в производстве	NPN	500mA	32V	600mV @ 50mA, 500mA	1µA (ICBO)	120 @ 100mA, 3V	200mW	250MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3
MPSA05RA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 60V 0.5A TO92	в производстве	NPN	500mA	60V	250mV @ 10mA, 100mA	100µA (ICBO)	100 @ 100mA, 1V	625mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
BC847BLP-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 0.1A 3-DFN	в производстве	NPN	100mA	45V	600mV @ 5mA, 100mA	15nA (ICBO)	200 @ 2mA, 5V	250mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-UFDFN	3-DFN1006 (1.0x0.6)
MMBT3906LP-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A 3DFN	в производстве	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	50nA (ICBO)	100 @ 10mA, 1V	250mW	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-XFDFN	3-DFN1006 (1.0x0.6)
KSC2330YTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 300V 0.1A TO-92L	в производстве	NPN	100mA	300V	500mV @ 1mA, 10mA	100nA (ICBO)	120 @ 20mA, 10V	1W	50MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	TO-92-3
KSD5041RTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 20V 5A TO-92	в производстве	NPN	5A	20V	1V @ 100mA, 3A	100nA (ICBO)	340 @ 500mA, 2V	750mW	150MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
KSP44TF	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 0.3A TO-92	в производстве	NPN	300mA	400V	750mV @ 5mA, 50mA	500nA	50 @ 10mA, 10V	625mW	-	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
KSP44TA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 400V 0.3A TO-92	в производстве	NPN	300mA	400V	750mV @ 5mA, 50mA	500nA	50 @ 10mA, 10V	625mW	-	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
50A02MH-TL-E	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 50V 0.5A MCPH3	в производстве	PNP	500mA	50V	120mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 10mA, 2V	600mW	690MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	3-SMD, Flat Leads	3-MCPH
BC63916-D74Z	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1W	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
CMPT3904E TR	Central Semiconductor Corp	TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23	в производстве	NPN	200mA	40V	200mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	350mW	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
PZT2222AT3G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT223	в производстве	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	1.5W	300MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
BF721T1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 300V 0.05A SOT-223	в производстве	PNP	50mA	300V	800mV @ 5mA, 30mA	10nA (ICBO)	50 @ 25mA, 20V	1.5W	60MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
KSC5019MTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 10V 2A TO-92	в производстве	NPN	2A	10V	500mV @ 50mA, 2A	100nA (ICBO)	140 @ 500mA, 1V	750mW	150MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
MMBT489LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 30V 1A SOT23	в производстве	NPN	1A	30V	200mV @ 100mA, 1A	100nA	300 @ 500mA, 5V	710mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBT589LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 30V 1A SOT-23	в производстве	PNP	1A	30V	650mV @ 200mA, 2A	100nA	100 @ 500mA, 2V	310mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
KSC2316YTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR NPN 120V 0.8A TO-92L	в производстве	NPN	800mA	120V	1V @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	120 @ 100mA, 5V	900mW	120MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)	TO-92-3
2STR1215	STMicroelectronics	TRANSISTOR NPN 15V 1.5A SOT-23	в производстве	NPN	1.5A	15V	850mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	200 @ 500mA, 2V	500mW	-	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
PBSS4240T,215	Nexperia USA Inc.	TRANSISTOR NPN 40V 2A SOT23	в производстве	NPN	2A	40V	320mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	300 @ 1A, 2V	480mW	230MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236AB (SOT23)
50A02CH-TL-E	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 50V 0.5A CPH3	в производстве	PNP	500mA	50V	120mV @ 10mA, 100mA	100nA (ICBO)	200 @ 10mA, 2V	700mW	690MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
DSS4160T-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT23	в производстве	NPN	1A	60V	280mV @ 100mA, 1A	100nA	200 @ 500mA, 5V	725mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2SC3906KT146R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 120V 0.05A SOT-346	в производстве	NPN	50mA	120V	500mV @ 1mA, 10mA	500nA (ICBO)	180 @ 2mA, 6V	200mW	140MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMT3
2SB1694T106	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR PNP 30V 1A SOT-323	в производстве	PNP	1A	30V	380mV @ 25mA, 500mA	100nA (ICBO)	270 @ 100mA, 2V	200mW	320MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	UMT3
KSA1013YTA	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 160V 1A TO-92L	в производстве	PNP	1A	160V	1.5V @ 50mA, 500mA	1µA (ICBO)	160 @ 200mA, 5V	900mW	50MHz	150°C (TJ)	Through Hole	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-92-3
DZT2907A-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-223	в производстве	PNP	600mA	60V	1.6V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	1W	200MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
DSS20200L-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 20V 2A SOT-23	в производстве	PNP	2A	20V	180mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	180 @ 1A, 2V	600mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SC4102T106R	Rohm Semiconductor	TRANSISTOR NPN 120V 0.05A SOT-323	в производстве	NPN	50mA	120V	500mV @ 1mA, 10mA	500nA (ICBO)	180 @ 2mA, 6V	200mW	140MHz	150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	SC-70, SOT-323	UMT3
BCX5516TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	60V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BCP5416TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT223	в производстве	NPN	1A	45V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	2W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
BCX5316TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT-89	в производстве	PNP	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	1W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
BCP5310TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223	в производстве	PNP	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	63 @ 150mA, 2V	2W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
BCP56TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223-4	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	40 @ 150mA, 2V	2W	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223
BCX56TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	40 @ 150mA, 2V	1W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89
DSS20201L-7	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 20V 2A SOT-23	в производстве	NPN	2A	20V	100mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	200 @ 500mA, 2V	600mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
PZT3906	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT223	в производстве	PNP	200mA	40V	400mV @ 5mA, 50mA	-	100 @ 10mA, 1V	1W	250MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-261-4, TO-261AA	SOT-223-4
DXT2222A-13	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT89-3	в производстве	NPN	600mA	40V	1V @ 50mA, 500mA	10nA (ICBO)	100 @ 150mA, 10V	1W	300MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89-3
NSS40200LT1G	ON Semiconductor	TRANSISTOR PNP 40V 2A SOT-23	в производстве	PNP	2A	40V	170mV @ 200mA, 2A	100nA (ICBO)	220 @ 500mA, 2V	460mW	100MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
FMMT451TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT23-3	в производстве	NPN	1A	60V	350mV @ 15mA, 150mA	100nA (ICBO)	50 @ 150mA, 10V	500mW	150MHz	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
FMMTA14TA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3	в производстве	NPN - Darlington	300mA	40V	900mV @ 100µA, 100mA	100nA	20000 @ 100mA, 5V	330mW	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
BCX5616QTA	Diodes Incorporated	TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89	в производстве	NPN	1A	80V	500mV @ 50mA, 500mA	100nA (ICBO)	100 @ 150mA, 2V	2W	150MHz	-65°C ~ 150°C (TJ)	SMD Поверхностный монтаж	TO-243AA	SOT-89

Производители для Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные