номер части Производитель / Марка Краткое описание Статус деталиУправляемая конфигурацияТип каналаКоличество драйверовТип воротНапряжение - ПоставкаНапряжение логики - VIL, VIHТекущий - пиковый выход (источник, раковина)Тип вводаВысокое боковое напряжение - макс (бутстрап)Время нарастания / падения (Тип)Рабочая ТемператураТип монтажаУпаковка / чехолПакет устройств поставщика
Diodes Incorporated SYNCH MOSFET CONTROLLER 8SO в производстве
-
Synchronous1N-Channel MOSFET4.5 V ~ 12 V
-
5A, 5A
-
-
42ns, 42ns-40°C ~ 125°CSMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated SYNCH MOSFET CONTROLLER 8SO в производстве
-
Synchronous1N-Channel MOSFET4.5 V ~ 12 V
-
5A, 5A
-
-
42ns, 42ns-40°C ~ 125°CSMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated IC GATE DVR HV 8SOIC в производствеHalf-BridgeSynchronous2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.8V, 2.5V290mA, 600mANon-Inverting600V70ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated HV GATE DRIVER SO-8 TR 2.5K в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.6V, 2.5V290mA, 600mANon-Inverting600V100ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)14-SO
Diodes Incorporated HV GATE DRIVER SO-8 TR 2.5K в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Diodes Incorporated HV GATE DRIVER SO-8 TR 2.5K в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Diodes Incorporated HV GATE DRIVER SO-14 TR 2.5K в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO в производствеHigh-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V6V, 9.5V290mA, 600mANon-Inverting600V75ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SO в производствеHigh-SideSingle1IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V6V, 9.5V290mA, 600mANon-Inverting600V75ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.8V, 2.5V4.5A, 4.5ANon-Inverting600V25ns, 20ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)14-SO
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO в производствеHalf-BridgeSynchronous2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.8V, 2.5V1.4A, 1.8ANon-Inverting600V40ns, 20ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)14-SO
Diodes Incorporated HV GATE DRIVER SO-14 TR 2.5K в производстве
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Diodes Incorporated IC MOSFET CTLR SYNCH 8SOIC в производствеHigh-Side or Low-SideSingle1N-Channel MOSFET4 V ~ 20 V
-
2A, 5A
-
-
695ns, 131ns-50°C ~ 150°CSMD Поверхностный монтаж8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)8-SO
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.6V, 2.5V200mA, 600mANon-Inverting600V100ns, 35ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)14-SO
Diodes Incorporated IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO в производствеHalf-BridgeIndependent2IGBT, N-Channel MOSFET10 V ~ 20 V0.8V, 2.5V1.9A, 2.3ANon-Inverting600V40ns, 20ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтаж14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)14-SO
Diodes Incorporated IC FLYBACK CONVERTER SM8 устарелыйHigh-Side or Low-SideSingle1N-Channel MOSFET5 V ~ 15 V
-
2.5A, 2.5ANon-Inverting
-
305ns, 20ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223-8SM8
Diodes Incorporated BIPOLAR TRANSISTOR GATE DRIVER N устарелыйHigh-Side or Low-SideSingle1N-Channel MOSFET5 V ~ 15 V
-
2A, 5ANon-Inverting
-
9840ns, 78ns-40°C ~ 150°C (TJ)SMD Поверхностный монтажSOT-223-8SM8
  1. 1
  2. 2